2Inci 6H-N Silicon Carbide Substrat Sic Wafer Dua Digilap Konduktif Prime Grade Gred Mos

2Inci 6H-N Silicon Carbide Substrat Sic Wafer Dua Digilap Konduktif Prime Gred Mos Gred Pilihan Imej

Penerangan ringkas:

Substrat kristal tunggal Silicon Carbide (SiC) jenis-6 6H ialah bahan semikonduktor penting yang digunakan secara meluas dalam aplikasi elektronik berkuasa tinggi, frekuensi tinggi dan suhu tinggi. Terkenal dengan struktur kristal heksagonnya, 6H-N SiC menawarkan jurang jalur lebar dan kekonduksian terma yang tinggi, menjadikannya sesuai untuk persekitaran yang mencabar.
Medan elektrik pecahan tinggi bahan ini dan mobiliti elektron membolehkan pembangunan peranti elektronik kuasa yang cekap, seperti MOSFET dan IGBT, yang boleh beroperasi pada voltan dan suhu yang lebih tinggi daripada yang diperbuat daripada silikon tradisional. Kekonduksian haba yang sangat baik memastikan pelesapan haba yang berkesan, penting untuk mengekalkan prestasi dan kebolehpercayaan dalam aplikasi berkuasa tinggi.
Dalam aplikasi frekuensi radio (RF), sifat 6H-N SiC menyokong penciptaan peranti yang mampu beroperasi pada frekuensi yang lebih tinggi dengan kecekapan yang lebih baik. Kestabilan kimia dan ketahanannya terhadap sinaran juga menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam persekitaran yang keras, termasuk sektor aeroangkasa dan pertahanan.
Tambahan pula, substrat SiC 6H-N adalah penting kepada peranti optoelektronik, seperti pengesan foto ultraviolet, di mana jurang jalur lebarnya membolehkan pengesanan cahaya UV yang cekap. Gabungan sifat-sifat ini menjadikan SiC jenis-n 6H sebagai bahan yang serba boleh dan amat diperlukan dalam memajukan teknologi elektronik dan optoelektronik moden.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Berikut adalah ciri wafer silikon karbida:

· Nama Produk: Substrat SiC
· Struktur Heksagon: Sifat elektronik yang unik.
· Mobiliti Elektron Tinggi: ~600 cm²/V·s.
· Kestabilan Kimia: Tahan kakisan.
· Rintangan Sinaran: Sesuai untuk persekitaran yang keras.
· Kepekatan Pembawa Intrinsik Rendah: Cekap pada suhu tinggi.
· Ketahanan: Sifat mekanikal yang kuat.
· Keupayaan Optoelektronik: Pengesanan cahaya UV yang berkesan.

Wafer silikon karbida mempunyai beberapa aplikasi

Aplikasi wafer SiC:
Substrat SiC (Silicon Carbide) digunakan dalam pelbagai aplikasi berprestasi tinggi kerana sifat uniknya seperti kekonduksian terma yang tinggi, kekuatan medan elektrik yang tinggi dan jurang jalur lebar. Berikut adalah beberapa aplikasi:

1. Elektronik Kuasa:
· MOSFET voltan tinggi
·IGBT (Transistor Bipolar Gerbang Bertebat)
· Diod Schottky
· Penyongsang kuasa

2. Peranti Frekuensi Tinggi:
·Penguat RF (Radio Frequency).
· Transistor gelombang mikro
· Peranti gelombang milimeter

3. Elektronik Suhu Tinggi:
· Penderia dan litar untuk persekitaran yang keras
· Elektronik aeroangkasa
·Elektronik automotif (cth, unit kawalan enjin)

4.Optoelektronik:
·Pengesan foto ultraungu (UV).
· Diod pemancar cahaya (LED)
· Diod laser

5. Sistem Tenaga Boleh Diperbaharui:
· Penyongsang solar
· Penukar turbin angin
· Jentera kuasa kenderaan elektrik

6. Perindustrian dan Pertahanan:
· Sistem radar
· Komunikasi satelit
·Peralatan reaktor nuklear

Penyesuaian wafer SiC

Kami boleh menyesuaikan saiz substrat SiC untuk memenuhi keperluan khusus anda. Kami juga menawarkan wafer SiC 4H-Semi HPSI dengan saiz 10x10mm atau 5x5 mm.
Harga ditentukan oleh kes, dan butiran pembungkusan boleh disesuaikan mengikut pilihan anda.
Masa penghantaran adalah dalam 2-4 minggu. Kami menerima pembayaran melalui T/T.
Kilang kami mempunyai peralatan pengeluaran termaju dan pasukan teknikal, yang boleh menyesuaikan pelbagai spesifikasi, ketebalan dan bentuk wafer SiC mengikut keperluan khusus pelanggan.