4 inci Wafer Nilam C-Plane SSP/DSP 0.43mm 0.65mm
Aplikasi
● Substrat pertumbuhan untuk sebatian III-V dan II-VI.
● Elektronik dan optoelektronik.
● Aplikasi IR.
● Litar Bersepadu Silicon On Sapphire (SOS).
● Litar Bersepadu Frekuensi Radio(RFIC).
Dalam pengeluaran LED, wafer nilam digunakan sebagai substrat untuk pertumbuhan kristal galium nitrida (GaN), yang memancarkan cahaya apabila arus elektrik digunakan.Nilam ialah bahan substrat yang ideal untuk pertumbuhan GaN kerana ia mempunyai struktur kristal dan pekali pengembangan haba yang serupa dengan GaN, yang meminimumkan kecacatan dan meningkatkan kualiti kristal.
Dalam optik, wafer nilam digunakan sebagai tingkap dan kanta dalam persekitaran tekanan tinggi dan suhu tinggi, serta dalam sistem pengimejan inframerah, kerana ketelusan dan kekerasannya yang tinggi.
Spesifikasi
| item | Wafer Nilam 4-inci C-plane(0001) 650μm | |
| Bahan Kristal | 99,999%, Ketulenan Tinggi, Monocrystalline Al2O3 | |
| Gred | Perdana, Epi-Sedia | |
| Orientasi Permukaan | C-pesawat(0001) | |
| C-satah luar sudut ke arah paksi-M 0.2 +/- 0.1° | ||
| Diameter | 100.0 mm +/- 0.1 mm | |
| Ketebalan | 650 μm +/- 25 μm | |
| Orientasi Rata Utama | A-satah(11-20) +/- 0.2° | |
| Panjang Rata Utama | 30.0 mm +/- 1.0 mm | |
| Sebelah Digilap | Permukaan Depan | Digilap epi, Ra < 0.2 nm (oleh AFM) |
| (SSP) | Permukaan Belakang | Tanah halus, Ra = 0.8 μm hingga 1.2 μm |
| Dua Sisi Digilap | Permukaan Depan | Digilap epi, Ra < 0.2 nm (oleh AFM) |
| (DSP) | Permukaan Belakang | Digilap epi, Ra < 0.2 nm (oleh AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| BOW | < 20 μm | |
| WARP | < 20 μm | |
| Pembersihan / Pembungkusan | Pembersihan bilik bersih kelas 100 dan pembungkusan vakum, | |
| 25 keping dalam satu pembungkusan kaset atau pembungkusan sekeping tunggal. | ||
Pembungkusan & Penghantaran
Secara umumnya, kami menyediakan pakej dengan kotak kaset 25pcs;kami juga boleh dibungkus dengan bekas wafer tunggal di bawah bilik pembersihan gred 100 mengikut keperluan pelanggan.
Gambarajah Terperinci
