Ketebalan Substrat Komposit LN-on-Si 6 inci-8 inci 0.3-50 μm Bahan Si/SiC/Safir

Ketebalan Substrat Komposit LN-on-Si 6 inci-8 inci 0.3-50 μm Si/SiC/Safir Bahan Imej Pilihan

Penerangan Ringkas:

Substrat komposit LN-on-Si 6 inci hingga 8 inci ini merupakan bahan berprestasi tinggi yang menggabungkan filem nipis litium niobate (LN) kristal tunggal dengan substrat silikon (Si), dengan ketebalan antara 0.3 μm hingga 50 μm. Ia direka bentuk untuk fabrikasi peranti semikonduktor dan optoelektronik termaju. Dengan menggunakan teknik pertumbuhan ikatan atau epitaksi termaju, substrat ini memastikan kualiti kristal yang tinggi bagi filem nipis LN sambil memanfaatkan saiz wafer besar (6 inci hingga 8 inci) substrat silikon untuk meningkatkan kecekapan pengeluaran dan keberkesanan kos.
Berbanding dengan bahan LN pukal konvensional, substrat komposit LN-on-Si 6 inci hingga 8 inci menawarkan padanan haba dan kestabilan mekanikal yang unggul, menjadikannya sesuai untuk pemprosesan peringkat wafer berskala besar. Di samping itu, bahan asas alternatif seperti SiC atau nilam boleh dipilih untuk memenuhi keperluan aplikasi tertentu, termasuk peranti RF frekuensi tinggi, fotonik bersepadu dan sensor MEMS.

Hantar emel kepada kami

Ciri-ciri

Parameter teknikal

0.3-50μm LN/LT pada Penebat
Lapisan atas
Diameter	6-8 inci
Orientasi	X, Z, Y-42 dll.
Bahan	LT, LN
Ketebalan	0.3-50μm
Substrat (Disesuaikan)
Bahan	Si, SiC, Nilam, Spinel, Kuarza

Ciri-ciri Utama

Substrat komposit LN-on-Si 6 inci hingga 8 inci dibezakan oleh sifat bahannya yang unik dan parameter yang boleh ditala, membolehkan kebolehgunaan yang luas dalam industri semikonduktor dan optoelektronik:

1. Keserasian Wafer Besar: Saiz wafer 6 inci hingga 8 inci memastikan penyepaduan yang lancar dengan barisan fabrikasi semikonduktor sedia ada (contohnya, proses CMOS), mengurangkan kos pengeluaran dan membolehkan pengeluaran besar-besaran.

2. Kualiti Kristal Tinggi: Teknik epitaksi atau ikatan yang dioptimumkan memastikan ketumpatan kecacatan yang rendah dalam filem nipis LN, menjadikannya sesuai untuk modulator optik berprestasi tinggi, penapis gelombang akustik permukaan (SAW) dan peranti ketepatan lain.

3. Ketebalan Boleh Laras (0.3–50 μm): Lapisan LN ultra nipis (<1 μm) sesuai untuk cip fotonik bersepadu, manakala lapisan yang lebih tebal (10–50 μm) menyokong peranti RF berkuasa tinggi atau sensor piezoelektrik.

4. Pelbagai Pilihan Substrat: Selain Si, SiC (kekonduksian terma tinggi) atau nilam (penebat tinggi) boleh dipilih sebagai bahan asas untuk memenuhi permintaan aplikasi frekuensi tinggi, suhu tinggi atau kuasa tinggi.

5. Kestabilan Terma dan Mekanikal: Substrat silikon menyediakan sokongan mekanikal yang teguh, meminimumkan lengkungan atau keretakan semasa pemprosesan dan meningkatkan hasil peranti.

Atribut-atribut ini meletakkan substrat komposit LN-on-Si 6 inci hingga 8 inci sebagai bahan pilihan untuk teknologi canggih seperti komunikasi 5G, LiDAR dan optik kuantum.

Aplikasi Utama

Substrat komposit LN-on-Si 6 inci hingga 8 inci digunakan secara meluas dalam industri berteknologi tinggi kerana sifat elektro-optik, piezoelektrik dan akustiknya yang luar biasa:

1. Komunikasi Optik dan Fotonik Bersepadu: Membolehkan modulator elektro-optik berkelajuan tinggi, pandu gelombang dan litar bersepadu fotonik (PIC), menangani permintaan lebar jalur pusat data dan rangkaian gentian optik.

Peranti RF 2.5G/6G: Pekali piezoelektrik LN yang tinggi menjadikannya sesuai untuk penapis gelombang akustik permukaan (SAW) dan gelombang akustik pukal (BAW), sekali gus meningkatkan pemprosesan isyarat di stesen pangkalan 5G dan peranti mudah alih.

3. MEMS dan Sensor: Kesan piezoelektrik LN-on-Si memudahkan pecutan, biosensor dan transduser ultrasonik sensitiviti tinggi untuk aplikasi perubatan dan perindustrian.

4. Teknologi Kuantum: Sebagai bahan optik tak linear, filem nipis LN digunakan dalam sumber cahaya kuantum (contohnya, pasangan foton yang berbelit) dan cip kuantum bersepadu.

5. Laser dan Optik Tak Linear: Lapisan LN ultra nipis membolehkan peranti penjanaan harmonik kedua (SHG) dan ayunan parametrik optik (OPO) yang cekap untuk pemprosesan laser dan analisis spektroskopi.

Substrat komposit LN-on-Si 6 inci hingga 8 inci yang diseragamkan membolehkan peranti ini dihasilkan dalam fabrik wafer berskala besar, sekali gus mengurangkan kos pengeluaran dengan ketara.

Penyesuaian dan Perkhidmatan

Kami menyediakan sokongan teknikal dan perkhidmatan penyesuaian yang komprehensif untuk substrat komposit LN-on-Si 6 inci hingga 8 inci bagi memenuhi pelbagai keperluan R&D dan pengeluaran:

1. Fabrikasi Tersuai: Ketebalan filem LN (0.3–50 μm), orientasi kristal (potongan-X/potongan-Y), dan bahan substrat (Si/SiC/nila) boleh disesuaikan untuk mengoptimumkan prestasi peranti.

2. Pemprosesan Peringkat Wafer: Bekalan pukal wafer 6 inci dan 8 inci, termasuk perkhidmatan bahagian belakang seperti pemotongan dadu, penggilapan dan penyalutan, memastikan substrat sedia untuk penyepaduan peranti.

3. Perundingan dan Pengujian Teknikal: Pencirian bahan (contohnya, XRD, AFM), ujian prestasi elektro-optik dan sokongan simulasi peranti untuk mempercepatkan pengesahan reka bentuk.

Misi kami adalah untuk mewujudkan substrat komposit LN-on-Si 6 inci hingga 8 inci sebagai penyelesaian bahan teras untuk aplikasi optoelektronik dan semikonduktor, yang menawarkan sokongan hujung ke hujung daripada R&D hingga pengeluaran besar-besaran.

Kesimpulan

Substrat komposit LN-on-Si 6 inci hingga 8 inci, dengan saiz wafernya yang besar, kualiti bahan yang unggul dan fleksibiliti, memacu kemajuan dalam komunikasi optik, RF 5G dan teknologi kuantum. Sama ada untuk pembuatan volum tinggi atau penyelesaian tersuai, kami menyediakan substrat yang andal dan perkhidmatan pelengkap untuk memperkasa inovasi teknologi.