Substrat wafer epitaksi berkuasa tinggi GaAs galium arsenida kuasa wafer panjang gelombang laser 905nm untuk rawatan perubatan laser
Ciri-ciri utama helaian epitaksi laser GaAs termasuk:
1. Mobiliti elektron tinggi: Galium arsenida mempunyai mobiliti elektron yang tinggi, yang menjadikan wafer epitaksi laser GaAs mempunyai aplikasi yang baik dalam peranti frekuensi tinggi dan peranti elektronik berkelajuan tinggi.
2. Pendarfluor peralihan celah jalur langsung: Sebagai bahan celah jalur langsung, galium arsenida boleh menukar tenaga elektrik kepada tenaga cahaya dengan cekap dalam peranti optoelektronik, menjadikannya sesuai untuk pembuatan laser.
3. Panjang Gelombang: Laser GaAs 905 biasanya beroperasi pada 905 nm, menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi, termasuk bioperubatan.
4. Kecekapan tinggi: dengan kecekapan penukaran fotoelektrik yang tinggi, ia boleh menukar tenaga elektrik kepada output laser dengan berkesan.
5. Output kuasa tinggi: Ia boleh mencapai output kuasa tinggi dan sesuai untuk senario aplikasi yang memerlukan sumber cahaya yang kuat.
6. Prestasi terma yang baik: Bahan GaAs mempunyai kekonduksian terma yang baik, membantu mengurangkan suhu operasi laser dan meningkatkan kestabilan.
7. Kebolehtalaan luas: Kuasa output boleh dilaraskan dengan menukar arus pemacu untuk menyesuaikan diri dengan keperluan aplikasi yang berbeza.
Aplikasi utama tablet epitaksial laser GaAs termasuk:
1. Komunikasi gentian optik: Lembaran epitaksi laser GaAs boleh digunakan untuk mengeluarkan laser dalam komunikasi gentian optik bagi mencapai penghantaran isyarat optik berkelajuan tinggi dan jarak jauh.
2. Aplikasi perindustrian: Dalam bidang perindustrian, kepingan epitaksi laser GaAs boleh digunakan untuk julat laser, penandaan laser dan aplikasi lain.
3. VCSEL: Laser pemancar permukaan rongga menegak (VCSEL) merupakan bidang aplikasi penting bagi helaian epitaksi laser GaAs, yang digunakan secara meluas dalam komunikasi optik, penyimpanan optik dan penderiaan optik.
4. Medan inframerah dan bintik: Lembaran epitaksi laser GaAs juga boleh digunakan untuk mengeluarkan laser inframerah, penjana bintik dan peranti lain, memainkan peranan penting dalam pengesanan inframerah, paparan cahaya dan medan lain.
Penyediaan lembaran epitaksial laser GaAs bergantung terutamanya pada teknologi pertumbuhan epitaksial, termasuk pemendapan wap kimia logam-organik (MOCVD), epitaksial pancaran molekul (MBE) dan kaedah lain. Teknik-teknik ini dapat mengawal ketebalan, komposisi dan struktur kristal lapisan epitaksial dengan tepat untuk mendapatkan lembaran epitaksial laser GaAs yang berkualiti tinggi.
XKH menawarkan penyesuaian kepingan epitaksi GaAs dalam struktur dan ketebalan yang berbeza, meliputi pelbagai aplikasi dalam komunikasi optik, VCSEL, inframerah dan medan titik cahaya. Produk XKH dihasilkan dengan peralatan MOCVD canggih untuk memastikan prestasi dan kebolehpercayaan yang tinggi. Dari segi logistik, XKH mempunyai pelbagai saluran sumber antarabangsa, yang boleh mengendalikan bilangan pesanan secara fleksibel, dan menyediakan perkhidmatan nilai tambah seperti penghalusan dan pembahagian. Proses penghantaran yang cekap memastikan penghantaran tepat pada masanya dan memenuhi keperluan pelanggan untuk kualiti dan masa penghantaran. Pelanggan boleh mendapatkan sokongan teknikal yang komprehensif dan perkhidmatan selepas jualan selepas ketibaan untuk memastikan produk digunakan dengan lancar.
Gambarajah Terperinci



