Pada 26hb, Power Cube Semi mengumumkan kejayaan pembangunan semikonduktor MOSFET 2300V SiC (Silicon Carbide) pertama Korea Selatan.
Berbanding dengan semikonduktor berasaskan Si (Silikon) sedia ada, SiC (Silicon Carbide) boleh menahan voltan yang lebih tinggi, justeru dipuji sebagai peranti generasi akan datang menerajui masa depan semikonduktor kuasa.Ia berfungsi sebagai komponen penting yang diperlukan untuk memperkenalkan teknologi termaju, seperti percambahan kenderaan elektrik dan pengembangan pusat data yang didorong oleh kecerdasan buatan.
Power Cube Semi ialah syarikat fabless yang membangunkan peranti semikonduktor kuasa dalam tiga kategori utama: SiC (Silicon Carbide), Si (Silicon), dan Ga2O3 (Gallium Oxide).Baru-baru ini, syarikat itu menggunakan dan menjual Schottky Barrier Diodes (SBD) berkapasiti tinggi kepada sebuah syarikat kenderaan elektrik global di China, mendapat pengiktirafan untuk reka bentuk dan teknologi semikonduktornya.
Pengeluaran MOSFET SiC 2300V patut diberi perhatian sebagai kes pembangunan yang pertama di Korea Selatan.Infineon, sebuah syarikat semikonduktor kuasa global yang berpangkalan di Jerman, turut mengumumkan pelancaran produk 2000Vnya pada bulan Mac, tetapi tanpa barisan produk 2300V.
MOSFET CoolSiC 2000V Infineon, menggunakan pakej TO-247PLUS-4-HCC, memenuhi permintaan untuk peningkatan ketumpatan kuasa dalam kalangan pereka, memastikan kebolehpercayaan sistem walaupun dalam keadaan voltan tinggi dan frekuensi pensuisan yang ketat.
MOSFET CoolSiC menawarkan voltan pautan arus terus yang lebih tinggi, membolehkan peningkatan kuasa tanpa meningkatkan arus.Ia adalah peranti karbida silikon diskret pertama di pasaran dengan voltan pecahan 2000V, menggunakan pakej TO-247PLUS-4-HCC dengan jarak rayapan 14mm dan kelegaan 5.4mm.Peranti ini menampilkan kehilangan pensuisan yang rendah dan sesuai untuk aplikasi seperti penyongsang rentetan solar, sistem storan tenaga dan pengecasan kenderaan elektrik.
Siri produk CoolSiC MOSFET 2000V sesuai untuk sistem bas DC voltan tinggi sehingga 1500V DC.Berbanding dengan MOSFET SiC 1700V, peranti ini menyediakan margin voltan lampau yang mencukupi untuk sistem DC 1500V.MOSFET CoolSiC menawarkan voltan ambang 4.5V dan dilengkapi dengan diod badan yang teguh untuk penukaran keras.Dengan teknologi sambungan .XT, komponen ini menawarkan prestasi terma yang sangat baik dan rintangan kelembapan yang kuat.
Sebagai tambahan kepada MOSFET CoolSiC 2000V, Infineon tidak lama lagi akan melancarkan diod CoolSiC pelengkap yang dibungkus dalam pakej TO-247PLUS 4-pin dan TO-247-2 pada suku ketiga 2024 dan suku terakhir 2024, masing-masing.Diod ini amat sesuai untuk aplikasi solar.Kombinasi produk pemacu gerbang yang sepadan juga tersedia.
Siri produk CoolSiC MOSFET 2000V kini boleh didapati di pasaran.Tambahan pula, Infineon menawarkan papan penilaian yang sesuai: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Pembangun boleh menggunakan papan ini sebagai platform ujian am yang tepat untuk menilai semua MOSFET dan diod CoolSiC yang dinilai pada 2000V, serta pemacu pintu pengasingan saluran tunggal padat EiceDRIVER 1ED31xx siri produk melalui dwi-nadi atau operasi PWM berterusan.
Gung Shin-soo, Ketua Pegawai Teknologi Power Cube Semi, menyatakan, "Kami dapat melanjutkan pengalaman sedia ada kami dalam pembangunan dan pengeluaran besar-besaran 1700V SiC MOSFET kepada 2300V.
Masa siaran: Apr-08-2024