Wafer Epitaksi 4H-SiC untuk MOSFET Voltan Ultra Tinggi (100–500 μm, 6 inci)

Penerangan Ringkas:

Pertumbuhan pesat kenderaan elektrik, grid pintar, sistem tenaga boleh diperbaharui dan peralatan perindustrian berkuasa tinggi telah mewujudkan keperluan mendesak untuk peranti semikonduktor yang mampu mengendalikan voltan yang lebih tinggi, ketumpatan kuasa yang lebih tinggi dan kecekapan yang lebih tinggi. Antara semikonduktor jurang jalur yang luas,silikon karbida (SiC)menonjol kerana jurang jalurnya yang luas, kekonduksian terma yang tinggi dan kekuatan medan elektrik kritikal yang unggul.

Hantar emel kepada kami

Ciri-ciri

Gambarajah Terperinci

Gambaran Keseluruhan Produk

KamiWafer epitaksi 4H-SiCdirekayasa khusus untukAplikasi MOSFET voltan ultra tinggiDengan lapisan epitaksial bermula dari100 μm hingga 500 μm on Substrat 6 inci (150 mm), wafer ini memberikan kawasan hanyutan lanjutan yang diperlukan untuk peranti kelas kV sambil mengekalkan kualiti dan kebolehskalaan kristal yang luar biasa. Ketebalan standard termasuk 100 μm, 200 μm dan 300 μm, dengan penyesuaian tersedia.

Ketebalan Lapisan Epitaksial

Lapisan epitaksi memainkan peranan penting dalam menentukan prestasi MOSFET, terutamanya keseimbangan antaravoltan kerosakandanrintangan atas.

100–200 μmDioptimumkan untuk MOSFET voltan sederhana hingga tinggi, menawarkan keseimbangan kecekapan pengaliran dan kekuatan penyekatan yang sangat baik.
200–500 μmSesuai untuk peranti voltan ultra tinggi (10 kV+), yang membolehkan kawasan hanyutan panjang untuk ciri-ciri kerosakan yang teguh.

Merentasi julat penuh,keseragaman ketebalan dikawal dalam lingkungan ±2%, memastikan konsistensi dari wafer ke wafer dan kelompok ke kelompok. Fleksibiliti ini membolehkan pereka bentuk memperhalusi prestasi peranti untuk kelas voltan sasaran mereka sambil mengekalkan kebolehulangan dalam pengeluaran besar-besaran.

Proses Pembuatan

Wafer kami dibuat menggunakanepitaksi CVD (Pemendapan Wap Kimia) yang canggih, yang membolehkan kawalan ketebalan, pendopan dan kualiti kristal yang tepat, walaupun untuk lapisan yang sangat tebal.

Epitaksi CVD– Gas berketulenan tinggi dan keadaan yang dioptimumkan memastikan permukaan licin dan ketumpatan kecacatan yang rendah.
Pertumbuhan Lapisan Tebal– Resipi proses proprietari membenarkan ketebalan epitaksi sehingga500 μmdengan keseragaman yang sangat baik.
Kawalan Doping– Kepekatan boleh laras antara1×10¹⁴ – 1×10¹⁶ cm⁻³, dengan keseragaman lebih baik daripada ±5%.
Penyediaan Permukaan– Wafer menjalaniPenggilapan CMPdan pemeriksaan yang ketat, memastikan keserasian dengan proses lanjutan seperti pengoksidaan get, fotolitografi dan metalisasi.

Kelebihan Utama

Keupayaan Voltan Ultra Tinggi– Lapisan epitaksi tebal (100–500 μm) menyokong reka bentuk MOSFET kelas kV.
Kualiti Kristal Luar Biasa– Kehelan yang rendah dan kepadatan kecacatan satah basal memastikan kebolehpercayaan dan meminimumkan kebocoran.
Substrat Besar 6-Inci– Sokongan untuk pengeluaran volum tinggi, kos setiap peranti yang dikurangkan dan keserasian fabrik.
Sifat Terma Unggul– Kekonduksian terma yang tinggi dan jurang jalur yang luas membolehkan operasi yang cekap pada kuasa dan suhu yang tinggi.
Parameter Boleh Disesuaikan– Ketebalan, pendopan, orientasi dan kemasan permukaan boleh disesuaikan dengan keperluan khusus.

Spesifikasi Lazim

Parameter	Spesifikasi
Jenis Kekonduksian	Jenis-N (Didop Nitrogen)
Kerintangan	Mana-mana
Sudut Luar Paksi	4° ± 0.5° (ke arah [11-20])
Orientasi Kristal	(0001) Si-muka
Ketebalan	200–300 μm (boleh disesuaikan 100–500 μm)
Kemasan Permukaan	Depan: CMP digilap (sedia epi) Belakang: digilap atau digilap
TTV	≤ 10 μm
Busur/Lingkup	≤ 20 μm

Kawasan Aplikasi

Wafer epitaksi 4H-SiC sangat sesuai untukMOSFET dalam sistem voltan ultra tinggi, termasuk:

Inverter daya tarikan kenderaan elektrik & modul pengecasan voltan tinggi
Peralatan penghantaran & pengedaran grid pintar
Inverter tenaga boleh diperbaharui (solar, angin, storan)
Bekalan perindustrian & sistem pensuisan berkuasa tinggi

Soalan Lazim

S1: Apakah jenis kekonduksian?
A1: Jenis-N, didop dengan nitrogen — piawaian industri untuk MOSFET dan peranti kuasa lain.

S2: Apakah ketebalan epitaksi yang tersedia?
A2: 100–500 μm, dengan pilihan standard pada 100 μm, 200 μm dan 300 μm. Ketebalan tersuai tersedia atas permintaan.

S3: Apakah orientasi wafer dan sudut luar paksi?
A3: (0001) Si-muka, dengan 4° ± 0.5° di luar paksi ke arah [11-20].

Tentang Kami

XKH pakar dalam pembangunan, pengeluaran dan penjualan kaca optik khas dan bahan kristal baharu yang berteknologi tinggi. Produk kami menawarkan elektronik optik, elektronik pengguna dan ketenteraan. Kami menawarkan komponen optik nilam, penutup kanta telefon bimbit, Seramik, LT, Silikon Karbida SIC, Kuarza dan wafer kristal semikonduktor. Dengan kepakaran mahir dan peralatan canggih, kami cemerlang dalam pemprosesan produk bukan standard, bertujuan untuk menjadi perusahaan berteknologi tinggi bahan optoelektronik yang terkemuka.