12 inci Dia300x1.0mmt Substrat Wafer Nilam C-Plane SSP/DSP

Penerangan ringkas:

Dengan perkembangan sains dan teknologi, keperluan baru untuk saiz dan kualiti bahan kristal nilam telah dikemukakan. Kini, dengan perkembangan pesat pencahayaan semikonduktor dan aplikasi baru muncul, pasaran untuk kristal nilam bersaiz besar berkos rendah, berkualiti tinggi, berkembang secara dramatik.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Situasi Pasaran Substrat Nilam 12 inci

Pada masa ini, nilam mempunyai dua kegunaan utama, satu ialah bahan substrat, yang kebanyakannya adalah bahan substrat LED, satu lagi ialah dail jam tangan, penerbangan, aeroangkasa, bahan tingkap pembuatan khas.

Walaupun silikon karbida, silikon dan galium nitrida juga tersedia sebagai substrat untuk led sebagai tambahan kepada nilam, pengeluaran besar-besaran masih tidak dapat dilakukan kerana kos dan beberapa kesesakan teknikal yang tidak dapat diselesaikan. Substrat nilam melalui pembangunan teknikal dalam beberapa tahun kebelakangan ini, padanan kekisinya, kekonduksian elektrik, sifat mekanikal, kekonduksian terma dan sifat-sifat lain telah bertambah baik dan digalakkan, kelebihan kos efektif adalah penting, jadi nilam telah menjadi bahan substrat yang paling matang dan stabil dalam industri LED, telah digunakan secara meluas di pasaran, bahagian pasaran setinggi 90%.

Ciri Substrat Wafer Nilam 12 Inci

1. Permukaan substrat nilam mempunyai kiraan zarah yang sangat rendah, dengan kurang daripada 50 zarah 0.3 mikron atau lebih besar setiap 2 inci dalam julat saiz 2 hingga 8 inci, dan logam utama (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni , Cu, Zn) di bawah 2E10/cm2. Bahan asas 12 inci juga dijangka mencapai gred ini.
2. Boleh digunakan sebagai wafer pembawa untuk proses pembuatan semikonduktor 12 inci (pallet pengangkutan dalam peranti) dan sebagai substrat untuk ikatan.
3. Boleh mengawal bentuk permukaan cekung dan cembung.
Bahan: Al2O3 kristal tunggal ketulenan tinggi, wafer nilam.
Kualiti LED, tiada buih, retak, kembar, keturunan, tiada warna..dll.

Wafer Nilam 12 inci

Orientasi	Satah C<0001> +/- 1 darjah.
Diameter	300.0 +/-0.25 mm
Ketebalan	1.0 +/-25um
Takik	Takik atau Rata
TTV	<50um
BOW	<50um
Tepi	Talang protaktif
Bahagian hadapan – digilap 80/50
Tanda laser	tiada
Pembungkusan	Kotak pembawa wafer tunggal
Bahagian hadapan Epi sedia digilap (Ra <0,3nm)
Bahagian belakang Epi sedia digilap (Ra <0,3nm)