GaN-On-Sapphire 6 inci

Penerangan ringkas:

GaN 150mm 6 inci pada wafer lapisan epi Silikon/Nilam/SiC Wafer epitaxial gallium nitride

Wafer substrat nilam 6 inci ialah bahan semikonduktor berkualiti tinggi yang terdiri daripada lapisan galium nitrida (GaN) yang ditanam pada substrat nilam. Bahan ini mempunyai sifat pengangkutan elektronik yang sangat baik dan sesuai untuk mengeluarkan peranti semikonduktor berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

GaN 150mm 6 inci pada wafer lapisan epi Silikon/Nilam/SiC Wafer epitaxial gallium nitride

Kaedah pembuatan: Proses pembuatan melibatkan pertumbuhan lapisan GaN pada substrat nilam menggunakan teknik lanjutan seperti pemendapan wap kimia logam-organik (MOCVD) atau epitaksi rasuk molekul (MBE). Proses pemendapan dijalankan di bawah keadaan terkawal untuk memastikan kualiti kristal yang tinggi dan filem seragam.

Aplikasi GaN-On-Sapphire 6 inci: Cip substrat nilam 6 inci digunakan secara meluas dalam komunikasi gelombang mikro, sistem radar, teknologi wayarles dan optoelektronik.

Beberapa aplikasi biasa termasuk

1. Penguat kuasa Rf

2. industri lampu LED

3. Peralatan komunikasi rangkaian tanpa wayar

4. Peranti elektronik dalam persekitaran suhu tinggi

5. Peranti optoelektronik

Spesifikasi produk

- Saiz: Diameter substrat ialah 6 inci (kira-kira 150 mm).

- Kualiti permukaan: Permukaan telah digilap halus untuk memberikan kualiti cermin yang sangat baik.

- Ketebalan: Ketebalan lapisan GaN boleh disesuaikan mengikut keperluan khusus.

- Pembungkusan: Substrat dibungkus dengan teliti dengan bahan anti-statik untuk mengelakkan kerosakan semasa pengangkutan.

- Tepi penentududukan: Substrat mempunyai tepi penentududukan khusus yang memudahkan penjajaran dan operasi semasa penyediaan peranti.

- Parameter lain: Parameter khusus seperti kenipisan, kerintangan dan kepekatan doping boleh dilaraskan mengikut keperluan pelanggan.

Dengan sifat bahan yang unggul dan aplikasi yang pelbagai, wafer substrat nilam 6 inci merupakan pilihan yang boleh dipercayai untuk pembangunan peranti semikonduktor berprestasi tinggi dalam pelbagai industri.

Substrat	6” 1mm <111> jenis-p Si	6” 1mm <111> jenis-p Si
Epi TebalAvg	~5um	~7um
Epi ThickUnif	<2%	<2%
Tunduk	+/-45um	+/-45um
retak	<5mm	<5mm
BV menegak	>1000V	>1400V
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT TebalPurata	20-30nm	20-30nm
Insitu SiN Cap	5-60nm	5-60nm
2DEG conc.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
mobiliti	~2000cm²/Vs (<2%)	~2000cm²/Vs (<2%)
Rsh	<330ohm/sq (<2%)	<330ohm/sq (<2%)