Wafer Silikon Karbida 2 inci Substrat SiC Jenis-N atau Separa Penebat 6H atau 4H
Produk yang Disyorkan
Wafer SiC 4H jenis-N
Diameter: 2 inci 50.8mm | 4 inci 100mm | 6 inci 150mm
Orientasi: luar paksi 4.0˚ ke arah <1120> ± 0.5˚
Kerintangan: < 0.1 ohm.cm
Kekasaran: Si-muka CMP Ra <0.5nm, pengilat optik C-muka Ra <1 nm
Wafer SiC 4H Separa penebat
Diameter: 2 inci 50.8mm | 4 inci 100mm | 6 inci 150mm
Orientasi: pada paksi {0001} ± 0.25˚
Kerintangan: >1E5 ohm.cm
Kekasaran: Si-muka CMP Ra <0.5nm, pengilat optik C-muka Ra <1 nm
1. Infrastruktur 5G -- bekalan kuasa komunikasi
Bekalan kuasa komunikasi merupakan pangkalan tenaga untuk komunikasi pelayan dan stesen pangkalan. Ia membekalkan tenaga elektrik untuk pelbagai peralatan penghantaran bagi memastikan operasi sistem komunikasi yang normal.
2. Timbunan pengecasan kenderaan tenaga baharu -- modul kuasa timbunan pengecasan
Kecekapan tinggi dan kuasa tinggi modul kuasa longgokan pengecasan boleh direalisasikan dengan menggunakan silikon karbida dalam modul kuasa longgokan pengecasan, untuk meningkatkan kelajuan pengecasan dan mengurangkan kos pengecasan.
3. Pusat data besar, Internet Perindustrian -- bekalan kuasa pelayan
Bekalan kuasa pelayan ialah pustaka tenaga pelayan. Pelayan membekalkan kuasa untuk memastikan operasi normal sistem pelayan. Penggunaan komponen kuasa silikon karbida dalam bekalan kuasa pelayan boleh meningkatkan ketumpatan kuasa dan kecekapan bekalan kuasa pelayan, mengurangkan isipadu pusat data secara keseluruhan, mengurangkan kos pembinaan keseluruhan pusat data, dan mencapai kecekapan alam sekitar yang lebih tinggi.
4. Uhv - Aplikasi pemutus litar DC penghantaran fleksibel
5. Rel berkelajuan tinggi antara bandar dan transit rel antara bandar -- penukar daya tarikan, transformer elektronik kuasa, penukar tambahan, bekalan kuasa tambahan
Spesifikasi
Gambarajah Terperinci




