Wafer SiC Separa Penebat （HPSI）3 inci Gred Dummy 350um Gred Perdana
Permohonan
Wafer HPSI SiC adalah penting dalam mendayakan peranti kuasa generasi akan datang, yang digunakan dalam pelbagai aplikasi berprestasi tinggi:
Sistem Penukaran Kuasa: Wafer SiC berfungsi sebagai bahan teras untuk peranti kuasa seperti MOSFET kuasa, diod dan IGBT, yang penting untuk penukaran kuasa yang cekap dalam litar elektrik. Komponen ini terdapat dalam bekalan kuasa berkecekapan tinggi, pemacu motor dan penyongsang perindustrian.
Kenderaan Elektrik (EV):Permintaan yang semakin meningkat untuk kenderaan elektrik memerlukan penggunaan elektronik kuasa yang lebih cekap, dan wafer SiC berada di barisan hadapan transformasi ini. Dalam rangkaian kuasa EV, wafer ini menyediakan kecekapan tinggi dan keupayaan pensuisan pantas, yang menyumbang kepada masa pengecasan yang lebih pantas, jarak yang lebih jauh dan prestasi kenderaan keseluruhan yang dipertingkatkan.
Tenaga Boleh Diperbaharui:Dalam sistem tenaga boleh diperbaharui seperti kuasa solar dan angin, wafer SiC digunakan dalam penyongsang dan penukar yang membolehkan penangkapan dan pengagihan tenaga yang lebih cekap. Kekonduksian terma yang tinggi dan voltan kerosakan SiC yang unggul memastikan sistem ini beroperasi dengan andal, walaupun di bawah keadaan persekitaran yang ekstrem.
Automasi Industri dan Robotik:Elektronik kuasa berprestasi tinggi dalam sistem automasi perindustrian dan robotik memerlukan peranti yang mampu bertukar dengan cepat, mengendalikan beban kuasa yang besar dan beroperasi di bawah tekanan tinggi. Semikonduktor berasaskan SiC memenuhi keperluan ini dengan memberikan kecekapan dan kekukuhan yang lebih tinggi, walaupun dalam persekitaran operasi yang keras.
Sistem Telekomunikasi:Dalam infrastruktur telekomunikasi, di mana kebolehpercayaan yang tinggi dan penukaran tenaga yang cekap adalah kritikal, wafer SiC digunakan dalam bekalan kuasa dan penukar DC-DC. Peranti SiC membantu mengurangkan penggunaan tenaga dan meningkatkan prestasi sistem dalam pusat data dan rangkaian komunikasi.
Dengan menyediakan asas yang kukuh untuk aplikasi berkuasa tinggi, wafer HPSI SiC membolehkan pembangunan peranti cekap tenaga, membantu industri beralih kepada penyelesaian yang lebih mesra alam dan lestari.
Hartanah
| operasi | Gred Pengeluaran | Gred Penyelidikan | Gred Dummy |
| Diameter | 75.0 mm ± 0.5 mm | 75.0 mm ± 0.5 mm | 75.0 mm ± 0.5 mm |
| Ketebalan | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Orientasi Wafer | Pada paksi: ± 0.5° | Pada paksi: ± 2.0° | Pada paksi: ± 2.0° |
| Ketumpatan Mikropaip untuk 95% Wafer (MPD) | ≤ 1 cm⁻² | ≤ 5 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Kerintangan Elektrik | ≥ 1E7 Ω·cm | ≥ 1E6 Ω·cm | ≥ 1E5 Ω·cm |
| Dopan | Tidak didop | Tidak didop | Tidak didop |
| Orientasi Rata Utama | {11-20} ± 5.0° | {11-20} ± 5.0° | {11-20} ± 5.0° |
| Panjang Rata Utama | 32.5 mm ± 3.0 mm | 32.5 mm ± 3.0 mm | 32.5 mm ± 3.0 mm |
| Panjang Rata Sekunder | 18.0 mm ± 2.0 mm | 18.0 mm ± 2.0 mm | 18.0 mm ± 2.0 mm |
| Orientasi Rata Sekunder | Si menghadap ke atas: 90° CW dari rata primer ± 5.0° | Si menghadap ke atas: 90° CW dari rata primer ± 5.0° | Si menghadap ke atas: 90° CW dari rata primer ± 5.0° |
| Pengecualian Tepi | 3 mm | 3 mm | 3 mm |
| LTV/TTV/Busur/Lingkup | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm | 5 µm / 15 µm / ±40 µm / 45 µm |
| Kekasaran Permukaan | C-face: Digilap, Si-face: CMP | C-face: Digilap, Si-face: CMP | C-face: Digilap, Si-face: CMP |
