8Inci 200mm 4H-N SiC Wafer Conductive dummy gred penyelidikan
Disebabkan sifat fizikal dan elektroniknya yang unik, bahan semikonduktor wafer SiC 200mm digunakan untuk mencipta peranti elektronik berprestasi tinggi, suhu tinggi, tahan sinaran dan frekuensi tinggi.Harga substrat SiC 8 inci menurun secara beransur-ansur apabila teknologi menjadi lebih maju dan permintaan meningkat.Perkembangan teknologi terkini membawa kepada pembuatan skala pengeluaran wafer SiC 200mm.Kelebihan utama bahan semikonduktor wafer SiC berbanding dengan wafer Si dan GaAs: Kekuatan medan elektrik 4H-SiC semasa pecahan salji adalah lebih daripada susunan magnitud yang lebih tinggi daripada nilai yang sepadan untuk Si dan GaAs.Ini membawa kepada penurunan ketara dalam kerintangan pada keadaan Ron.Rintangan pada keadaan yang rendah, digabungkan dengan ketumpatan arus yang tinggi dan kekonduksian terma, membolehkan penggunaan acuan yang sangat kecil untuk peranti kuasa.Kekonduksian haba yang tinggi SiC mengurangkan rintangan haba cip.Sifat elektronik peranti berasaskan wafer SiC sangat stabil dari semasa ke semasa dan pada suhu yang stabil, yang memastikan kebolehpercayaan produk yang tinggi.Silikon karbida sangat tahan terhadap sinaran keras, yang tidak merendahkan sifat elektronik cip.Suhu pengendalian kristal yang mengehadkan tinggi (lebih daripada 6000C) membolehkan anda mencipta peranti yang sangat boleh dipercayai untuk keadaan operasi yang keras dan aplikasi khas.Pada masa ini, kami boleh membekalkan wafer 200mmSiC kumpulan kecil secara berterusan dan berterusan dan mempunyai beberapa stok di gudang.
Spesifikasi
| Nombor | item | Unit | Pengeluaran | Penyelidikan | Dummy |
| 1. Parameter | |||||
| 1.1 | polytype | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientasi permukaan | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. Parameter elektrik | |||||
| 2.1 | dopan | -- | Nitrogen jenis-n | Nitrogen jenis-n | Nitrogen jenis-n |
| 2.2 | kerintangan | ohm ·cm | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3. Parameter mekanikal | |||||
| 3.1 | diameter | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | ketebalan | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientasi takuk | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Kedalaman Takik | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Tunduk | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | meledingkan | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Struktur | |||||
| 4.1 | ketumpatan paip mikro | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | kandungan logam | atom/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Kualiti positif | |||||
| 5.1 | hadapan | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | kemasan permukaan | -- | CMP muka Si | CMP muka Si | CMP muka Si |
| 5.3 | zarah | ea/wafer | ≤100(saiz≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | calar | ea/wafer | ≤5, Jumlah Panjang≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Hujung cip/inden/rekahan/noda/kontaminasi | -- | tiada | tiada | NA |
| 5.6 | Kawasan politaip | -- | tiada | Kawasan ≤10% | Kawasan ≤30% |
| 5.7 | penandaan hadapan | -- | tiada | tiada | tiada |
| 6. Kualiti belakang | |||||
| 6.1 | kemasan belakang | -- | Ahli Parlimen muka C | Ahli Parlimen muka C | Ahli Parlimen muka C |
| 6.2 | calar | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Tepi kecacatan belakang cip/inden | -- | tiada | tiada | NA |
| 6.4 | Kekasaran belakang | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Penandaan belakang | -- | Takik | Takik | Takik |
| 7. Tepi | |||||
| 7.1 | hujung | -- | Chamfer | Chamfer | Chamfer |
| 8. Pakej | |||||
| 8.1 | pembungkusan | -- | Epi-sedia dengan vakum pembungkusan | Epi-sedia dengan vakum pembungkusan | Epi-sedia dengan vakum pembungkusan |
| 8.2 | pembungkusan | -- | Berbilang wafer pembungkusan kaset | Berbilang wafer pembungkusan kaset | Berbilang wafer pembungkusan kaset |
Gambarajah Terperinci
