Galium Nitrida pada wafer Silikon 4 inci 6 inci Orientasi Substrat Si Tersuai, Kerintangan dan Pilihan Jenis-N/Jenis-P

Penerangan Ringkas:

Wafer Galium Nitrida pada Silikon (GaN-on-Si) Tersuai kami direka bentuk untuk memenuhi permintaan aplikasi elektronik frekuensi tinggi dan berkuasa tinggi yang semakin meningkat. Terdapat dalam saiz wafer 4 inci dan 6 inci, wafer ini menawarkan pilihan penyesuaian untuk orientasi substrat Si, kerintangan dan jenis pendopan (jenis-N/jenis-P) untuk memenuhi keperluan aplikasi tertentu. Teknologi GaN-on-Si menggabungkan kelebihan galium nitrida (GaN) dengan substrat silikon (Si) berkos rendah, membolehkan pengurusan haba yang lebih baik, kecekapan yang lebih tinggi dan kelajuan pensuisan yang lebih pantas. Dengan jurang jalur yang luas dan rintangan elektrik yang rendah, wafer ini sesuai untuk penukaran kuasa, aplikasi RF dan sistem pemindahan data berkelajuan tinggi.

Hantar emel kepada kami

Ciri-ciri

●Jurang Jalur Lebar:GaN (3.4 eV) memberikan peningkatan ketara dalam prestasi frekuensi tinggi, kuasa tinggi dan suhu tinggi berbanding silikon tradisional, menjadikannya sesuai untuk peranti kuasa dan penguat RF.
●Orientasi Substrat Si Boleh Disesuaikan:Pilih daripada orientasi substrat Si yang berbeza seperti <111>, <100> dan lain-lain untuk memadankan keperluan peranti tertentu.
●Kerintangan Tersuai:Pilih antara pilihan kerintangan yang berbeza untuk Si, daripada separa penebat kepada kerintangan tinggi dan kerintangan rendah untuk mengoptimumkan prestasi peranti.
●Jenis Doping:Tersedia dalam pendopan jenis-N atau jenis-P untuk dipadankan dengan keperluan peranti kuasa, transistor RF atau LED.
●Voltan Kerosakan Tinggi:Wafer GaN-on-Si mempunyai voltan kerosakan yang tinggi (sehingga 1200V), membolehkannya mengendalikan aplikasi voltan tinggi.
●Kelajuan Penukaran Lebih Pantas:GaN mempunyai mobiliti elektron yang lebih tinggi dan kehilangan pensuisan yang lebih rendah berbanding silikon, menjadikan wafer GaN-on-Si sesuai untuk litar berkelajuan tinggi.
●Prestasi Terma yang Dipertingkatkan:Walaupun kekonduksian terma silikon rendah, GaN-on-Si masih menawarkan kestabilan terma yang unggul, dengan pelesapan haba yang lebih baik berbanding peranti silikon tradisional.

Spesifikasi Teknikal

Parameter	Nilai
Saiz Wafer	4 inci, 6 inci
Orientasi Substrat Si	<111>, <100>, tersuai
Kerintangan Si	Kerintangan tinggi, Separa penebat, Kerintangan rendah
Jenis Doping	Jenis-N, jenis-P
Ketebalan Lapisan GaN	100 nm – 5000 nm (boleh disesuaikan)
Lapisan Penghalang AlGaN	24% – 28% Al (biasanya 10-20 nm)
Voltan Kerosakan	600V – 1200V
Mobiliti Elektron	2000 cm²/V·s
Frekuensi Penukaran	Sehingga 18 GHz
Kekasaran Permukaan Wafer	RMS ~0.25 nm (AFM)
Rintangan Lembaran GaN	437.9 Ω·cm²
Warp Wafer Jumlah	< 25 µm (maksimum)
Kekonduksian Terma	1.3 – 2.1 W/cm·K

Aplikasi

Elektronik KuasaGaN-on-Si sesuai untuk elektronik kuasa seperti penguat kuasa, penukar dan penyongsang yang digunakan dalam sistem tenaga boleh diperbaharui, kenderaan elektrik (EV) dan peralatan perindustrian. Voltan kerosakan yang tinggi dan rintangan aktif yang rendah memastikan penukaran kuasa yang cekap, walaupun dalam aplikasi berkuasa tinggi.

