Wafer SiC ialah semikonduktor yang diperbuat daripada silikon karbida.Bahan ini telah dibangunkan pada tahun 1893 dan sesuai untuk pelbagai aplikasi.Terutamanya sesuai untuk diod Schottky, diod penghalang simpang Schottky, suis dan transistor kesan medan logam-oksida-separa pengalir.Oleh kerana kekerasannya yang tinggi, ia adalah pilihan yang sangat baik untuk komponen elektronik kuasa.
Pada masa ini, terdapat dua jenis utama wafer SiC.Yang pertama ialah wafer yang digilap, iaitu wafer silikon karbida tunggal.Ia diperbuat daripada kristal SiC ketulenan tinggi dan boleh berdiameter 100mm atau 150mm.Ia digunakan dalam peranti elektronik berkuasa tinggi.Jenis kedua ialah wafer silikon karbida kristal epitaxial.Wafer jenis ini dibuat dengan menambahkan satu lapisan kristal silikon karbida ke permukaan.Kaedah ini memerlukan kawalan yang tepat terhadap ketebalan bahan dan dikenali sebagai epitaksi jenis-N.
Jenis seterusnya ialah beta silikon karbida.Beta SiC dihasilkan pada suhu melebihi 1700 darjah Celsius.Alfa karbida adalah yang paling biasa dan mempunyai struktur kristal heksagon yang serupa dengan wurtzite.Bentuk beta adalah serupa dengan berlian dan digunakan dalam beberapa aplikasi.Ia sentiasa menjadi pilihan pertama untuk produk separuh siap kuasa kenderaan elektrik.Beberapa pembekal wafer silikon karbida pihak ketiga sedang mengusahakan bahan baharu ini.
Wafer SiC ZMSH adalah bahan semikonduktor yang sangat popular.Ia adalah bahan semikonduktor berkualiti tinggi yang sangat sesuai untuk banyak aplikasi.Wafer silikon karbida ZMSH adalah bahan yang sangat berguna untuk pelbagai peranti elektronik.ZMSH membekalkan pelbagai jenis wafer dan substrat SiC berkualiti tinggi.Ia boleh didapati dalam bentuk N-jenis dan separa terlindung.
2---Silicon Carbide: Ke arah era baru wafer
Sifat fizikal dan ciri silikon karbida
Silikon karbida mempunyai struktur kristal khas, menggunakan struktur padat heksagon yang serupa dengan berlian.Struktur ini membolehkan silikon karbida mempunyai kekonduksian haba yang sangat baik dan rintangan suhu tinggi.Berbanding dengan bahan silikon tradisional, silikon karbida mempunyai lebar jurang jalur yang lebih besar, yang memberikan jarak jalur elektron yang lebih tinggi, menghasilkan mobiliti elektron yang lebih tinggi dan arus bocor yang lebih rendah.Selain itu, silikon karbida juga mempunyai kelajuan hanyutan tepu elektron yang lebih tinggi dan kerintangan bahan yang lebih rendah, memberikan prestasi yang lebih baik untuk aplikasi kuasa tinggi.
Kes aplikasi dan prospek wafer silikon karbida
Aplikasi elektronik kuasa
Wafer silikon karbida mempunyai prospek aplikasi yang luas dalam bidang elektronik kuasa.Disebabkan mobiliti elektronnya yang tinggi dan kekonduksian terma yang sangat baik, wafer SIC boleh digunakan untuk mengeluarkan peranti pensuisan ketumpatan kuasa tinggi, seperti modul kuasa untuk kenderaan elektrik dan penyongsang solar.Kestabilan suhu tinggi wafer silikon karbida membolehkan peranti ini beroperasi dalam persekitaran suhu tinggi, memberikan kecekapan dan kebolehpercayaan yang lebih tinggi.
