Pada masa ini, syarikat kami boleh terus membekalkan kumpulan kecil wafer SiC jenis 8inchN, jika anda mempunyai keperluan sampel, sila hubungi saya.Kami mempunyai beberapa sampel wafer sedia untuk dihantar.
Dalam bidang bahan semikonduktor, syarikat telah membuat satu kejayaan besar dalam penyelidikan dan pembangunan kristal SiC bersaiz besar.Dengan menggunakan kristal benihnya sendiri selepas beberapa pusingan pembesaran diameter, syarikat telah berjaya mengembangkan kristal SiC jenis N 8 inci, yang menyelesaikan masalah sukar seperti medan suhu tidak sekata, keretakan kristal dan pengedaran bahan mentah fasa gas dalam proses pertumbuhan Kristal SIC 8-inci, dan mempercepatkan pertumbuhan kristal SIC bersaiz besar dan teknologi pemprosesan autonomi dan boleh dikawal.Sangat meningkatkan daya saing teras syarikat dalam industri substrat kristal tunggal SiC.Pada masa yang sama, syarikat itu secara aktif menggalakkan pengumpulan teknologi dan proses garis eksperimen penyediaan substrat silikon karbida saiz besar, mengukuhkan pertukaran teknikal dan kerjasama industri dalam bidang huluan dan hiliran, dan bekerjasama dengan pelanggan untuk sentiasa melelang prestasi produk, dan bersama-sama menggalakkan kepantasan penggunaan industri bahan silikon karbida.
| Spesifikasi SiC DSP jenis N 8 inci | |||||
| Nombor | item | Unit | Pengeluaran | Penyelidikan | Dummy |
| 1. Parameter | |||||
| 1.1 | polytype | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientasi permukaan | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. Parameter elektrik | |||||
| 2.1 | dopan | -- | Nitrogen jenis-n | Nitrogen jenis-n | Nitrogen jenis-n |
| 2.2 | kerintangan | ohm ·cm | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3. Parameter mekanikal | |||||
| 3.1 | diameter | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | ketebalan | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientasi takuk | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Kedalaman Takik | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Tunduk | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | meledingkan | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Struktur | |||||
| 4.1 | ketumpatan paip mikro | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | kandungan logam | atom/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Kualiti positif | |||||
| 5.1 | hadapan | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | kemasan permukaan | -- | CMP muka Si | CMP muka Si | CMP muka Si |
| 5.3 | zarah | ea/wafer | ≤100(saiz≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | calar | ea/wafer | ≤5, Jumlah Panjang≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Hujung cip/inden/rekahan/noda/kontaminasi | -- | tiada | tiada | NA |
| 5.6 | Kawasan politaip | -- | tiada | Kawasan ≤10% | Kawasan ≤30% |
| 5.7 | penandaan hadapan | -- | tiada | tiada | tiada |
| 6. Kualiti belakang | |||||
| 6.1 | kemasan belakang | -- | Ahli Parlimen muka C | Ahli Parlimen muka C | Ahli Parlimen muka C |
| 6.2 | calar | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Tepi kecacatan belakang cip/inden | -- | tiada | tiada | NA |
| 6.4 | Kekasaran belakang | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Penandaan belakang | -- | Takik | Takik | Takik |
| 7. Tepi | |||||
| 7.1 | hujung | -- | Chamfer | Chamfer | Chamfer |
| 8. Pakej | |||||
| 8.1 | pembungkusan | -- | Epi-sedia dengan vakum pembungkusan | Epi-sedia dengan vakum pembungkusan | Epi-sedia dengan vakum pembungkusan |
| 8.2 | pembungkusan | -- | Berbilang wafer pembungkusan kaset | Berbilang wafer pembungkusan kaset | Berbilang wafer pembungkusan kaset |
Masa siaran: Apr-18-2023