English

SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch

SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch Featured Image
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch

Penerangan Ringkas:

Kami menawarkan pelbagai pilihan wafer SiC (Silikon Karbida) berkualiti tinggi, dengan tumpuan khusus pada wafer jenis-N 4H-N dan 6H-N, yang sesuai untuk aplikasi dalam optoelektronik canggih, peranti kuasa dan persekitaran suhu tinggi. Wafer jenis-N ini dikenali dengan kekonduksian terma yang luar biasa, kestabilan elektrik yang luar biasa dan ketahanan yang luar biasa, menjadikannya sesuai untuk aplikasi berprestasi tinggi seperti elektronik kuasa, sistem pemacu kenderaan elektrik, penyongsang tenaga boleh diperbaharui dan bekalan kuasa perindustrian. Selain tawaran jenis-N kami, kami juga menyediakan wafer jenis-P 4H/6H-P dan 3C SiC untuk keperluan khusus, termasuk peranti frekuensi tinggi dan RF, serta aplikasi fotonik. Wafer kami tersedia dalam saiz antara 2 inci hingga 8 inci dan kami menyediakan penyelesaian yang disesuaikan untuk memenuhi keperluan khusus pelbagai sektor perindustrian. Untuk maklumat lanjut atau pertanyaan, sila hubungi kami.


Ciri-ciri

Hartanah

4H-N dan 6H-N (Wafer SiC jenis-N)

Permohonan:Terutamanya digunakan dalam elektronik kuasa, optoelektronik dan aplikasi suhu tinggi.

Julat Diameter:50.8 mm hingga 200 mm.

Ketebalan:350 μm ± 25 μm, dengan ketebalan pilihan 500 μm ± 25 μm.

Kerintangan:Jenis-N 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·cm (gred-Z), ≤ 0.3 Ω·cm (gred-P); Jenis-N 3C-N: ≤ 0.8 mΩ·cm (gred-Z), ≤ 1 mΩ·cm (gred-P).

Kekasaran:Ra ≤ 0.2 nm (CMP atau MP).

Ketumpatan Mikropaip (MPD):< 1 setiap satu/cm².

TTV: ≤ 10 μm untuk semua diameter.

Meledingkan: ≤ 30 μm (≤ 45 μm untuk wafer 8 inci).

Pengecualian Tepi:3 mm hingga 6 mm bergantung pada jenis wafer.

Pembungkusan:Kaset berbilang wafer atau bekas wafer tunggal.

Saiz lain yang tersedia 3 inci 4 inci 6 inci 8 inci

HPSI (Wafer SiC Separa Penebat Ketulenan Tinggi)

Permohonan:Digunakan untuk peranti yang memerlukan rintangan tinggi dan prestasi yang stabil, seperti peranti RF, aplikasi fotonik dan sensor.

Julat Diameter:50.8 mm hingga 200 mm.

Ketebalan:Ketebalan standard 350 μm ± 25 μm dengan pilihan untuk wafer yang lebih tebal sehingga 500 μm.

Kekasaran:Ra ≤ 0.2 nm.

Ketumpatan Mikropaip (MPD): ≤ 1 setiap satu/cm².

Kerintangan:Rintangan tinggi, biasanya digunakan dalam aplikasi separa penebat.

Meledingkan: ≤ 30 μm (untuk saiz yang lebih kecil), ≤ 45 μm untuk diameter yang lebih besar.

TTV: ≤ 10 µm.

Saiz lain yang tersedia 3 inci 4 inci 6 inci 8 inci

4H-P、6H-P&3C Wafer SiC(Wafer SiC jenis-P)

Permohonan:Terutamanya untuk peranti kuasa dan frekuensi tinggi.

Julat Diameter:50.8 mm hingga 200 mm.

Ketebalan:350 μm ± 25 μm atau pilihan tersuai.

Kerintangan:Jenis-P 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·cm (gred-Z), ≤ 0.3 Ω·cm (gred-P).

Kekasaran:Ra ≤ 0.2 nm (CMP atau MP).

Ketumpatan Mikropaip (MPD):< 1 setiap satu/cm².

TTV: ≤ 10 µm.

Pengecualian Tepi:3 mm hingga 6 mm.

Meledingkan: ≤ 30 μm untuk saiz yang lebih kecil, ≤ 45 μm untuk saiz yang lebih besar.

