6 inci-8 inci LN-on-Si Ketebalan Substrat Komposit 0.3-50 μm Si/SiC/Nilam Bahan

Penerangan ringkas:

Substrat komposit LN-on-Si 6-inci hingga 8-inci ialah bahan berprestasi tinggi yang menyepadukan filem nipis litium niobate (LN) kristal tunggal dengan substrat silikon (Si), dengan ketebalan antara 0.3 μm hingga 50 μm. Ia direka untuk fabrikasi peranti semikonduktor dan optoelektronik termaju. Menggunakan teknik ikatan lanjutan atau pertumbuhan epitaxial, substrat ini memastikan kualiti kristal tinggi bagi filem nipis LN sambil memanfaatkan saiz wafer besar (6-inci hingga 8-inci) substrat silikon untuk meningkatkan kecekapan pengeluaran dan keberkesanan kos.
Berbanding dengan bahan LN pukal konvensional, substrat komposit LN-on-Si 6 inci hingga 8 inci menawarkan padanan haba dan kestabilan mekanikal yang unggul, menjadikannya sesuai untuk pemprosesan peringkat wafer berskala besar. Selain itu, bahan asas alternatif seperti SiC atau nilam boleh dipilih untuk memenuhi keperluan aplikasi khusus, termasuk peranti RF frekuensi tinggi, fotonik bersepadu dan penderia MEMS.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Parameter teknikal

0.3-50μm LN/LT pada Penebat
Lapisan atas
Diameter	6-8 inci
Orientasi	X, Z, Y-42 dsb.
Bahan	LT, LN
Ketebalan	0.3-50μm
Substrat（Disesuaikan）
bahan	Si, SiC, Nilam, Spinel, Kuarza

Ciri-ciri Utama

Substrat komposit LN-on-Si 6-inci hingga 8-inci dibezakan oleh sifat bahannya yang unik dan parameter boleh melaras, membolehkan kebolehgunaan luas dalam industri semikonduktor dan optoelektronik:

1. Keserasian Wafer Besar: Saiz wafer 6-inci hingga 8-inci memastikan integrasi yang lancar dengan talian fabrikasi semikonduktor sedia ada (cth, proses CMOS), mengurangkan kos pengeluaran dan membolehkan pengeluaran besar-besaran.

2. Kualiti Kristal Tinggi: Teknik epitaxial atau ikatan yang dioptimumkan memastikan ketumpatan kecacatan rendah dalam filem nipis LN, menjadikannya sesuai untuk modulator optik berprestasi tinggi, penapis gelombang akustik permukaan (SAW) dan peranti ketepatan lain.

3. Ketebalan Boleh Laras (0.3–50 μm): Lapisan LN ultranipis (<1 μm) sesuai untuk cip fotonik bersepadu, manakala lapisan yang lebih tebal (10–50 μm) menyokong peranti RF berkuasa tinggi atau penderia piezoelektrik.

4. Pilihan Substrat Berbilang: Selain Si, SiC (kekonduksian terma tinggi) atau nilam (penebat tinggi) boleh dipilih sebagai bahan asas untuk memenuhi permintaan aplikasi frekuensi tinggi, suhu tinggi atau berkuasa tinggi.

5. Kestabilan Terma dan Mekanikal: Substrat silikon menyediakan sokongan mekanikal yang teguh, meminimumkan meledingkan atau retak semasa pemprosesan dan meningkatkan hasil peranti.

Atribut ini meletakkan substrat komposit LN-on-Si 6-inci hingga 8-inci sebagai bahan pilihan untuk teknologi canggih seperti komunikasi 5G, LiDAR dan optik kuantum.

Aplikasi Utama

Substrat komposit LN-on-Si 6-inci hingga 8-inci digunakan secara meluas dalam industri berteknologi tinggi kerana sifat elektro-optik, piezoelektrik dan akustiknya yang luar biasa:

1.Komunikasi Optik dan Fotonik Bersepadu: Mendayakan modulator elektro-optik berkelajuan tinggi, pandu gelombang dan litar bersepadu (PIC) fotonik, menangani permintaan lebar jalur pusat data dan rangkaian gentian optik.

Peranti RF 2.5G/6G: Pekali piezoelektrik LN yang tinggi menjadikannya sesuai untuk penapis gelombang akustik permukaan (SAW) dan gelombang akustik pukal (BAW), meningkatkan pemprosesan isyarat dalam stesen pangkalan 5G dan peranti mudah alih.

3.MEMS dan Sensor: Kesan piezoelektrik LN-on-Si memudahkan pecutan kepekaan tinggi, biosensor dan transduser ultrasonik untuk aplikasi perubatan dan industri.

4. Teknologi Kuantum: Sebagai bahan optik tak linear, filem nipis LN digunakan dalam sumber cahaya kuantum (cth, pasangan foton terjerat) dan cip kuantum bersepadu.

5.Laser dan Optik Bukan Linear: Lapisan LN ultranipis membolehkan peranti penjanaan harmonik kedua (SHG) dan ayunan parametrik optik (OPO) yang cekap untuk pemprosesan laser dan analisis spektroskopi.

Substrat komposit LN-on-Si piawai 6-inci hingga 8-inci membolehkan peranti ini dihasilkan dalam fabrik wafer berskala besar, dengan ketara mengurangkan kos pengeluaran.

Penyesuaian dan Perkhidmatan

Kami menyediakan sokongan teknikal yang komprehensif dan perkhidmatan penyesuaian untuk substrat komposit LN-on-Si 6 inci hingga 8 inci untuk memenuhi pelbagai keperluan R&D dan pengeluaran:

1. Fabrikasi Tersuai: Ketebalan filem LN (0.3–50 μm), orientasi kristal (potongan X/potongan Y), dan bahan substrat (Si/SiC/nilam) boleh disesuaikan untuk mengoptimumkan prestasi peranti.

2.Pemprosesan Tahap Wafer: Bekalan pukal wafer 6-inci dan 8-inci, termasuk perkhidmatan bahagian belakang seperti menggiling dadu, menggilap dan salutan, memastikan substrat sedia untuk penyepaduan peranti.

3. Perundingan dan Ujian Teknikal: Pencirian bahan (cth, XRD, AFM), ujian prestasi elektro-optik, dan sokongan simulasi peranti untuk mempercepatkan pengesahan reka bentuk.

Misi kami adalah untuk mewujudkan substrat komposit LN-on-Si 6-inci hingga 8-inci sebagai penyelesaian bahan teras untuk aplikasi optoelektronik dan semikonduktor, menawarkan sokongan hujung ke hujung daripada R&D kepada pengeluaran besar-besaran.

Kesimpulan

Substrat komposit LN-on-Si 6 inci hingga 8 inci, dengan saiz wafer yang besar, kualiti bahan yang unggul dan serba boleh, memacu kemajuan dalam komunikasi optik, 5G RF dan teknologi kuantum. Sama ada untuk pembuatan volum tinggi atau penyelesaian tersuai, kami menyampaikan substrat yang boleh dipercayai dan perkhidmatan pelengkap untuk memperkasakan inovasi teknologi.