Wafer substrat Separa SiC 4H 3 inci 76.2mm Wafer SiC Separa-menghina Silikon Karbida

Penerangan Ringkas:

Wafer SiC kristal tunggal (Silikon Karbida) berkualiti tinggi untuk industri elektronik dan optoelektronik. Wafer SiC 3 inci ialah wafer silikon-karbida separa penebat bahan semikonduktor generasi akan datang berdiameter 3 inci. Wafer ini bertujuan untuk fabrikasi peranti kuasa, RF dan optoelektronik.

Hantar emel kepada kami

Ciri-ciri

Spesifikasi Produk

Wafer substrat SiC (silikon karbida) separa bertebat 4H 3 inci merupakan bahan semikonduktor yang biasa digunakan. 4H menunjukkan struktur kristal tetraheksahedral. Separa penebat bermaksud substrat mempunyai ciri rintangan yang tinggi dan boleh diasingkan daripada aliran arus.

Wafer substrat sedemikian mempunyai ciri-ciri berikut: kekonduksian terma yang tinggi, kehilangan konduksi yang rendah, rintangan suhu tinggi yang sangat baik, dan kestabilan mekanikal dan kimia yang sangat baik. Oleh kerana silikon karbida mempunyai jurang tenaga yang luas dan boleh menahan suhu tinggi dan keadaan medan elektrik yang tinggi, wafer separa bertebat 4H-SiC digunakan secara meluas dalam elektronik kuasa dan peranti frekuensi radio (RF).

Aplikasi utama wafer separa bertebat 4H-SiC termasuk:

1--Elektronik kuasa: Wafer 4H-SiC boleh digunakan untuk mengeluarkan peranti pensuisan kuasa seperti MOSFET (Transistor Kesan Medan Semikonduktor Oksida Logam), IGBT (Transistor Dwikutub Pintu Bertebat) dan diod Schottky. Peranti ini mempunyai kehilangan konduksi dan pensuisan yang lebih rendah dalam persekitaran voltan tinggi dan suhu tinggi serta menawarkan kecekapan dan kebolehpercayaan yang lebih tinggi.

2--Peranti Frekuensi Radio (RF): Wafer separa bertebat 4H-SiC boleh digunakan untuk menghasilkan penguat kuasa RF frekuensi tinggi, perintang cip, penapis dan peranti lain. Silikon karbida mempunyai prestasi frekuensi tinggi dan kestabilan terma yang lebih baik disebabkan oleh kadar hanyutan tepu elektron yang lebih besar dan kekonduksian terma yang lebih tinggi.

3--Peranti optoelektronik: Wafer separa bertebat 4H-SiC boleh digunakan untuk mengeluarkan diod laser berkuasa tinggi, pengesan cahaya UV dan litar bersepadu optoelektronik.

Dari segi hala tuju pasaran, permintaan untuk wafer separa bertebat 4H-SiC semakin meningkat dengan perkembangan bidang elektronik kuasa, RF dan optoelektronik. Ini disebabkan oleh fakta bahawa silikon karbida mempunyai pelbagai aplikasi, termasuk kecekapan tenaga, kenderaan elektrik, tenaga boleh diperbaharui dan komunikasi. Pada masa hadapan, pasaran untuk wafer separa bertebat 4H-SiC kekal sangat menjanjikan dan dijangka akan menggantikan bahan silikon konvensional dalam pelbagai aplikasi.