Wafer AlN-on-NPSS: Lapisan Aluminium Nitrida Berprestasi Tinggi pada Substrat Nilam Tidak Digilap untuk Aplikasi Suhu Tinggi, Kuasa Tinggi dan RF

Penerangan Ringkas:

Wafer AlN-on-NPSS menggabungkan lapisan aluminium nitrida (AlN) berprestasi tinggi dengan substrat nilam tidak digilap (NPSS) untuk menawarkan penyelesaian ideal untuk aplikasi suhu tinggi, kuasa tinggi dan frekuensi radio (RF). Gabungan unik kekonduksian terma dan sifat elektrik AlN yang luar biasa, berserta kekuatan mekanikal substrat yang sangat baik, menjadikan wafer ini pilihan pilihan untuk aplikasi yang mencabar seperti elektronik kuasa, peranti frekuensi tinggi dan komponen optik. Dengan pelesapan haba yang sangat baik, kehilangan yang rendah dan keserasian dengan persekitaran suhu tinggi, wafer ini membolehkan pembangunan peranti generasi akan datang dengan prestasi unggul.

Hantar emel kepada kami

Ciri-ciri

Lapisan AlN Berprestasi TinggiAluminium Nitrida (AlN) dikenali keranakekonduksian terma yang tinggi(~200 W/m·K),jurang jalur yang luas, danvoltan kerosakan yang tinggi, menjadikannya bahan yang ideal untukberkuasa tinggi, frekuensi tinggi, dansuhu tinggiaplikasi.

Substrat Nilam Tidak Digilap (NPSS): Safir yang tidak digilap menyediakankos efektif, teguh secara mekanikalasas, memastikan asas yang stabil untuk pertumbuhan epitaksi tanpa kerumitan penggilapan permukaan. Sifat mekanikal NPSS yang sangat baik menjadikannya tahan lama untuk persekitaran yang mencabar.

Kestabilan Terma TinggiWafer AlN-on-NPSS boleh menahan turun naik suhu yang melampau, menjadikannya sesuai untuk digunakan dalamelektronik kuasa, sistem automotif, LED, danaplikasi optikyang memerlukan prestasi yang stabil dalam keadaan suhu tinggi.

Penebat ElektrikAlN mempunyai sifat penebat elektrik yang sangat baik, menjadikannya sesuai untuk aplikasi di manapengasingan elektrikadalah kritikal, termasukPeranti RFdanelektronik gelombang mikro.

Pelesapan Haba SuperiorDengan kekonduksian terma yang tinggi, lapisan AlN memastikan pelesapan haba yang berkesan, yang penting untuk mengekalkan prestasi dan jangka hayat peranti yang beroperasi di bawah kuasa dan frekuensi yang tinggi.

Parameter Teknikal

Parameter	Spesifikasi
Diameter Wafer	2 inci, 4 inci (saiz tersuai tersedia)
Jenis Substrat	Substrat Nilam Tidak Digilap (NPSS)
Ketebalan Lapisan AlN	2µm hingga 10µm (boleh disesuaikan)
Ketebalan Substrat	430µm ± 25µm (untuk 2 inci), 500µm ± 25µm (untuk 4 inci)
Kekonduksian Terma	200 W/m·K
Kerintangan Elektrik	Penebat tinggi, sesuai untuk aplikasi RF
Kekasaran Permukaan	Ra ≤ 0.5µm (untuk lapisan AlN)
Ketulenan Bahan	AlN ketulenan tinggi (99.9%)
Warna	Putih/Putih Pudar (lapisan AlN dengan substrat NPSS berwarna terang)
Warp Wafer	< 30µm (biasa)
Jenis Doping	Tidak didop (boleh disesuaikan)

Aplikasi

YangWafer AlN-pada-NPSSdireka bentuk untuk pelbagai aplikasi berprestasi tinggi merentasi beberapa industri:

Elektronik Berkuasa TinggiKekonduksian terma dan sifat penebat lapisan AlN yang tinggi menjadikannya bahan yang ideal untuktransistor kuasa, penerus, danIC kuasadigunakan dalamautomotif, perindustrian, dantenaga boleh diperbaharuisistem.

Komponen Frekuensi Radio (RF)Sifat penebat elektrik AlN yang sangat baik, ditambah pula dengan kehilangannya yang rendah, membolehkan penghasilanTransistor RF, HEMT (Transistor Mobiliti Elektron Tinggi), dan lain-lainkomponen gelombang mikroyang beroperasi dengan cekap pada frekuensi dan tahap kuasa yang tinggi.

Peranti OptikWafer AlN-on-NPSS digunakan dalamdiod laser, LED, danpengesan foto, di manakekonduksian terma yang tinggidanketahanan mekanikaladalah penting untuk mengekalkan prestasi sepanjang hayat yang lebih lama.

Sensor Suhu TinggiKeupayaan wafer untuk menahan haba melampau menjadikannya sesuai untuksensor suhudanpemantauan alam sekitardalam industri sepertiaeroangkasa, automotif, danminyak & gas.

Pembungkusan SemikonduktorDigunakan dalam penyebar habadanlapisan pengurusan termadalam sistem pembungkusan, memastikan kebolehpercayaan dan kecekapan semikonduktor.

Soal Jawab

S: Apakah kelebihan utama wafer AlN-on-NPSS berbanding bahan tradisional seperti silikon?

A: Kelebihan utama ialah AlNkekonduksian terma yang tinggi, yang membolehkannya menghilangkan haba dengan cekap, menjadikannya sesuai untukberkuasa tinggidanaplikasi frekuensi tinggidi mana pengurusan haba adalah kritikal. Selain itu, AlN mempunyaijurang jalur yang luasdan cemerlangpenebat elektrik, menjadikannya lebih baik untuk digunakan dalamRFdanperanti gelombang mikroberbanding silikon tradisional.

S: Bolehkah lapisan AlN pada wafer NPSS disesuaikan?

J: Ya, lapisan AlN boleh disesuaikan dari segi ketebalan (dari 2µm hingga 10µm atau lebih) untuk memenuhi keperluan khusus aplikasi anda. Kami juga menawarkan penyesuaian dari segi jenis doping (jenis-N atau jenis-P) dan lapisan tambahan untuk fungsi khusus.

S: Apakah aplikasi tipikal untuk wafer ini dalam industri automotif?

A: Dalam industri automotif, wafer AlN-on-NPSS biasanya digunakan dalamelektronik kuasa, Sistem pencahayaan LED, dansensor suhuIa menyediakan pengurusan haba dan penebat elektrik yang unggul, yang penting untuk sistem kecekapan tinggi yang beroperasi di bawah keadaan suhu yang berbeza-beza.