| Retakan (diperiksa dengan cahaya keamatan tinggi) | Tiada | Tiada | Tiada |
| Plat Heks (diperiksa dengan cahaya keamatan tinggi) | Tiada | Tiada | Kawasan kumulatif 10% |
| Kawasan Politaip (diperiksa oleh cahaya keamatan tinggi) | Kawasan kumulatif 5% | Kawasan kumulatif 5% | Kawasan kumulatif 10% |
| Calar (diperiksa dengan cahaya keamatan tinggi) | ≤ 5 calar, panjang kumulatif ≤ 150 mm | ≤ 10 calar, panjang kumulatif ≤ 200 mm | ≤ 10 calar, panjang kumulatif ≤ 200 mm |
| Keratan Tepi | Tiada yang dibenarkan ≥ 0.5 mm lebar dan kedalaman | 2 dibenarkan, lebar dan kedalaman ≤ 1 mm | 5 dibenarkan, lebar dan kedalaman ≤ 5 mm |
| Pencemaran Permukaan (diperiksa dengan cahaya keamatan tinggi) | Tiada | Tiada | Tiada |
Kelebihan Utama
Prestasi Terma Superior: Kekonduksian terma SiC yang tinggi memastikan pelesapan haba yang cekap dalam peranti kuasa, membolehkannya beroperasi pada tahap kuasa dan frekuensi yang lebih tinggi tanpa terlalu panas. Ini diterjemahkan kepada sistem yang lebih kecil, lebih cekap dan jangka hayat operasi yang lebih lama.
Voltan Kerosakan Tinggi: Dengan jurang jalur yang lebih luas berbanding silikon, wafer SiC menyokong aplikasi voltan tinggi, menjadikannya sesuai untuk komponen elektronik kuasa yang perlu menahan voltan kerosakan yang tinggi, seperti dalam kenderaan elektrik, sistem kuasa grid dan sistem tenaga boleh diperbaharui.
Kehilangan Kuasa yang Dikurangkan: Rintangan pada peranti SiC yang rendah dan kelajuan pensuisan yang pantas mengakibatkan kehilangan tenaga yang berkurangan semasa operasi. Ini bukan sahaja meningkatkan kecekapan tetapi juga meningkatkan penjimatan tenaga keseluruhan sistem tempat ia digunakan.
Kebolehpercayaan yang Dipertingkatkan dalam Persekitaran yang Keras: Sifat bahan SiC yang teguh membolehkannya berfungsi dalam keadaan yang ekstrem, seperti suhu tinggi (sehingga 600°C), voltan tinggi dan frekuensi tinggi. Ini menjadikan wafer SiC sesuai untuk aplikasi perindustrian, automotif dan tenaga yang mencabar.
Kecekapan Tenaga: Peranti SiC menawarkan ketumpatan kuasa yang lebih tinggi daripada peranti berasaskan silikon tradisional, sekali gus mengurangkan saiz dan berat sistem elektronik kuasa sambil meningkatkan kecekapan keseluruhannya. Ini membawa kepada penjimatan kos dan jejak alam sekitar yang lebih kecil dalam aplikasi seperti tenaga boleh diperbaharui dan kenderaan elektrik.
Kebolehskalaan: Diameter 3 inci dan toleransi pembuatan yang tepat bagi wafer HPSI SiC memastikan ia boleh diskala untuk pengeluaran besar-besaran, memenuhi keperluan penyelidikan dan pembuatan komersial.
Kesimpulan
Wafer HPSI SiC, dengan diameter 3 inci dan ketebalan 350 µm ± 25 µm, merupakan bahan optimum untuk peranti elektronik kuasa berprestasi tinggi generasi akan datang. Gabungan unik kekonduksian terma, voltan kerosakan yang tinggi, kehilangan tenaga yang rendah dan kebolehpercayaan di bawah keadaan yang ekstrem menjadikannya komponen penting untuk pelbagai aplikasi dalam penukaran kuasa, tenaga boleh diperbaharui, kenderaan elektrik, sistem perindustrian dan telekomunikasi.
Wafer SiC ini amat sesuai untuk industri yang ingin mencapai kecekapan yang lebih tinggi, penjimatan tenaga yang lebih besar dan kebolehpercayaan sistem yang lebih baik. Seiring dengan perkembangan teknologi elektronik kuasa, wafer SiC HPSI menyediakan asas untuk pembangunan penyelesaian cekap tenaga generasi akan datang, memacu peralihan kepada masa depan yang lebih mampan dan rendah karbon.
Gambarajah Terperinci
