3 inci Ketulenan Tinggi Separa Penebat （HPSI）Wafer SiC 350um Gred Dummy Gred Perdana

Penerangan ringkas:

Wafer SiC HPSI (High-Purity Silicon Carbide), dengan diameter 3 inci dan ketebalan 350 µm ± 25 µm, direka bentuk untuk aplikasi elektronik kuasa termaju. Wafer SiC terkenal dengan sifat bahannya yang luar biasa, seperti kekonduksian terma yang tinggi, rintangan voltan tinggi dan kehilangan tenaga yang minimum, yang menjadikannya pilihan utama untuk peranti semikonduktor kuasa. Wafer ini direka bentuk untuk mengendalikan keadaan yang melampau, menawarkan prestasi yang lebih baik dalam persekitaran frekuensi tinggi, voltan tinggi dan suhu tinggi, sambil memastikan kecekapan tenaga dan ketahanan yang lebih baik.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Permohonan

Wafer SiC HPSI adalah penting dalam membolehkan peranti kuasa generasi akan datang, yang digunakan dalam pelbagai aplikasi berprestasi tinggi:
Sistem Penukaran Kuasa: Wafer SiC berfungsi sebagai bahan teras untuk peranti kuasa seperti MOSFET kuasa, diod dan IGBT, yang penting untuk penukaran kuasa yang cekap dalam litar elektrik. Komponen ini terdapat dalam bekalan kuasa berkecekapan tinggi, pemacu motor dan penyongsang industri.

Kenderaan Elektrik (EV):Permintaan yang semakin meningkat untuk kenderaan elektrik memerlukan penggunaan elektronik kuasa yang lebih cekap, dan wafer SiC berada di barisan hadapan dalam transformasi ini. Dalam rangkaian kuasa EV, wafer ini memberikan kecekapan tinggi dan keupayaan pensuisan pantas, yang menyumbang kepada masa pengecasan yang lebih pantas, julat yang lebih panjang dan prestasi keseluruhan kenderaan yang dipertingkatkan.

Tenaga Boleh Diperbaharui:Dalam sistem tenaga boleh diperbaharui seperti tenaga suria dan angin, wafer SiC digunakan dalam penyongsang dan penukar yang membolehkan penangkapan dan pengedaran tenaga yang lebih cekap. Kekonduksian terma yang tinggi dan voltan pecahan unggul SiC memastikan sistem ini beroperasi dengan pasti, walaupun dalam keadaan persekitaran yang melampau.

Automasi Perindustrian dan Robotik:Elektronik kuasa berprestasi tinggi dalam sistem automasi industri dan robotik memerlukan peranti yang mampu bertukar dengan cepat, mengendalikan beban kuasa yang besar dan beroperasi dalam tekanan tinggi. Semikonduktor berasaskan SiC memenuhi keperluan ini dengan menyediakan kecekapan dan keteguhan yang lebih tinggi, walaupun dalam persekitaran operasi yang keras.

Sistem Telekomunikasi:Dalam infrastruktur telekomunikasi, di mana kebolehpercayaan yang tinggi dan penukaran tenaga yang cekap adalah kritikal, wafer SiC digunakan dalam bekalan kuasa dan penukar DC-DC. Peranti SiC membantu mengurangkan penggunaan tenaga dan meningkatkan prestasi sistem dalam pusat data dan rangkaian komunikasi.

Dengan menyediakan asas yang kukuh untuk aplikasi berkuasa tinggi, wafer SiC HPSI membolehkan pembangunan peranti cekap tenaga, membantu industri beralih kepada penyelesaian yang lebih hijau dan lebih mampan.

