Wafer gred pengeluaran SiC 8 inci Substrat SiC 4H-N

Penerangan Ringkas:

Substrat SiC 8-inci digunakan dalam peranti elektronik berkuasa tinggi, seperti MOSFET kuasa (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), diod Schottky dan peranti semikonduktor kuasa lain.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Jadual berikut menunjukkan spesifikasi wafer SiC 8 inci kami:

Spesifikasi SiC DSP jenis N 8 inci
Nombor	item	Unit	Pengeluaran	Penyelidikan	Dummy
1:parameter
1.1	polytype	--	4H	4H	4H
1.2	orientasi permukaan	°	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5
2: Parameter elektrik
2.1	dopan	--	Nitrogen jenis-n	Nitrogen jenis-n	Nitrogen jenis-n
2.2	kerintangan	ohm ·cm	0.015~0.025	0.01~0.03	NA
3: Parameter mekanikal
3.1	diameter	mm	200±0.2	200±0.2	200±0.2
3.2	ketebalan	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	Orientasi takuk	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Kedalaman Takik	mm	1~1.5	1~1.5	1~1.5
3.5	LTV	μm	≤5(10mm*10mm)	≤5(10mm*10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Tunduk	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	meledingkan	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0.2	Ra≤0.2	Ra≤0.2
4:Stuktur
4.1	ketumpatan paip mikro	ea/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	kandungan logam	atom/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ea/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	ea/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	ea/cm2	≤7000	≤10000	NA
5. Kualiti hadapan
5.1	depan	--	Si	Si	Si
5.2	kemasan permukaan	--	CMP muka Si	CMP muka Si	CMP muka Si
5.3	zarah	ea/wafer	≤100(saiz≥0.3μm)	NA	NA
5.4	calar	ea/wafer	≤5, Jumlah Length≤200mm	NA	NA
5.5	Hujung cip/inden/rekahan/noda/kontaminasi	--	tiada	tiada	NA
5.6	Kawasan politaip	--	tiada	Kawasan ≤10%	Kawasan ≤30%
5.7	penandaan hadapan	--	tiada	tiada	tiada
6: Kualiti belakang
6.1	kemasan belakang	--	Ahli Parlimen muka C	Ahli Parlimen muka C	Ahli Parlimen muka C
6.2	calar	mm	NA	NA	NA
6.3	Tepi kecacatan belakang cip/inden	--	tiada	tiada	NA
6.4	Kekasaran belakang	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Penandaan belakang	--	Takik	Takik	Takik
7: tepi
7.1	hujung	--	Chamfer	Chamfer	Chamfer
8: Pakej
8.1	pembungkusan	--	Epi-sedia dengan vakum pembungkusan	Epi-sedia dengan vakum pembungkusan	Epi-sedia dengan vakum pembungkusan
8.2	pembungkusan	--	Berbilang wafer pembungkusan kaset	Berbilang wafer pembungkusan kaset	Berbilang wafer pembungkusan kaset