AlN pada FSS 2 inci 4 inci NPSS/FSS templat AlN untuk kawasan semikonduktor

AlN pada FSS 2 inci 4 inci NPSS/FSS AlN templat untuk kawasan semikonduktor Imej yang Ditampilkan

Penerangan ringkas:

Wafer AlN pada FSS (Substrat Fleksibel) menawarkan gabungan unik kekonduksian haba yang luar biasa, kekuatan mekanikal dan sifat penebat elektrik Aluminium Nitride (AlN), dipasangkan dengan fleksibiliti substrat berprestasi tinggi. Wafer 2 inci dan 4 inci ini direka khusus untuk aplikasi semikonduktor lanjutan, terutamanya di mana pengurusan haba dan fleksibiliti peranti adalah kritikal. Dengan pilihan NPSS (Substrat Tidak Digilap) dan FSS (Substrat Fleksibel) sebagai asas, templat AlN ini sesuai untuk aplikasi dalam elektronik kuasa, peranti RF dan sistem elektronik fleksibel, di mana kekonduksian terma yang tinggi dan penyepaduan fleksibel adalah kunci untuk meningkatkan prestasi dan kebolehpercayaan peranti.

Hantar e-mel kepada kami

Ciri-ciri

Hartanah

Komposisi Bahan:
Aluminium Nitride (AlN) – Lapisan seramik putih berprestasi tinggi memberikan kekonduksian terma yang sangat baik (biasanya 200-300 W/m·K), penebat elektrik yang baik dan kekuatan mekanikal yang tinggi.
Substrat Fleksibel (FSS) – Filem polimer fleksibel (seperti Polyimide, PET, dll.) menawarkan ketahanan dan kebolehbenturan tanpa menjejaskan kefungsian lapisan AlN.

Saiz Wafer Tersedia:
2 inci (50.8mm)
4 inci (100mm)

Ketebalan:
Lapisan AlN: 100-2000nm
Ketebalan Substrat FSS: 50µm-500µm (boleh disesuaikan berdasarkan keperluan)

Pilihan Kemasan Permukaan:
NPSS (Substrat Tidak Digilap) – Permukaan substrat tidak digilap, sesuai untuk aplikasi tertentu yang memerlukan profil permukaan yang lebih kasar untuk lekatan atau penyepaduan yang lebih baik.
FSS (Substrat Fleksibel) – Filem fleksibel yang digilap atau tidak digilap, dengan pilihan untuk permukaan licin atau bertekstur, bergantung pada keperluan aplikasi tertentu.

Sifat Elektrik:
Penebat – Sifat penebat elektrik AlN menjadikannya sesuai untuk aplikasi semikonduktor voltan tinggi dan kuasa.
Pemalar Dielektrik: ~9.5
Kekonduksian Terma: 200-300 W/m·K (bergantung pada gred dan ketebalan AlN tertentu)

Sifat Mekanikal:
Fleksibiliti: AlN didepositkan pada substrat fleksibel (FSS) yang membolehkan lenturan dan kelenturan.
Kekerasan Permukaan: AlN sangat tahan lama dan menahan kerosakan fizikal dalam keadaan operasi biasa.

Aplikasi

Peranti Berkuasa Tinggi: Sesuai untuk elektronik kuasa yang memerlukan pelesapan haba yang tinggi, seperti penukar kuasa, penguat RF dan modul LED berkuasa tinggi.

Komponen RF dan Microwave: Sesuai untuk komponen seperti antena, penapis dan resonator di mana kedua-dua kekonduksian terma dan fleksibiliti mekanikal diperlukan.

Elektronik Fleksibel: Sesuai untuk aplikasi yang peranti perlu mematuhi permukaan bukan satah atau memerlukan reka bentuk yang ringan dan fleksibel (cth, boleh pakai, penderia fleksibel).

Pembungkusan Semikonduktor: Digunakan sebagai substrat dalam pembungkusan semikonduktor, menawarkan pelesapan haba dalam aplikasi yang menghasilkan haba yang tinggi.

LED dan Optoelektronik: Untuk peranti yang memerlukan operasi suhu tinggi dengan pelesapan haba yang teguh.

Jadual Parameter

Harta benda	Nilai atau Julat
Saiz Wafer	2 inci (50.8mm), 4 inci (100mm)
Ketebalan Lapisan AlN	100nm – 2000nm
Ketebalan Substrat FSS	50µm – 500µm (boleh disesuaikan)
Kekonduksian Terma	200 – 300 W/m·K
Sifat Elektrik	Penebat (Pemalar Dielektrik: ~9.5)
Kemasan Permukaan	Digilap atau Tidak Digilap
Jenis Substrat	NPSS (Substrat Tidak Digilap), FSS (Substrat Fleksibel)
Fleksibiliti Mekanikal	Fleksibiliti tinggi, sesuai untuk elektronik fleksibel
warna	Putih kepada Putih-Putih (bergantung pada substrat)

Aplikasi

●Kuasa Elektronik:Gabungan kekonduksian terma dan fleksibiliti yang tinggi menjadikan wafer ini sesuai untuk peranti kuasa seperti penukar kuasa, transistor dan pengawal selia voltan yang memerlukan pelesapan haba yang cekap.
●Peranti RF/Microwave:Disebabkan sifat terma unggul AlN dan kekonduksian elektrik yang rendah, wafer ini digunakan dalam komponen RF seperti penguat, pengayun dan antena.
●Elektronik Fleksibel:Fleksibiliti lapisan FSS digabungkan dengan pengurusan terma yang sangat baik bagi AlN menjadikannya pilihan ideal untuk elektronik dan penderia boleh pakai.
●Pembungkusan Semikonduktor:Digunakan untuk pembungkusan semikonduktor berprestasi tinggi di mana pelesapan haba yang berkesan dan kebolehpercayaan adalah kritikal.
●Aplikasi LED & Optoelektronik:Aluminium Nitride ialah bahan yang sangat baik untuk pembungkusan LED dan peranti optoelektronik lain yang memerlukan rintangan haba yang tinggi.

Soal Jawab (Soalan Lazim)

S1: Apakah faedah menggunakan AlN pada wafer FSS?

A1: AlN pada wafer FSS menggabungkan kekonduksian haba yang tinggi dan sifat penebat elektrik AlN dengan fleksibiliti mekanikal substrat polimer. Ini membolehkan pelesapan haba yang lebih baik dalam sistem elektronik fleksibel sambil mengekalkan integriti peranti dalam keadaan lentur dan regangan.

S2: Apakah saiz yang tersedia untuk AlN pada wafer FSS?

A2: Kami tawarkan2 incidan4 incisaiz wafer. Saiz tersuai boleh dibincangkan atas permintaan untuk memenuhi keperluan aplikasi khusus anda.

S3: Bolehkah saya menyesuaikan ketebalan lapisan AlN?

A3: Ya, yangKetebalan lapisan AlNboleh disesuaikan, dengan julat tipikal dari100nm hingga 2000nmbergantung pada keperluan permohonan anda.