Saiz lain yang tersedia 3 inci 4 inci 6 inci5×5 10×10

Jadual Parameter Data Separa

Hartanah

2 inci

3 inci

4 inci

6 inci

8 inci

Jenis

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Diameter

50.8 ± 0.3 mm

76.2±0.3mm

100±0.3mm

150±0.3mm

200 ± 0.3 mm

Ketebalan

330 ± 25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350±25um；

500±25um

500±25um

500±25um

500±25um

atau disesuaikan

atau disesuaikan

atau disesuaikan

atau disesuaikan

atau disesuaikan

Kekasaran

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Meledingkan

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤45um

TTV

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

Gores/Gali

CMP/MP

MPD

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

Bentuk

Bulat, Rata 16mm; panjang 22mm; panjang 30/32.5mm; panjang 47.5mm; takuk; takik;

Serong

45°, Spesifikasi SEMI; Bentuk C

 Gred

Gred pengeluaran untuk MOS&SBD; Gred penyelidikan; Gred dummy, Gred wafer benih

Catatan

Diameter, Ketebalan, Orientasi, spesifikasi di atas boleh disesuaikan atas permintaan anda

 

Aplikasi

·Elektronik Kuasa

Wafer SiC jenis N adalah penting dalam peranti elektronik kuasa kerana keupayaannya untuk mengendalikan voltan tinggi dan arus tinggi. Ia biasanya digunakan dalam penukar kuasa, penyongsang dan pemacu motor untuk industri seperti tenaga boleh diperbaharui, kenderaan elektrik dan automasi perindustrian.

· Optoelektronik
Bahan SiC jenis N, terutamanya untuk aplikasi optoelektronik, digunakan dalam peranti seperti diod pemancar cahaya (LED) dan diod laser. Kekonduksian terma yang tinggi dan jurang jalur yang lebar menjadikannya sesuai untuk peranti optoelektronik berprestasi tinggi.

·Aplikasi Suhu Tinggi
Wafer 4H-N 6H-N SiC sangat sesuai untuk persekitaran suhu tinggi, seperti dalam sensor dan peranti kuasa yang digunakan dalam aplikasi aeroangkasa, automotif dan perindustrian di mana pelesapan haba dan kestabilan pada suhu tinggi adalah kritikal.

·Peranti RF
Wafer 4H-N 6H-N SiC digunakan dalam peranti frekuensi radio (RF) yang beroperasi dalam julat frekuensi tinggi. Ia digunakan dalam sistem komunikasi, teknologi radar dan komunikasi satelit, yang memerlukan kecekapan dan prestasi kuasa yang tinggi.

·Aplikasi Fotonik
Dalam fotonik, wafer SiC digunakan untuk peranti seperti fotodetektor dan modulator. Sifat unik bahan ini membolehkannya berkesan dalam penjanaan cahaya, modulasi dan pengesanan dalam sistem komunikasi optik dan peranti pengimejan.

·Sensor
Wafer SiC digunakan dalam pelbagai aplikasi sensor, terutamanya dalam persekitaran yang keras di mana bahan lain mungkin gagal. Ini termasuk sensor suhu, tekanan dan kimia, yang penting dalam bidang seperti automotif, minyak & gas dan pemantauan alam sekitar.

·Sistem Pemacu Kenderaan Elektrik
Teknologi SiC memainkan peranan penting dalam kenderaan elektrik dengan meningkatkan kecekapan dan prestasi sistem pemacu. Dengan semikonduktor kuasa SiC, kenderaan elektrik boleh mencapai hayat bateri yang lebih baik, masa pengecasan yang lebih pantas dan kecekapan tenaga yang lebih tinggi.

·Sensor Termaju dan Penukar Fotonik
Dalam teknologi sensor canggih, wafer SiC digunakan untuk menghasilkan sensor berketepatan tinggi untuk aplikasi dalam robotik, peranti perubatan dan pemantauan alam sekitar. Dalam penukar fotonik, sifat SiC dieksploitasi untuk membolehkan penukaran tenaga elektrik kepada isyarat optik yang cekap, yang penting dalam telekomunikasi dan infrastruktur internet berkelajuan tinggi.

Soal Jawab

QApakah 4H dalam 4H SiC?
A："4H" dalam 4H SiC merujuk kepada struktur kristal silikon karbida, khususnya bentuk heksagon dengan empat lapisan (H). "H" menunjukkan jenis politip heksagon, membezakannya daripada politip SiC lain seperti 6H atau 3C.

Q：Apakah kekonduksian terma bagi 4H-SiC?
AKekonduksian terma 4H-SiC (Silikon Karbida) adalah lebih kurang 490-500 W/m·K pada suhu bilik. Kekonduksian terma yang tinggi ini menjadikannya sesuai untuk aplikasi dalam elektronik kuasa dan persekitaran suhu tinggi, di mana pelesapan haba yang cekap adalah penting.

  • Sebelumnya:
  • Seterusnya:

    • Produk Berkaitan

    Tulis mesej anda di sini dan hantarkannya kepada kami
    Tekan enter untuk mencari atau ESC untuk menutup