Substrat SiC 4H-N wafer gred pengeluaran SiC 8 inci
Jadual berikut menunjukkan spesifikasi wafer SiC 8 inci kami:
| Spesifikasi DSP SiC jenis-N 8 inci | |||||
| Nombor | Barang | Unit | Pengeluaran | Penyelidikan | Dummy |
| 1:parameter | |||||
| 1.1 | politaip | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientasi permukaan | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2: Parameter elektrik | |||||
| 2.1 | dopan | -- | Nitrogen jenis-n | Nitrogen jenis-n | Nitrogen jenis-n |
| 2.2 | kerintangan | ohm ·cm | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3: Parameter mekanikal | |||||
| 3.1 | diameter | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | ketebalan | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientasi takuk | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Kedalaman Takuk | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤10 (10mm * 10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Busur | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Meledingkan | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4: Struktur | |||||
| 4.1 | ketumpatan mikropaip | setiap satu/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | kandungan logam | atom/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | setiap satu/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | setiap satu/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | setiap satu/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Kualiti hadapan | |||||
| 5.1 | hadapan | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | kemasan permukaan | -- | CMP Si-muka | CMP Si-muka | CMP Si-muka |
| 5.3 | zarah | ea/wafer | ≤100 (saiz ≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | calar | ea/wafer | ≤5, Jumlah Panjang ≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Tepi kerepek/lekukan/retak/noda/pencemaran | -- | Tiada | Tiada | NA |
| 5.6 | Kawasan politaip | -- | Tiada | Kawasan ≤10% | Kawasan ≤30% |
| 5.7 | penandaan hadapan | -- | Tiada | Tiada | Tiada |
| 6: Kualiti belakang | |||||
| 6.1 | kemasan belakang | -- | Ahli Parlimen muka-C | Ahli Parlimen muka-C | Ahli Parlimen muka-C |
| 6.2 | calar | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Kecacatan tepi belakang cip/lekukan | -- | Tiada | Tiada | NA |
| 6.4 | Kekasaran belakang | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Penandaan belakang | -- | Takuk | Takuk | Takuk |
| 7: tepi | |||||
| 7.1 | tepi | -- | Selaput | Selaput | Selaput |
| 8:Pakej | |||||
| 8.1 | pembungkusan | -- | Sedia Epi dengan vakum pembungkusan | Sedia Epi dengan vakum pembungkusan | Sedia Epi dengan vakum pembungkusan |
| 8.2 | pembungkusan | -- | Wafer berbilang pembungkusan kaset | Wafer berbilang pembungkusan kaset | Wafer berbilang pembungkusan kaset |
Gambarajah Terperinci
Produk Berkaitan
Tulis mesej anda di sini dan hantarkannya kepada kami