Wafer Silikon Karbida 2 inci 6H atau 4H Substrat SiC jenis N atau Separa Penebat

Wafer Silikon Karbida 2 inci 6H atau 4H Jenis N atau Separuh Penebat Substrat SiC yang Ditampilkan

Penerangan ringkas:

Silicon carbide (wafer Tankeblue SiC), juga dikenali sebagai carborundum, ialah semikonduktor yang mengandungi silikon dan karbon dengan formula kimia SiC. SiC digunakan dalam peranti elektronik semikonduktor yang beroperasi pada suhu tinggi atau voltan tinggi, atau kedua-duanya.SiC juga merupakan salah satu komponen LED yang penting, ia adalah substrat yang popular untuk peranti GaN yang semakin meningkat, dan ia juga berfungsi sebagai penyebar haba dalam keadaan tinggi- LED kuasa.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Produk yang Disyorkan

4H SiC wafer N-jenis
Diameter: 2 inci 50.8mm | 4 inci 100mm | 6 inci 150mm
Orientasi: paksi luar 4.0˚ ke arah <1120> ± 0.5˚
Kerintangan: < 0.1 ohm.cm
Kekasaran: Si-muka CMP Ra <0.5nm, C-muka pengilat optik Ra <1 nm

4H SiC wafer Separa penebat
Diameter: 2 inci 50.8mm | 4 inci 100mm | 6 inci 150mm
Orientasi: pada paksi {0001} ± 0.25˚
Kerintangan: >1E5 ohm.cm
Kekasaran: Si-muka CMP Ra <0.5nm, C-muka pengilat optik Ra <1 nm

1. Infrastruktur 5G -- bekalan kuasa komunikasi.
Bekalan kuasa komunikasi ialah pangkalan tenaga untuk komunikasi pelayan dan stesen pangkalan. Ia menyediakan tenaga elektrik untuk pelbagai peralatan penghantaran untuk memastikan operasi normal sistem komunikasi.

2. Longgokan pengecasan kenderaan tenaga baharu -- modul kuasa longgokan pengecasan.
Kecekapan tinggi dan kuasa tinggi modul kuasa cerucuk pengecasan boleh direalisasikan dengan menggunakan silikon karbida dalam modul kuasa cerucuk pengecasan, untuk meningkatkan kelajuan pengecasan dan mengurangkan kos pengecasan.

3. Pusat data besar, Internet Industri -- bekalan kuasa pelayan.
Bekalan kuasa pelayan ialah pustaka tenaga pelayan. Pelayan menyediakan kuasa untuk memastikan operasi normal sistem pelayan. Penggunaan komponen kuasa silikon karbida dalam bekalan kuasa pelayan boleh meningkatkan ketumpatan kuasa dan kecekapan bekalan kuasa pelayan, mengurangkan volum pusat data secara keseluruhan, mengurangkan kos pembinaan keseluruhan pusat data, dan mencapai persekitaran yang lebih tinggi. kecekapan.

4. Uhv - Penggunaan pemutus litar DC penghantaran fleksibel.

5. Rel berkelajuan tinggi antara bandar dan transit rel antara bandar -- penukar daya tarikan, pengubah elektronik kuasa, penukar tambahan, bekalan kuasa tambahan.

Parameter

Hartanah	unit	silikon	SiC	GaN
Lebar celah jalur	eV	1.12	3.26	3.41
Medan pecahan	MV/cm	0.23	2.2	3.3
Mobiliti elektron	cm^2/vs	1400	950	1500
Kehebatan hanyut	10^7 sm/s	1	2.7	2.5
Kekonduksian terma	W/cmK	1.5	3.8	1.3