8Inci 200mm 4H-N SiC Wafer Conductive dummy gred penyelidikan

8Inci 200mm 4H-N SiC Wafer Konduktif dummy gred penyelidikan Imej Pilihan

Penerangan ringkas:

Apabila pasaran pengangkutan, tenaga dan perindustrian berkembang, permintaan untuk elektronik kuasa yang boleh dipercayai dan berprestasi tinggi terus berkembang. Untuk memenuhi keperluan bagi prestasi semikonduktor yang dipertingkatkan, pengeluar peranti sedang mencari bahan semikonduktor celah jalur lebar, seperti portfolio 4H SiC Prime Grade kami bagi wafer silikon karbida (SiC) jenis 4H n.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Disebabkan sifat fizikal dan elektroniknya yang unik, bahan semikonduktor wafer SiC 200mm digunakan untuk mencipta peranti elektronik berprestasi tinggi, suhu tinggi, tahan sinaran dan frekuensi tinggi. Harga substrat SiC 8 inci menurun secara beransur-ansur apabila teknologi menjadi lebih maju dan permintaan meningkat. Perkembangan teknologi terkini membawa kepada pembuatan skala pengeluaran wafer SiC 200mm. Kelebihan utama bahan semikonduktor wafer SiC berbanding dengan wafer Si dan GaAs: Kekuatan medan elektrik 4H-SiC semasa pecahan salji adalah lebih daripada susunan magnitud yang lebih tinggi daripada nilai yang sepadan untuk Si dan GaAs. Ini membawa kepada penurunan ketara dalam kerintangan pada keadaan Ron. Rintangan pada keadaan yang rendah, digabungkan dengan ketumpatan arus yang tinggi dan kekonduksian terma, membolehkan penggunaan acuan yang sangat kecil untuk peranti kuasa. Kekonduksian haba yang tinggi SiC mengurangkan rintangan haba cip. Sifat elektronik peranti berasaskan wafer SiC adalah sangat stabil dari semasa ke semasa dan pada suhu yang stabil, yang memastikan kebolehpercayaan produk yang tinggi. Silikon karbida sangat tahan terhadap sinaran keras, yang tidak merendahkan sifat elektronik cip. Suhu pengendalian kristal yang mengehadkan tinggi (lebih daripada 6000C) membolehkan anda mencipta peranti yang sangat boleh dipercayai untuk keadaan operasi yang keras dan aplikasi khas. Pada masa ini, kami boleh membekalkan wafer 200mmSiC kumpulan kecil secara berterusan dan berterusan dan mempunyai beberapa stok di gudang.

Spesifikasi

Nombor	item	Unit	Pengeluaran	Penyelidikan	Dummy
1. Parameter
1.1	polytype	--	4H	4H	4H
1.2	orientasi permukaan	°	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5
2. Parameter elektrik
2.1	dopan	--	Nitrogen jenis-n	Nitrogen jenis-n	Nitrogen jenis-n
2.2	kerintangan	ohm ·cm	0.015~0.025	0.01~0.03	NA
3. Parameter mekanikal
3.1	diameter	mm	200±0.2	200±0.2	200±0.2
3.2	ketebalan	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	Orientasi takuk	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Kedalaman Takik	mm	1~1.5	1~1.5	1~1.5
3.5	LTV	μm	≤5(10mm*10mm)	≤5(10mm*10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Tunduk	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	meledingkan	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0.2	Ra≤0.2	Ra≤0.2
4. Struktur
4.1	ketumpatan paip mikro	ea/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	kandungan logam	atom/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ea/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	ea/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	ea/cm2	≤7000	≤10000	NA
5. Kualiti positif
5.1	depan	--	Si	Si	Si
5.2	kemasan permukaan	--	CMP muka Si	CMP muka Si	CMP muka Si
5.3	zarah	ea/wafer	≤100(saiz≥0.3μm)	NA	NA
5.4	calar	ea/wafer	≤5, Jumlah Panjang≤200mm	NA	NA
5.5	Tepi cip/inden/rekahan/noda/kontaminasi	--	tiada	tiada	NA
5.6	Kawasan politaip	--	tiada	Kawasan ≤10%	Kawasan ≤30%
5.7	penandaan hadapan	--	tiada	tiada	tiada
6. Kualiti belakang
6.1	kemasan belakang	--	Ahli Parlimen muka C	Ahli Parlimen muka C	Ahli Parlimen muka C
6.2	calar	mm	NA	NA	NA
6.3	Tepi kecacatan belakang cip/inden	--	tiada	tiada	NA
6.4	Kekasaran belakang	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Penandaan belakang	--	Takik	Takik	Takik
7. Tepi
7.1	tepi	--	Chamfer	Chamfer	Chamfer
8. Pakej
8.1	pembungkusan	--	Epi-sedia dengan vakum pembungkusan	Epi-sedia dengan vakum pembungkusan	Epi-sedia dengan vakum pembungkusan
8.2	pembungkusan	--	Berbilang wafer pembungkusan kaset	Berbilang wafer pembungkusan kaset	Berbilang wafer pembungkusan kaset