Hartanah

operty	Gred Pengeluaran	Gred Penyelidikan	Gred Dummy
Diameter	75.0 mm ± 0.5 mm	75.0 mm ± 0.5 mm	75.0 mm ± 0.5 mm
Ketebalan	350 µm ± 25 µm	350 µm ± 25 µm	350 µm ± 25 µm
Orientasi Wafer	Pada paksi: <0001> ± 0.5°	Pada paksi: <0001> ± 2.0°	Pada paksi: <0001> ± 2.0°
Ketumpatan Paip Mikro untuk 95% Wafer (MPD)	≤ 1 cm⁻²	≤ 5 cm⁻²	≤ 15 cm⁻²
Kerintangan Elektrik	≥ 1E7 Ω·cm	≥ 1E6 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
Dopan	Dinyahdop	Dinyahdop	Dinyahdop
Orientasi Rata Utama	{11-20} ± 5.0°	{11-20} ± 5.0°	{11-20} ± 5.0°
Panjang Rata Utama	32.5 mm ± 3.0 mm	32.5 mm ± 3.0 mm	32.5 mm ± 3.0 mm
Panjang Rata Sekunder	18.0 mm ± 2.0 mm	18.0 mm ± 2.0 mm	18.0 mm ± 2.0 mm
Orientasi Rata Menengah	Si menghadap ke atas: 90° CW dari flat primer ± 5.0°	Si menghadap ke atas: 90° CW dari flat primer ± 5.0°	Si menghadap ke atas: 90° CW dari flat primer ± 5.0°
Pengecualian Edge	3 mm	3 mm	3 mm
LTV/TTV/Bow/Warp	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm	5 µm / 15 µm / ±40 µm / 45 µm
Kekasaran Permukaan	Muka-C: Digilap, Muka-Si: CMP	Muka-C: Digilap, Muka-Si: CMP	Muka-C: Digilap, Muka-Si: CMP
Retak (diperiksa oleh cahaya keamatan tinggi)	tiada	tiada	tiada
Plat Hex (diperiksa oleh cahaya keamatan tinggi)	tiada	tiada	Kawasan kumulatif 10%
Kawasan Politaip (diperiksa oleh cahaya keamatan tinggi)	Kawasan kumulatif 5%	Kawasan kumulatif 5%	Kawasan kumulatif 10%
Calar (diperiksa oleh cahaya keamatan tinggi)	≤ 5 calar, panjang terkumpul ≤ 150 mm	≤ 10 calar, panjang kumulatif ≤ 200 mm	≤ 10 calar, panjang kumulatif ≤ 200 mm
Cincang Tepi	Tiada yang dibenarkan ≥ 0.5 mm lebar dan kedalaman	2 dibenarkan, ≤ 1 mm lebar dan kedalaman	5 dibenarkan, ≤ 5 mm lebar dan kedalaman
Pencemaran Permukaan (diperiksa oleh cahaya keamatan tinggi)	tiada	tiada	tiada

Kelebihan Utama

Prestasi Terma Unggul: Kekonduksian terma yang tinggi SiC memastikan pelesapan haba yang cekap dalam peranti kuasa, membolehkan mereka beroperasi pada tahap kuasa dan frekuensi yang lebih tinggi tanpa terlalu panas. Ini diterjemahkan kepada sistem yang lebih kecil, lebih cekap dan jangka hayat operasi yang lebih lama.

Voltan Pecahan Tinggi: Dengan jurang jalur yang lebih luas berbanding silikon, wafer SiC menyokong aplikasi voltan tinggi, menjadikannya sesuai untuk komponen elektronik kuasa yang perlu menahan voltan kerosakan tinggi, seperti dalam kenderaan elektrik, sistem kuasa grid dan sistem tenaga boleh diperbaharui.

Kehilangan Kuasa yang Dikurangkan: Rintangan hidup yang rendah dan kelajuan pensuisan pantas peranti SiC mengakibatkan kehilangan tenaga yang berkurangan semasa operasi. Ini bukan sahaja meningkatkan kecekapan tetapi juga meningkatkan penjimatan tenaga keseluruhan sistem di mana ia digunakan.
Kebolehpercayaan yang Dipertingkatkan dalam Persekitaran Yang Keras: Sifat bahan teguh SiC membolehkannya berfungsi dalam keadaan yang melampau, seperti suhu tinggi (sehingga 600°C), voltan tinggi dan frekuensi tinggi. Ini menjadikan wafer SiC sesuai untuk menuntut aplikasi industri, automotif dan tenaga.

Kecekapan Tenaga: Peranti SiC menawarkan ketumpatan kuasa yang lebih tinggi daripada peranti berasaskan silikon tradisional, mengurangkan saiz dan berat sistem elektronik kuasa sambil meningkatkan kecekapan keseluruhannya. Ini membawa kepada penjimatan kos dan jejak alam sekitar yang lebih kecil dalam aplikasi seperti tenaga boleh diperbaharui dan kenderaan elektrik.

Kebolehskalaan: Diameter 3-inci dan toleransi pembuatan yang tepat bagi wafer SiC HPSI memastikan bahawa ia boleh berskala untuk pengeluaran besar-besaran, memenuhi kedua-dua keperluan penyelidikan dan pembuatan komersial.

Kesimpulan

Wafer SiC HPSI, dengan diameter 3-inci dan ketebalan 350 µm ± 25 µm, ialah bahan optimum untuk peranti elektronik kuasa berprestasi tinggi generasi seterusnya. Gabungan unik kekonduksian terma, voltan kerosakan tinggi, kehilangan tenaga yang rendah dan kebolehpercayaan dalam keadaan yang melampau menjadikannya komponen penting untuk pelbagai aplikasi dalam penukaran kuasa, tenaga boleh diperbaharui, kenderaan elektrik, sistem perindustrian dan telekomunikasi.

Wafer SiC ini amat sesuai untuk industri yang ingin mencapai kecekapan yang lebih tinggi, penjimatan tenaga yang lebih besar dan kebolehpercayaan sistem yang lebih baik. Apabila teknologi elektronik kuasa terus berkembang, wafer SiC HPSI menyediakan asas untuk pembangunan penyelesaian cekap tenaga generasi akan datang, memacu peralihan kepada masa depan yang lebih mampan dan rendah karbon.