GaN-On-Sapphire 6 inci
Wafer epitaksi GaN pada Silikon/Safir/SiC 150mm 6 inci Wafer epitaksi galium nitrida
Wafer substrat nilam 6 inci ialah bahan semikonduktor berkualiti tinggi yang terdiri daripada lapisan galium nitrida (GaN) yang ditumbuhkan pada substrat nilam. Bahan ini mempunyai sifat pengangkutan elektronik yang sangat baik dan sesuai untuk pembuatan peranti semikonduktor berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi.
Kaedah pembuatan: Proses pembuatan melibatkan penanaman lapisan GaN pada substrat nilam menggunakan teknik canggih seperti pemendapan wap kimia logam-organik (MOCVD) atau epitaksi pancaran molekul (MBE). Proses pemendapan dijalankan di bawah keadaan terkawal untuk memastikan kualiti kristal yang tinggi dan filem yang seragam.
Aplikasi GaN-On-Sapphire 6 inci: Cip substrat nilam 6 inci digunakan secara meluas dalam komunikasi gelombang mikro, sistem radar, teknologi tanpa wayar dan optoelektronik.
Beberapa aplikasi biasa termasuk
1. Penguat kuasa Rf
2. Industri pencahayaan LED
3. Peralatan komunikasi rangkaian tanpa wayar
4. Peranti elektronik dalam persekitaran suhu tinggi
5. Peranti optoelektronik
Spesifikasi produk
- Saiz: Diameter substrat ialah 6 inci (kira-kira 150 mm).
- Kualiti permukaan: Permukaan telah digilap halus untuk memberikan kualiti cermin yang sangat baik.
- Ketebalan: Ketebalan lapisan GaN boleh disesuaikan mengikut keperluan khusus.
- Pembungkusan: Substrat dibungkus dengan teliti dengan bahan anti-statik untuk mengelakkan kerosakan semasa pengangkutan.
- Tepi kedudukan: Substrat mempunyai tepi kedudukan khusus yang memudahkan penjajaran dan operasi semasa penyediaan peranti.
- Parameter lain: Parameter khusus seperti kenipisan, kerintangan dan kepekatan doping boleh dilaraskan mengikut keperluan pelanggan.
Dengan sifat bahan yang unggul dan pelbagai aplikasi, wafer substrat nilam 6 inci merupakan pilihan yang boleh dipercayai untuk pembangunan peranti semikonduktor berprestasi tinggi dalam pelbagai industri.
| Substrat | 6” 1mm <111> jenis-p Si | 6” 1mm <111> jenis-p Si |
| Purata Tebal Epi | ~5um | ~7um |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Busur | +/-45um | +/-45um |
| Retakan | <5mm | <5mm |
| BV Menegak | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT Purata Tebal | 20-30nm | 20-30nm |
| Penutup SiN Insitu | 5-60nm | 5-60nm |
| Konkrit 2DEG. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Mobiliti | ~2000cm2/Vs (<2%) | ~2000cm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330ohm/persegi (<2%) | <330ohm/persegi (<2%) |
Gambarajah Terperinci
