Wafer Silikon Karbida 2 inci 6H-N Jenis Gred Perdana Gred Penyelidikan Gred Dummy Gred 330μm 430μm Ketebalan
Berikut adalah ciri wafer silikon karbida:
1.Wafer silikon karbida (SiC) mempunyai sifat elektrik yang hebat dan sifat terma yang sangat baik. Wafer silikon karbida (SiC) mempunyai pengembangan haba yang rendah.
2. wafer silikon karbida (SiC) mempunyai sifat kekerasan yang unggul. Wafer silikon karbida (SiC) berfungsi dengan baik pada suhu tinggi.
3. wafer silikon karbida (SiC) mempunyai rintangan yang tinggi terhadap kakisan, hakisan dan pengoksidaan. Selain itu, wafer silikon karbida (SiC) juga lebih berkilat daripada sama ada berlian atau zirkonia padu.
4. Rintangan sinaran yang lebih baik: wafer SIC mempunyai rintangan sinaran yang lebih kuat, menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam persekitaran sinaran. Contohnya termasuk kapal angkasa dan kemudahan nuklear.
5. Kekerasan yang lebih tinggi: Wafer SIC lebih keras daripada silikon, yang meningkatkan ketahanan wafer semasa pemprosesan.
6. Pemalar dielektrik yang lebih rendah: Pemalar dielektrik wafer SIC adalah lebih rendah daripada silikon, yang membantu mengurangkan kapasiti parasit dalam peranti dan meningkatkan prestasi frekuensi tinggi.
Wafer silikon karbida mempunyai beberapa aplikasi
SiC digunakan untuk fabrikasi peranti bervoltan tinggi dan berkuasa tinggi seperti diod, transistor kuasa dan peranti gelombang mikro kuasa tinggi. Berbanding dengan peranti Si konvensional, peranti kuasa berasaskan SiC mempunyai kelajuan pensuisan yang lebih pantas voltan yang lebih tinggi, rintangan parasit yang lebih rendah, saiz yang lebih kecil, kurang penyejukan diperlukan kerana keupayaan suhu tinggi.
Walaupun wafer silikon karbida (SiC-6H) - wafer 6H mempunyai sifat elektronik yang unggul, wafer silikon karbida (SiC-6H) - wafer 6H paling mudah disediakan dan terbaik dikaji.
1. Elektronik Kuasa: Wafer Silicon Carbide digunakan dalam pengeluaran Power Electronics, yang digunakan dalam pelbagai aplikasi, termasuk kenderaan elektrik, sistem tenaga boleh diperbaharui dan peralatan perindustrian. Kekonduksian haba yang tinggi dan kehilangan kuasa rendah Silicon Carbide menjadikannya bahan yang ideal untuk aplikasi ini.
2. Lampu LED: Wafer Silicon Carbide digunakan dalam pengeluaran lampu LED. Kekuatan tinggi Silicon Carbide memungkinkan untuk menghasilkan LED yang lebih tahan lama dan tahan lama daripada sumber pencahayaan tradisional.
3. Peranti Semikonduktor: Wafer Silicon Carbide digunakan dalam pengeluaran Peranti Semikonduktor, yang digunakan dalam pelbagai aplikasi, termasuk telekomunikasi, pengkomputeran dan elektronik pengguna. Kekonduksian haba yang tinggi dan kehilangan kuasa rendah Silicon Carbide menjadikannya bahan yang ideal untuk aplikasi ini.
4.Sel Suria: Wafer Silikon Karbida digunakan dalam penghasilan Sel Suria. Kekuatan tinggi Silicon Carbide memungkinkan untuk menghasilkan Sel Suria yang lebih tahan lama dan tahan lama daripada Sel Suria tradisional.
Secara keseluruhannya, Wafer Silicon Carbide ZMSH ialah produk serba boleh dan berkualiti tinggi yang boleh digunakan dalam pelbagai aplikasi. Kekonduksian haba yang tinggi, kehilangan kuasa yang rendah dan kekuatan tinggi menjadikannya bahan yang ideal untuk peranti elektronik suhu tinggi dan berkuasa tinggi. Dengan Bow/Warp ≤50um, Kekasaran Permukaan ≤1.2nm, dan Resistivity of High/Low Resistivity, Silicon Carbide Wafer ialah pilihan yang boleh dipercayai dan cekap untuk sebarang aplikasi yang memerlukan permukaan yang rata dan licin.
Produk SiC Substrate kami dilengkapi dengan sokongan teknikal dan perkhidmatan yang komprehensif untuk memastikan prestasi optimum dan kepuasan pelanggan.
Pasukan pakar kami sedia membantu dengan pemilihan produk, pemasangan dan penyelesaian masalah.
Kami menawarkan latihan dan pendidikan tentang penggunaan dan penyelenggaraan produk kami untuk membantu pelanggan kami memaksimumkan pelaburan mereka.
Selain itu, kami menyediakan kemas kini dan peningkatan produk yang berterusan untuk memastikan pelanggan kami sentiasa mendapat akses kepada teknologi terkini.