Aplikasi optoelektronik
Dalam bidang peranti optoelektronik, wafer silikon karbida menunjukkan kelebihan unik mereka.Bahan silikon karbida mempunyai ciri jurang jalur lebar, yang membolehkannya mencapai tenaga fotonon tinggi dan kehilangan cahaya rendah dalam peranti optoelektronik.Wafer silikon karbida boleh digunakan untuk menyediakan peranti komunikasi berkelajuan tinggi, pengesan foto dan laser.Kekonduksian haba yang sangat baik dan ketumpatan kecacatan kristal yang rendah menjadikannya sesuai untuk penyediaan peranti optoelektronik berkualiti tinggi.
Tinjauan
Dengan permintaan yang semakin meningkat untuk peranti elektronik berprestasi tinggi, wafer silikon karbida mempunyai masa depan yang menjanjikan sebagai bahan dengan sifat yang sangat baik dan potensi aplikasi yang luas.Dengan peningkatan berterusan teknologi penyediaan dan pengurangan kos, aplikasi komersial wafer silikon karbida akan digalakkan.Dijangkakan dalam beberapa tahun akan datang, wafer silikon karbida akan memasuki pasaran secara beransur-ansur dan menjadi pilihan arus perdana untuk aplikasi kuasa tinggi, frekuensi tinggi dan suhu tinggi.
3---Analisis mendalam pasaran wafer SiC dan trend teknologi
Analisis mendalam pemacu pasaran wafer silikon karbida (SiC).
Pertumbuhan pasaran wafer silikon karbida (SiC) dipengaruhi oleh beberapa faktor utama, dan analisis mendalam tentang kesan faktor-faktor ini di pasaran adalah kritikal.Berikut ialah beberapa pemacu pasaran utama:
Penjimatan tenaga dan perlindungan alam sekitar: Ciri prestasi tinggi dan penggunaan kuasa rendah bahan silikon karbida menjadikannya popular dalam bidang penjimatan tenaga dan perlindungan alam sekitar.Permintaan untuk kenderaan elektrik, penyongsang suria dan peranti penukaran tenaga lain memacu pertumbuhan pasaran wafer silikon karbida kerana ia membantu mengurangkan sisa tenaga.
Aplikasi Power Electronics: Silikon karbida cemerlang dalam aplikasi elektronik kuasa dan boleh digunakan dalam elektronik kuasa di bawah tekanan tinggi dan persekitaran suhu tinggi.Dengan pempopularan tenaga boleh diperbaharui dan promosi peralihan kuasa elektrik, permintaan untuk wafer silikon karbida dalam pasaran elektronik kuasa terus meningkat.
SiC wafer analisis terperinci trend pembangunan teknologi pembuatan masa hadapan
Pengeluaran besar-besaran dan pengurangan kos: Pembuatan wafer SiC masa hadapan akan lebih menumpukan pada pengeluaran besar-besaran dan pengurangan kos.Ini termasuk teknik pertumbuhan yang dipertingkatkan seperti pemendapan wap kimia (CVD) dan pemendapan wap fizikal (PVD) untuk meningkatkan produktiviti dan mengurangkan kos pengeluaran.Di samping itu, penggunaan proses pengeluaran pintar dan automatik dijangka akan meningkatkan lagi kecekapan.
Saiz dan struktur wafer baharu: Saiz dan struktur wafer SiC mungkin berubah pada masa hadapan untuk memenuhi keperluan aplikasi yang berbeza.Ini mungkin termasuk wafer berdiameter lebih besar, struktur heterogen atau wafer berbilang lapisan untuk memberikan lebih banyak fleksibiliti reka bentuk dan pilihan prestasi.
Kecekapan Tenaga dan Pengilangan Hijau: Pembuatan wafer SiC pada masa hadapan akan memberi penekanan yang lebih besar pada kecekapan tenaga dan pembuatan hijau.Kilang yang dikuasakan oleh tenaga boleh diperbaharui, bahan hijau, kitar semula sisa dan proses pengeluaran karbon rendah akan menjadi trend dalam pembuatan.
Masa siaran: Jan-19-2024