AlN pada FSS Templat AlN NPSS/FSS 2 inci 4 inci untuk kawasan semikonduktor

Penerangan Ringkas:

Wafer AlN pada FSS (Substrat Fleksibel) menawarkan kombinasi unik kekonduksian terma, kekuatan mekanikal dan sifat penebat elektrik Aluminium Nitrida (AlN) yang luar biasa, digandingkan dengan fleksibiliti substrat berprestasi tinggi. Wafer 2 inci dan 4 inci ini direka khusus untuk aplikasi semikonduktor termaju, terutamanya di mana pengurusan haba dan fleksibiliti peranti adalah kritikal. Dengan pilihan NPSS (Substrat Tidak Digilap) dan FSS (Substrat Fleksibel) sebagai asas, templat AlN ini sesuai untuk aplikasi dalam elektronik kuasa, peranti RF dan sistem elektronik fleksibel, di mana kekonduksian terma yang tinggi dan integrasi fleksibel adalah kunci untuk meningkatkan prestasi dan kebolehpercayaan peranti.

Hantar emel kepada kami

Ciri-ciri

Hartanah

Komposisi Bahan:
Aluminium Nitrida (AlN) – Lapisan seramik putih berprestasi tinggi yang memberikan kekonduksian terma yang sangat baik (biasanya 200-300 W/m·K), penebat elektrik yang baik dan kekuatan mekanikal yang tinggi.
Substrat Fleksibel (FSS) – Filem polimer fleksibel (seperti Polimida, PET, dll.) yang menawarkan ketahanan dan kebolehlenturan tanpa menjejaskan fungsi lapisan AlN.

Saiz Wafer Tersedia:
2 inci (50.8mm)
4 inci (100mm)

Ketebalan:
Lapisan AlN: 100-2000nm
Ketebalan Substrat FSS: 50µm-500µm (boleh disesuaikan berdasarkan keperluan)

Pilihan Kemasan Permukaan:
NPSS (Substrat Tidak Digilap) – Permukaan substrat yang tidak digilap, sesuai untuk aplikasi tertentu yang memerlukan profil permukaan yang lebih kasar untuk lekatan atau penyepaduan yang lebih baik.
FSS (Substrat Fleksibel) – Filem fleksibel yang digilap atau tidak digilap, dengan pilihan untuk permukaan licin atau bertekstur, bergantung pada keperluan aplikasi khusus.

Sifat Elektrik:
Penebat – Ciri-ciri penebat elektrik AlN menjadikannya sesuai untuk aplikasi semikonduktor voltan tinggi dan kuasa.
Pemalar Dielektrik: ~9.5
Kekonduksian Terma: 200-300 W/m·K (bergantung pada gred dan ketebalan AlN tertentu)

Sifat Mekanikal:
Fleksibiliti: AlN dimendapkan pada substrat fleksibel (FSS) yang membolehkan lenturan dan fleksibiliti.
Kekerasan Permukaan: AlN sangat tahan lama dan tahan kerosakan fizikal di bawah keadaan operasi biasa.

Aplikasi

Peranti Berkuasa TinggiSesuai untuk elektronik kuasa yang memerlukan pelesapan haba yang tinggi, seperti penukar kuasa, penguat RF dan modul LED berkuasa tinggi.

Komponen RF dan Ketuhar Gelombang MikroSesuai untuk komponen seperti antena, penapis dan resonator yang memerlukan kekonduksian terma dan fleksibiliti mekanikal.

Elektronik FleksibelSesuai untuk aplikasi yang mana peranti perlu mematuhi permukaan bukan satah atau memerlukan reka bentuk yang ringan dan fleksibel (cth., peranti boleh pakai, sensor fleksibel).

Pembungkusan SemikonduktorDigunakan sebagai substrat dalam pembungkusan semikonduktor, menawarkan pelesapan haba dalam aplikasi yang menghasilkan haba yang tinggi.

LED dan OptoelektronikUntuk peranti yang memerlukan operasi suhu tinggi dengan pelesapan haba yang teguh.

Jadual Parameter

Hartanah	Nilai atau Julat
Saiz Wafer	2 inci (50.8mm), 4 inci (100mm)
Ketebalan Lapisan AlN	100nm – 2000nm
Ketebalan Substrat FSS	50µm – 500µm (boleh disesuaikan)
Kekonduksian Terma	200 – 300 W/m·K
Hartanah Elektrik	Penebat (Pemalar Dielektrik: ~9.5)
Kemasan Permukaan	Digilap atau Tidak Digilap
Jenis Substrat	NPSS (Substrat Tidak Digilap), FSS (Substrat Fleksibel)
Fleksibiliti Mekanikal	Fleksibiliti tinggi, sesuai untuk elektronik fleksibel
Warna	Putih hingga Putih Pudar (bergantung pada substrat)

Aplikasi

●Elektronik Kuasa:Gabungan kekonduksian terma yang tinggi dan fleksibiliti menjadikan wafer ini sesuai untuk peranti kuasa seperti penukar kuasa, transistor dan pengawal selia voltan yang memerlukan pelesapan haba yang cekap.
●Peranti RF/Ketuhar Gelombang Mikro:Disebabkan oleh sifat terma AlN yang unggul dan kekonduksian elektrik yang rendah, wafer ini digunakan dalam komponen RF seperti penguat, pengayun dan antena.
●Elektronik Fleksibel:Fleksibiliti lapisan FSS yang digabungkan dengan pengurusan haba AlN yang cemerlang menjadikannya pilihan ideal untuk elektronik dan sensor yang boleh pakai.
●Pembungkusan Semikonduktor:Digunakan untuk pembungkusan semikonduktor berprestasi tinggi yang mana pelesapan dan kebolehpercayaan haba yang berkesan adalah kritikal.
●Aplikasi LED & Optoelektronik:Aluminium Nitrida ialah bahan yang sangat baik untuk pembungkusan LED dan peranti optoelektronik lain yang memerlukan rintangan haba yang tinggi.

Soal Jawab (Soalan Lazim)

S1: Apakah faedah menggunakan AlN pada wafer FSS?

A1Wafer AlN pada FSS menggabungkan kekonduksian terma dan sifat penebat elektrik AlN yang tinggi dengan fleksibiliti mekanikal substrat polimer. Ini membolehkan pelesapan haba yang lebih baik dalam sistem elektronik fleksibel sambil mengekalkan integriti peranti di bawah keadaan lenturan dan regangan.

S2: Apakah saiz yang tersedia untuk AlN pada wafer FSS?

A2: Kami menawarkan2 incidan4 incisaiz wafer. Saiz tersuai boleh dibincangkan atas permintaan untuk memenuhi keperluan aplikasi khusus anda.

S3: Bolehkah saya menyesuaikan ketebalan lapisan AlN?

A3Ya, ituKetebalan lapisan AlNboleh disesuaikan, dengan julat tipikal dari100nm hingga 2000nmbergantung pada keperluan aplikasi anda.