Substrat Wafer Germanium 2 inci 50.8mm Kristal tunggal 1SP 2SP
Maklumat Terperinci
Cip Germanium mempunyai sifat semikonduktor. Telah memainkan peranan penting dalam pembangunan fizik keadaan pepejal dan elektronik keadaan pepejal. Germanium mempunyai ketumpatan lebur 5.32g/cm 3, germanium boleh dikelaskan sebagai logam bertaburan nipis, kestabilan kimia germanium, tidak berinteraksi dengan udara atau wap air pada suhu bilik, tetapi pada 600 ~ 700 ℃, germanium dioksida cepat dihasilkan . Tidak berfungsi dengan asid hidroklorik, asid sulfurik cair. Apabila asid sulfurik pekat dipanaskan, germanium akan perlahan-lahan larut. Dalam asid nitrik dan aqua regia, germanium mudah larut. Kesan larutan alkali pada germanium adalah sangat lemah, tetapi alkali cair dalam udara boleh membuat germanium larut dengan cepat. Germanium tidak berfungsi dengan karbon, jadi ia dicairkan dalam mangkuk grafit dan tidak akan dicemari oleh karbon. Germanium mempunyai sifat semikonduktor yang baik, seperti mobiliti elektron, mobiliti lubang dan sebagainya. Perkembangan germanium masih berpotensi besar.
Spesifikasi
Kaedah pertumbuhan | CZ | ||
instuture kristal | Sistem kubik | ||
Pemalar kekisi | a=5.65754 Å | ||
Ketumpatan | 5.323g/cm3 | ||
Takat lebur | 937.4 ℃ | ||
Doping | Nyahdoping | Doping-Sb | Doping-Ga |
taip | / | N | P |
penentangan | >35Ωcm | 0.01~35 Ωcm | 0.05~35 Ωcm |
EPD | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 |
Diameter | 2 inci/50.8 mm | ||
Ketebalan | 0.5mm, 1.0mm | ||
Permukaan | DSP dan SSP | ||
Orientasi | <100>、<110>、<111>、±0.5º | ||
Ra | ≤5Å(5µm×5µm) | ||
Pakej | Pakej gred 100, bilik gred 1000 |