Wafer SiC 2 inci Substrat SiC Separa Penebat 6H atau 4H Diameter 50.8mm

Substrat silikon karbida boleh dibahagikan kepada jenis konduktif dan jenis separa penebat mengikut kerintangan. Peranti silikon karbida konduktif terutamanya digunakan dalam kenderaan elektrik, penjanaan kuasa fotovoltaik, transit kereta api, pusat data, pengecasan dan infrastruktur lain. Industri kenderaan elektrik mempunyai permintaan yang besar untuk substrat silikon karbida konduktif, dan pada masa ini, Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng dan syarikat kenderaan tenaga baharu yang lain telah merancang untuk menggunakan peranti atau modul diskret silikon karbida.

Peranti silikon karbida separa bertebat digunakan terutamanya dalam komunikasi 5G, komunikasi kenderaan, aplikasi pertahanan negara, penghantaran data, aeroangkasa dan bidang lain. Dengan mengembangkan lapisan epitaksi galium nitrida pada substrat silikon karbida separa bertebat, wafer epitaksi galium nitrida berasaskan silikon boleh dijadikan peranti RF gelombang mikro, yang digunakan terutamanya dalam bidang RF, seperti penguat kuasa dalam komunikasi 5G dan pengesan radio dalam pertahanan negara.

Pembuatan produk substrat silikon karbida melibatkan pembangunan peralatan, sintesis bahan mentah, pertumbuhan kristal, pemotongan kristal, pemprosesan wafer, pembersihan dan pengujian, dan banyak lagi hubungan lain. Dari segi bahan mentah, industri Songshan Boron menyediakan bahan mentah silikon karbida untuk pasaran, dan telah mencapai jualan kelompok kecil. Bahan semikonduktor generasi ketiga yang diwakili oleh silikon karbida memainkan peranan penting dalam industri moden, dengan pecutan penembusan kenderaan tenaga baharu dan aplikasi fotovoltaik, permintaan untuk substrat silikon karbida akan membawa kepada titik perubahan.