Berita
-
Peralatan Menghiris Laser Ketepatan Tinggi untuk Wafer SiC 8-Inci: Teknologi Teras untuk Pemprosesan Wafer SiC Masa Depan
Silicon carbide (SiC) bukan sahaja teknologi kritikal untuk pertahanan negara tetapi juga bahan penting untuk industri automotif dan tenaga global. Sebagai langkah kritikal pertama dalam pemprosesan kristal tunggal SiC, penghirisan wafer secara langsung menentukan kualiti penipisan dan penggilapan seterusnya. Tr...Baca lagi -
Cermin Mata AR Pandu Gelombang Silikon Karbid Gred Optik: Penyediaan Substrat Separuh Penebat Ketulenan Tinggi
Berlatarbelakangkan revolusi AI, cermin mata AR secara beransur-ansur memasuki kesedaran awam. Sebagai paradigma yang menggabungkan dunia maya dan nyata dengan lancar, cermin mata AR berbeza daripada peranti VR dengan membenarkan pengguna melihat kedua-dua imej yang ditayangkan secara digital dan cahaya persekitaran ambien ...Baca lagi -
Pertumbuhan Heteroepitaxial 3C-SiC pada Substrat Silikon dengan Orientasi Berbeza
1. Pengenalan Walaupun penyelidikan berdekad-dekad, heteroepitaxial 3C-SiC yang ditanam pada substrat silikon masih belum mencapai kualiti kristal yang mencukupi untuk aplikasi elektronik industri. Pertumbuhan biasanya dilakukan pada substrat Si(100) atau Si(111), setiap satu membentangkan cabaran yang berbeza: anti-fasa d...Baca lagi -
Seramik Silikon Karbida lwn. Semikonduktor Silikon Karbida: Bahan Sama dengan Dua Destinasi Berbeza
Silikon karbida (SiC) ialah sebatian luar biasa yang boleh didapati dalam kedua-dua industri semikonduktor dan produk seramik termaju. Ini sering menyebabkan kekeliruan di kalangan orang awam yang mungkin menganggap mereka sebagai jenis produk yang sama. Pada hakikatnya, semasa berkongsi komposisi kimia yang sama, SiC manifes...Baca lagi -
Kemajuan dalam Teknologi Penyediaan Seramik Silikon Karbida Ketulenan Tinggi
Seramik silikon karbida (SiC) ketulenan tinggi telah muncul sebagai bahan ideal untuk komponen kritikal dalam industri semikonduktor, aeroangkasa dan kimia kerana kekonduksian terma yang luar biasa, kestabilan kimia dan kekuatan mekanikalnya. Dengan permintaan yang semakin meningkat untuk prestasi tinggi, pol...Baca lagi -
Prinsip dan Proses Teknikal Wafer Epitaxial LED
Daripada prinsip kerja LED, adalah jelas bahawa bahan wafer epitaxial adalah komponen teras LED. Malah, parameter optoelektronik utama seperti panjang gelombang, kecerahan, dan voltan hadapan sebahagian besarnya ditentukan oleh bahan epitaxial. Teknologi wafer epitaxial dan peralatan...Baca lagi -
Pertimbangan Utama untuk Penyediaan Kristal Tunggal Silikon Karbida Berkualiti Tinggi
Kaedah utama untuk penyediaan kristal tunggal silikon termasuk: Pengangkutan Wap Fizikal (PVT), Pertumbuhan Penyelesaian Benih Teratas (TSSG), dan Pemendapan Wap Kimia Suhu Tinggi (HT-CVD). Antaranya, kaedah PVT digunakan secara meluas dalam pengeluaran perindustrian kerana peralatannya yang ringkas, kemudahan ...Baca lagi -
Litium Niobate pada Penebat (LNOI): Memacu Kemajuan Litar Bersepadu Fotonik
Pengenalan Diilhamkan oleh kejayaan litar bersepadu elektronik (EIC), bidang litar bersepadu fotonik (PIC) telah berkembang sejak penubuhannya pada tahun 1969. Walau bagaimanapun, tidak seperti EIC, pembangunan platform universal yang mampu menyokong aplikasi fotonik yang pelbagai kekal ...Baca lagi -
Pertimbangan Utama untuk Menghasilkan Kristal Tunggal Silikon Karbida (SiC) Berkualiti Tinggi
Pertimbangan Utama untuk Menghasilkan Kristal Tunggal Silikon Karbida (SiC) Berkualiti Tinggi Kaedah utama untuk mengembangkan kristal tunggal silikon karbida termasuk Pengangkutan Wap Fizikal (PVT), Pertumbuhan Penyelesaian Berbiji Teratas (TSSG), dan Kimia Suhu Tinggi...Baca lagi -
Teknologi Wafer Epitaxial LED Generasi Seterusnya: Memperkasakan Masa Depan Pencahayaan
LED menerangi dunia kita, dan di tengah-tengah setiap LED berprestasi tinggi terletak wafer epitaxial—komponen kritikal yang mentakrifkan kecerahan, warna dan kecekapannya. Dengan menguasai sains pertumbuhan epitaxial, ...Baca lagi -
Penghujung Era? Wolfspeed Bankruptcy Membentuk Semula Landskap SiC
Wolfspeed Kebankrapan Isyarat Titik Pusing Utama untuk Industri Semikonduktor SiC Wolfspeed, peneraju lama dalam teknologi silikon karbida (SiC), memfailkan kebankrapan minggu ini, menandakan perubahan ketara dalam landskap semikonduktor SiC global. Syarikat...Baca lagi -
Analisis Komprehensif Pembentukan Tekanan dalam Kuarza Bercantum: Punca, Mekanisme dan Kesan
1. Tekanan Terma Semasa Penyejukan (Punca Utama) Kuarza bercantum menjana tegasan di bawah keadaan suhu yang tidak seragam. Pada sebarang suhu tertentu, struktur atom kuarza bercantum mencapai konfigurasi spatial yang agak "optimum". Apabila suhu berubah, sp...Baca lagi