Wafer AlN-on-NPSS: Lapisan Nitrida Aluminium Berprestasi Tinggi pada Substrat Nilam Tidak Digilap untuk Aplikasi Suhu Tinggi, Kuasa Tinggi dan RF

Penerangan ringkas:

Wafer AlN-on-NPSS menggabungkan lapisan aluminium nitrida (AlN) berprestasi tinggi dengan substrat nilam tidak digilap (NPSS) untuk menawarkan penyelesaian ideal untuk aplikasi suhu tinggi, kuasa tinggi dan frekuensi radio (RF). Gabungan unik kekonduksian terma dan sifat elektrik AlN yang luar biasa, bersama-sama dengan kekuatan mekanikal substrat yang sangat baik, menjadikan wafer ini sebagai pilihan pilihan untuk menuntut aplikasi seperti elektronik kuasa, peranti frekuensi tinggi dan komponen optik. Dengan pelesapan haba yang sangat baik, kehilangan rendah dan keserasian dengan persekitaran suhu tinggi, wafer ini membolehkan pembangunan peranti generasi akan datang dengan prestasi unggul.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Ciri-ciri

Lapisan AlN Berprestasi Tinggi: Aluminium Nitrida (AlN) terkenal dengannyakekonduksian haba yang tinggi(~200 W/m·K),celah jalur lebar, danvoltan kerosakan tinggi, menjadikannya bahan yang ideal untukberkuasa tinggi, frekuensi tinggi, dansuhu tinggiaplikasi.

Substrat Nilam Tidak Digilap (NPSS): Nilam yang tidak digilap menyediakan akos efektif, teguh secara mekanikalasas, memastikan asas yang stabil untuk pertumbuhan epitaxial tanpa kerumitan penggilap permukaan. Sifat mekanikal NPSS yang sangat baik menjadikannya tahan lama untuk persekitaran yang mencabar.

Kestabilan Terma Tinggi: Wafer AlN-on-NPSS boleh menahan turun naik suhu yang melampau, menjadikannya sesuai untuk digunakan dalamelektronik kuasa, sistem automotif, LED, danaplikasi optikyang memerlukan prestasi yang stabil dalam keadaan suhu tinggi.

Penebat Elektrik: AlN mempunyai sifat penebat elektrik yang sangat baik, menjadikannya sesuai untuk aplikasi di manapengasingan elektrikadalah kritikal, termasukperanti RFdanelektronik gelombang mikro.

Pelesapan Haba Unggul: Dengan kekonduksian terma yang tinggi, lapisan AlN memastikan pelesapan haba yang berkesan, yang penting untuk mengekalkan prestasi dan jangka hayat peranti yang beroperasi di bawah kuasa dan frekuensi tinggi.

Parameter Teknikal

Parameter	Spesifikasi
Diameter Wafer	2 inci, 4 inci (saiz tersuai tersedia)
Jenis Substrat	Substrat Nilam Tidak Digilap (NPSS)
Ketebalan Lapisan AlN	2µm hingga 10µm (boleh disesuaikan)
Ketebalan substrat	430µm ± 25µm (untuk 2 inci), 500µm ± 25µm (untuk 4 inci)
Kekonduksian Terma	200 W/m·K
Kerintangan Elektrik	Penebat tinggi, sesuai untuk aplikasi RF
Kekasaran Permukaan	Ra ≤ 0.5µm (untuk lapisan AlN)
Kesucian Bahan	AlN ketulenan tinggi (99.9%)
warna	Putih/Putih Putih (Lapisan AlN dengan substrat NPSS berwarna terang)
Wafer Warp	< 30µm (biasa)
Jenis Doping	Tidak didop (boleh disesuaikan)

Aplikasi

Thewafer AlN-on-NPSSdireka untuk pelbagai jenis aplikasi berprestasi tinggi merentas beberapa industri:

Elektronik Berkuasa Tinggi: Kekonduksian haba dan sifat penebat lapisan AlN yang tinggi menjadikannya bahan yang sesuai untuktransistor kuasa, penerus, danIC kuasadigunakan dalamautomotif, perindustrian, dantenaga boleh diperbaharuisistem.

Komponen Frekuensi Radio (RF).: Sifat penebat elektrik AlN yang sangat baik, ditambah dengan kehilangannya yang rendah, membolehkan pengeluarantransistor RF, HEMT (Transistor Mobiliti Elektron Tinggi), dan lain-lainkomponen gelombang mikroyang beroperasi dengan cekap pada frekuensi tinggi dan tahap kuasa.

Peranti Optik: Wafer AlN-on-NPSS digunakan dalamdiod laser, LED, danpengesan foto, di manakekonduksian haba yang tinggidanketeguhan mekanikaladalah penting untuk mengekalkan prestasi sepanjang hayat yang dilanjutkan.

Penderia Suhu Tinggi: Keupayaan wafer untuk menahan haba melampau menjadikannya sesuai untukpenderia suhudanpemantauan alam sekitardalam industri sepertiaeroangkasa, automotif, danminyak & gas.

Pembungkusan Semikonduktor: Digunakan dalam penyebar habadanlapisan pengurusan habadalam sistem pembungkusan, memastikan kebolehpercayaan dan kecekapan semikonduktor.

Soal Jawab

S: Apakah kelebihan utama wafer AlN-on-NPSS berbanding bahan tradisional seperti silikon?

A: Kelebihan utama ialah AlNkekonduksian haba yang tinggi, yang membolehkannya menghilangkan haba dengan cekap, menjadikannya sesuai untukberkuasa tinggidanaplikasi frekuensi tinggidi mana pengurusan haba adalah kritikal. Selain itu, AlN mempunyai acelah jalur lebardan cemerlangpenebat elektrik, menjadikannya unggul untuk digunakan dalamRFdanperanti gelombang mikroberbanding silikon tradisional.

S: Bolehkah lapisan AlN pada wafer NPSS disesuaikan?

J: Ya, lapisan AlN boleh disesuaikan dari segi ketebalan (antara 2µm hingga 10µm atau lebih) untuk memenuhi keperluan khusus aplikasi anda. Kami juga menawarkan penyesuaian dari segi jenis doping (jenis N atau jenis P) dan lapisan tambahan untuk fungsi khusus.

S: Apakah aplikasi biasa untuk wafer ini dalam industri automotif?

J: Dalam industri automotif, wafer AlN-on-NPSS biasanya digunakan dalamelektronik kuasa, Sistem pencahayaan LED, danpenderia suhu. Mereka menyediakan pengurusan haba yang unggul dan penebat elektrik, yang penting untuk sistem kecekapan tinggi yang beroperasi di bawah keadaan suhu yang berbeza-beza.