Substrat Wafer Germanium 2 inci 50.8mm Kristal tunggal 1SP 2SP
Maklumat Terperinci
Cip Germanium mempunyai sifat semikonduktor. Telah memainkan peranan penting dalam pembangunan fizik keadaan pepejal dan elektronik keadaan pepejal. Germanium mempunyai ketumpatan lebur 5.32g/cm3, germanium boleh dikelaskan sebagai logam bertaburan nipis, kestabilan kimia germanium, tidak berinteraksi dengan udara atau wap air pada suhu bilik, tetapi pada 600 ~ 700℃, germanium dioksida cepat dihasilkan. Tidak berfungsi dengan asid hidroklorik, asid sulfurik cair. Apabila asid sulfurik pekat dipanaskan, germanium akan larut perlahan-lahan. Dalam asid nitrik dan aqua regia, germanium mudah larut. Kesan larutan alkali pada germanium sangat lemah, tetapi alkali cair di udara boleh menyebabkan germanium larut dengan cepat. Germanium tidak berfungsi dengan karbon, jadi ia dicairkan dalam mangkuk pijar grafit dan tidak akan tercemar oleh karbon. Germanium mempunyai sifat semikonduktor yang baik, seperti mobiliti elektron, mobiliti lubang dan sebagainya. Perkembangan germanium masih mempunyai potensi yang besar.
Spesifikasi
| Kaedah pertumbuhan | CZ | ||
| institusi kristal | Sistem kubik | ||
| Pemalar kekisi | a=5.65754 Å | ||
| Ketumpatan | 5.323g/cm3 | ||
| Takat lebur | 937.4℃ | ||
| Doping | Penyah-doping | Doping-Sb | Doping-Ga |
| Jenis | / | N | P |
| rintangan | >35Ωcm | 0.01~35 Ωcm | 0.05~35 Ωcm |
| EPD | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 |
| Diameter | 2 inci/50.8 mm | ||
| Ketebalan | 0.5mm, 1.0mm | ||
| Permukaan | DSP dan SSP | ||
| Orientasi | <100>、<110>、<111>、±0.5º | ||
| Ra | ≤5Å(5µm×5µm) | ||
| Pakej | Pakej 100 gred, bilik 1000 gred | ||
Gambarajah Terperinci