Komunikasi RF dan Ketuhar Gelombang MikroWafer GaN-on-Si menawarkan keupayaan frekuensi tinggi, menjadikannya sesuai untuk penguat kuasa RF, komunikasi satelit, sistem radar dan teknologi 5G. Dengan kelajuan pensuisan yang lebih tinggi dan keupayaan untuk beroperasi pada frekuensi yang lebih tinggi (sehingga18 GHz), peranti GaN menawarkan prestasi unggul dalam aplikasi ini.

Elektronik AutomotifGaN-on-Si digunakan dalam sistem kuasa automotif, termasukpengecas atas kapal (OBC)danPenukar DC-DCKeupayaannya untuk beroperasi pada suhu yang lebih tinggi dan menahan tahap voltan yang lebih tinggi menjadikannya sesuai untuk aplikasi kenderaan elektrik yang memerlukan penukaran kuasa yang teguh.

LED dan OptoelektronikGaN ialah bahan pilihan untuk LED biru dan putihWafer GaN-on-Si digunakan untuk menghasilkan sistem pencahayaan LED berkecekapan tinggi, memberikan prestasi cemerlang dalam pencahayaan, teknologi paparan dan komunikasi optik.

Soal Jawab

S1: Apakah kelebihan GaN berbanding silikon dalam peranti elektronik?

A1:GaN mempunyaijurang jalur yang lebih luas (3.4 eV)berbanding silikon (1.1 eV), yang membolehkannya menahan voltan dan suhu yang lebih tinggi. Sifat ini membolehkan GaN mengendalikan aplikasi berkuasa tinggi dengan lebih cekap, mengurangkan kehilangan kuasa dan meningkatkan prestasi sistem. GaN juga menawarkan kelajuan pensuisan yang lebih pantas, yang penting untuk peranti frekuensi tinggi seperti penguat RF dan penukar kuasa.

S2: Bolehkah saya menyesuaikan orientasi substrat Si untuk aplikasi saya?

A2:Ya, kami menawarkanorientasi substrat Si yang boleh disesuaikanseperti<111>, <100>, dan orientasi lain bergantung pada keperluan peranti anda. Orientasi substrat Si memainkan peranan penting dalam prestasi peranti, termasuk ciri elektrik, kelakuan terma dan kestabilan mekanikal.

S3: Apakah faedah menggunakan wafer GaN-on-Si untuk aplikasi frekuensi tinggi?

A3:Wafer GaN-on-Si menawarkan kelebihankelajuan bertukar, membolehkan operasi lebih pantas pada frekuensi yang lebih tinggi berbanding silikon. Ini menjadikannya sesuai untukRFdanketuhar gelombang mikroaplikasi, serta frekuensi tinggiperanti kuasasepertiHEMT(Transistor Mobiliti Elektron Tinggi) danPenguat RFMobiliti elektron GaN yang lebih tinggi juga mengakibatkan kehilangan pensuisan yang lebih rendah dan kecekapan yang lebih baik.

S4: Apakah pilihan pendopan yang tersedia untuk wafer GaN-on-Si?

A4:Kami menawarkan kedua-duanyaJenis-NdanJenis-Ppilihan pendopan, yang biasanya digunakan untuk pelbagai jenis peranti semikonduktor.Doping jenis-Nsesuai untuktransistor kuasadanPenguat RF, sementaraDoping jenis-Psering digunakan untuk peranti optoelektronik seperti LED.

Kesimpulan

Wafer Galium Nitrida pada Silikon (GaN-pada-Si) Tersuai kami menyediakan penyelesaian ideal untuk aplikasi frekuensi tinggi, kuasa tinggi dan suhu tinggi. Dengan orientasi substrat Si yang boleh disesuaikan, kerintangan dan pendopan jenis-N/jenis-P, wafer ini disesuaikan untuk memenuhi keperluan khusus industri daripada elektronik kuasa dan sistem automotif kepada komunikasi RF dan teknologi LED. Memanfaatkan sifat unggul GaN dan kebolehskalaan silikon, wafer ini menawarkan prestasi, kecekapan dan ketahanan masa depan yang dipertingkatkan untuk peranti generasi akan datang.