Substrat SiC Diameter 3 inci 76.2mm gred Penyelidikan dan Dummy HPSI Prime

Substrat konduktif: merujuk kepada kerintangan substrat silikon karbida 15 ~ 30mΩ-cm. Wafer epitaksi silikon karbida yang ditumbuhkan daripada substrat silikon karbida konduktif boleh dijadikan peranti kuasa selanjutnya, yang digunakan secara meluas dalam kenderaan tenaga baharu, fotovoltaik, grid pintar dan pengangkutan rel.

Substrat separa penebat merujuk kepada kerintangan yang lebih tinggi daripada substrat silikon karbida 100000Ω-cm, yang kebanyakannya digunakan dalam pembuatan peranti frekuensi radio gelombang mikro galium nitrida, dan merupakan asas medan komunikasi tanpa wayar.

Ia merupakan komponen asas dalam bidang komunikasi tanpa wayar.

Substrat konduktif dan separa penebat silikon karbida digunakan dalam pelbagai peranti elektronik dan peranti kuasa, termasuk tetapi tidak terhad kepada yang berikut:

Peranti semikonduktor berkuasa tinggi (konduktif): Substrat silikon karbida mempunyai kekuatan medan pecahan dan kekonduksian terma yang tinggi, dan sesuai untuk pengeluaran transistor dan diod kuasa berkuasa tinggi serta peranti lain.

Peranti elektronik RF (separa bertebat): Substrat Silikon Karbida mempunyai kelajuan pensuisan dan toleransi kuasa yang tinggi, sesuai untuk aplikasi seperti penguat kuasa RF, peranti gelombang mikro dan suis frekuensi tinggi.

Peranti optoelektronik (separa bertebat): Substrat silikon karbida mempunyai jurang tenaga yang luas dan kestabilan terma yang tinggi, sesuai untuk membuat fotodiod, sel suria dan diod laser serta peranti lain.

Sensor suhu (konduktif): Substrat silikon karbida mempunyai kekonduksian terma dan kestabilan terma yang tinggi, sesuai untuk pengeluaran sensor suhu tinggi dan instrumen pengukuran suhu.

Proses pengeluaran dan aplikasi substrat konduktif dan separa penebat silikon karbida mempunyai pelbagai bidang dan potensi, memberikan kemungkinan baharu untuk pembangunan peranti elektronik dan peranti kuasa.