Substrat Silikon Karbida 2 Inci 6H-N Wafer Sic Gred Utama Konduktif Digilap Berganda Gred Mos

Wafer Sic Substrat Silikon Karbida 2 Inci 6H-N Gred Utama Konduktif Digilap Berganda Gred Mos Imej Pilihan

Penerangan Ringkas:

Substrat kristal tunggal Silikon Karbida (SiC) jenis-n 6H merupakan bahan semikonduktor penting yang digunakan secara meluas dalam aplikasi elektronik berkuasa tinggi, frekuensi tinggi dan suhu tinggi. Terkenal dengan struktur kristal heksagonnya, 6H-N SiC menawarkan jurang jalur yang luas dan kekonduksian terma yang tinggi, menjadikannya sesuai untuk persekitaran yang mencabar.
Medan elektrik pecahan tinggi dan mobiliti elektron bahan ini membolehkan pembangunan peranti elektronik kuasa yang cekap, seperti MOSFET dan IGBT, yang boleh beroperasi pada voltan dan suhu yang lebih tinggi berbanding yang diperbuat daripada silikon tradisional. Kekonduksian termanya yang cemerlang memastikan pelesapan haba yang berkesan, penting untuk mengekalkan prestasi dan kebolehpercayaan dalam aplikasi berkuasa tinggi.
Dalam aplikasi frekuensi radio (RF), sifat-sifat 6H-N SiC menyokong penciptaan peranti yang mampu beroperasi pada frekuensi yang lebih tinggi dengan kecekapan yang lebih baik. Kestabilan kimia dan rintangannya terhadap radiasi juga menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam persekitaran yang keras, termasuk sektor aeroangkasa dan pertahanan.
Tambahan pula, substrat 6H-N SiC adalah penting untuk peranti optoelektronik, seperti fotodetektor ultraungu, di mana jurang jalurnya yang luas membolehkan pengesanan cahaya UV yang cekap. Gabungan sifat-sifat ini menjadikan SiC jenis-n 6H sebagai bahan yang serba boleh dan sangat diperlukan dalam memajukan teknologi elektronik dan optoelektronik moden.

Hantar emel kepada kami

Ciri-ciri

Berikut adalah ciri-ciri wafer silikon karbida:

· Nama Produk: Substrat SiC
· Struktur Heksagon: Sifat elektronik yang unik.
· Mobiliti Elektron Tinggi: ~600 cm²/V·s.
· Kestabilan Kimia: Tahan kakisan.
· Rintangan Sinaran: Sesuai untuk persekitaran yang keras.
· Kepekatan Pembawa Intrinsik Rendah: Cekap pada suhu tinggi.
· Ketahanan: Sifat mekanikal yang kuat.
· Keupayaan Optoelektronik: Pengesanan cahaya UV yang berkesan.

Wafer silikon karbida mempunyai beberapa aplikasi

Aplikasi wafer SiC:
Substrat SiC (Silikon Karbida) digunakan dalam pelbagai aplikasi berprestasi tinggi kerana sifat uniknya seperti kekonduksian terma yang tinggi, kekuatan medan elektrik yang tinggi dan jurang jalur yang luas. Berikut adalah beberapa aplikasi:

1. Elektronik Kuasa:
·MOSFET voltan tinggi
·IGBT (Transistor Dwikutub Pintu Bertebat)
·Diod Schottky
·Penyongsang kuasa

2. Peranti Frekuensi Tinggi:
·Penguat RF (Frekuensi Radio)
·Transistor gelombang mikro
·Peranti gelombang milimeter

3. Elektronik Suhu Tinggi:
·Sensor dan litar untuk persekitaran yang keras
·Elektronik aeroangkasa
·Elektronik automotif (contohnya, unit kawalan enjin)

4. Optoelektronik:
·Pengesan foto ultraungu (UV)
·Diod pemancar cahaya (LED)
·Diod laser

5. Sistem Tenaga Boleh Diperbaharui:
·Inverter solar
· Penukar turbin angin
· Rangkaian kuasa kenderaan elektrik

6. Perindustrian dan Pertahanan:
·Sistem radar
· Komunikasi satelit
·Instrumen reaktor nuklear

Penyesuaian wafer SiC

Kami boleh menyesuaikan saiz substrat SiC untuk memenuhi keperluan khusus anda. Kami juga menawarkan wafer SiC 4H-Semi HPSI dengan saiz 10x10mm atau 5x5 mm.
Harga ditentukan mengikut kes, dan butiran pembungkusan boleh disesuaikan mengikut pilihan anda.
Masa penghantaran adalah dalam masa 2-4 minggu. Kami menerima pembayaran melalui T/T.
Kilang kami mempunyai peralatan pengeluaran canggih dan pasukan teknikal, yang boleh menyesuaikan pelbagai spesifikasi, ketebalan dan bentuk wafer SiC mengikut keperluan khusus pelanggan.