4H-N 8 inci wafer substrat SiC Silicon Carbide Dummy gred Penyelidikan ketebalan 500um

Penerangan ringkas:

Wafer silikon karbida digunakan dalam peranti elektronik seperti diod kuasa, MOSFET, peranti gelombang mikro berkuasa tinggi dan transistor RF, membolehkan penukaran tenaga dan pengurusan kuasa yang cekap. Wafer dan substrat SiC juga didapati digunakan dalam elektronik automotif, sistem aeroangkasa, dan teknologi tenaga boleh diperbaharui.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Bagaimana Anda Memilih Wafer Silikon Karbida & Substrat SiC?

Apabila memilih wafer dan substrat silikon karbida (SiC), terdapat beberapa faktor yang perlu dipertimbangkan. Berikut adalah beberapa kriteria penting:

Jenis Bahan: Tentukan jenis bahan SiC yang sesuai dengan aplikasi anda, seperti 4H-SiC atau 6H-SiC. Struktur kristal yang paling biasa digunakan ialah 4H-SiC.

Jenis Doping: Tentukan sama ada anda memerlukan substrat SiC yang didop atau tidak didop. Jenis doping biasa ialah N-jenis (n-doped) atau P-type (p-doped), bergantung pada keperluan khusus anda.

Kualiti Kristal: Menilai kualiti kristal wafer atau substrat SiC. Kualiti yang diingini ditentukan oleh parameter seperti bilangan kecacatan, orientasi kristalografi, dan kekasaran permukaan.

Diameter Wafer: Pilih saiz wafer yang sesuai berdasarkan aplikasi anda. Saiz biasa termasuk 2 inci, 3 inci, 4 inci dan 6 inci. Lebih besar diameter, lebih banyak hasil yang anda boleh perolehi setiap wafer.

Ketebalan: Pertimbangkan ketebalan wafer atau substrat SiC yang dikehendaki. Pilihan ketebalan biasa terdiri daripada beberapa mikrometer hingga beberapa ratus mikrometer.

Orientasi: Tentukan orientasi kristalografi yang sejajar dengan keperluan aplikasi anda. Orientasi biasa termasuk (0001) untuk 4H-SiC dan (0001) atau (0001̅) untuk 6H-SiC.

Kemasan Permukaan: Nilaikan kemasan permukaan wafer atau substrat SiC. Permukaan hendaklah licin, digilap, dan bebas daripada calar atau bahan cemar.

Reputasi Pembekal: Pilih pembekal yang bereputasi dengan pengalaman luas dalam menghasilkan wafer dan substrat SiC berkualiti tinggi. Pertimbangkan faktor seperti keupayaan pembuatan, kawalan kualiti dan ulasan pelanggan.

Kos: Pertimbangkan implikasi kos, termasuk harga setiap wafer atau substrat dan sebarang perbelanjaan penyesuaian tambahan.

Adalah penting untuk menilai dengan teliti faktor-faktor ini dan berunding dengan pakar atau pembekal industri untuk memastikan bahawa wafer dan substrat SiC yang dipilih memenuhi keperluan aplikasi khusus anda.