Wafer Epitaksi GaN-on-SiC Tersuai (100mm, 150mm) – Pelbagai Pilihan Substrat SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Penerangan Ringkas:

Wafer Epitaksi GaN-on-SiC Tersuai kami menawarkan prestasi unggul untuk aplikasi frekuensi tinggi berkuasa tinggi dengan menggabungkan sifat-sifat luar biasa Galium Nitrida (GaN) dengan kekonduksian terma yang teguh dan kekuatan mekanikalSilikon Karbida (SiC)Tersedia dalam saiz wafer 100mm dan 150mm, wafer ini dibina pada pelbagai pilihan substrat SiC, termasuk jenis 4H-N, HPSI dan 4H/6H-P, yang disesuaikan untuk memenuhi keperluan khusus untuk elektronik kuasa, penguat RF dan peranti semikonduktor canggih yang lain. Dengan lapisan epitaksi yang boleh disesuaikan dan substrat SiC yang unik, wafer kami direka bentuk untuk memastikan kecekapan tinggi, pengurusan haba dan kebolehpercayaan untuk aplikasi perindustrian yang mencabar.

Hantar emel kepada kami

Ciri-ciri

●Ketebalan Lapisan EpitaksialBoleh disesuaikan daripada1.0 µmkepada3.5 µm, dioptimumkan untuk prestasi kuasa dan frekuensi tinggi.

●Pilihan Substrat SiCTersedia dengan pelbagai substrat SiC, termasuk:

4H-N4H-SiC yang didop nitrogen berkualiti tinggi untuk aplikasi frekuensi tinggi dan berkuasa tinggi.
HPSISiC Separa Penebat Ketulenan Tinggi untuk aplikasi yang memerlukan pengasingan elektrik.
4H/6H-PCampuran 4H dan 6H-SiC untuk keseimbangan kecekapan dan kebolehpercayaan yang tinggi.

●Saiz Wafer: Terdapat dalam100mmdan150mmdiameter untuk fleksibiliti dalam penskalaan dan penyepaduan peranti.

●Voltan Kerosakan TinggiTeknologi GaN pada SiC menyediakan voltan kerosakan yang tinggi, membolehkan prestasi yang mantap dalam aplikasi berkuasa tinggi.

●Kekonduksian Terma Tinggi: Kekonduksian terma semula jadi SiC (lebih kurang 490 W/m·K) memastikan pelesapan haba yang sangat baik untuk aplikasi intensif kuasa.

Spesifikasi Teknikal

Parameter	Nilai
Diameter Wafer	100mm, 150mm
Ketebalan Lapisan Epitaksial	1.0 µm – 3.5 µm (boleh disesuaikan)
Jenis Substrat SiC	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
Kekonduksian Terma SiC	490 W/m·K
Kerintangan SiC	4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSISeparuh Penebat,4H/6H-PCampuran 4H/6H
Ketebalan Lapisan GaN	1.0 µm – 2.0 µm
Kepekatan Pembawa GaN	10^18 cm^-3 hingga 10^19 cm^-3 (boleh disesuaikan)
Kualiti Permukaan Wafer	Kekasaran RMS: < 1 nm
Ketumpatan Dislokasi	< 1 x 10^6 cm^-2
Busur Wafer	< 50 µm
Kerataan Wafer	< 5 µm
Suhu Operasi Maksimum	400°C (tipikal untuk peranti GaN-on-SiC)

Aplikasi

●Elektronik Kuasa:Wafer GaN-on-SiC memberikan kecekapan tinggi dan pelesapan haba, menjadikannya sesuai untuk penguat kuasa, peranti penukaran kuasa dan litar penyongsang kuasa yang digunakan dalam kenderaan elektrik, sistem tenaga boleh diperbaharui dan jentera perindustrian.
●Penguat Kuasa RF:Gabungan GaN dan SiC sesuai untuk aplikasi RF berkuasa tinggi dan berfrekuensi tinggi seperti telekomunikasi, komunikasi satelit dan sistem radar.
●Aeroangkasa dan Pertahanan:Wafer ini sesuai untuk teknologi aeroangkasa dan pertahanan yang memerlukan elektronik kuasa berprestasi tinggi dan sistem komunikasi yang boleh beroperasi dalam keadaan yang keras.
●Aplikasi Automotif:Sesuai untuk sistem kuasa berprestasi tinggi dalam kenderaan elektrik (EV), kenderaan hibrid (HEV) dan stesen pengecas, yang membolehkan penukaran dan kawalan kuasa yang cekap.
●Sistem Ketenteraan dan Radar:Wafer GaN-on-SiC digunakan dalam sistem radar kerana kecekapan tinggi, keupayaan pengendalian kuasa dan prestasi terma dalam persekitaran yang mencabar.
●Aplikasi Ketuhar Gelombang Mikro dan Gelombang Milimeter:Untuk sistem komunikasi generasi akan datang, termasuk 5G, GaN-on-SiC menyediakan prestasi optimum dalam julat gelombang mikro dan gelombang milimeter berkuasa tinggi.

Soal Jawab

S1: Apakah faedah menggunakan SiC sebagai substrat untuk GaN?

A1:Silikon Karbida (SiC) menawarkan kekonduksian terma yang unggul, voltan kerosakan yang tinggi dan kekuatan mekanikal berbanding substrat tradisional seperti silikon. Ini menjadikan wafer GaN-on-SiC sesuai untuk aplikasi berkuasa tinggi, frekuensi tinggi dan suhu tinggi. Substrat SiC membantu menghilangkan haba yang dihasilkan oleh peranti GaN, meningkatkan kebolehpercayaan dan prestasi.

S2: Bolehkah ketebalan lapisan epitaksi disesuaikan untuk aplikasi tertentu?

A2:Ya, ketebalan lapisan epitaksi boleh disesuaikan dalam julat1.0 µm hingga 3.5 µm, bergantung pada keperluan kuasa dan frekuensi aplikasi anda. Kami boleh menyesuaikan ketebalan lapisan GaN untuk mengoptimumkan prestasi bagi peranti tertentu seperti penguat kuasa, sistem RF atau litar frekuensi tinggi.

S3: Apakah perbezaan antara substrat 4H-N, HPSI dan 4H/6H-P SiC?

A3:

4H-N4H-SiC yang didop nitrogen biasanya digunakan untuk aplikasi frekuensi tinggi yang memerlukan prestasi elektronik yang tinggi.
HPSISiC Separa Penebat Ketulenan Tinggi menyediakan pengasingan elektrik, sesuai untuk aplikasi yang memerlukan kekonduksian elektrik yang minimum.
4H/6H-PCampuran 4H dan 6H-SiC yang mengimbangi prestasi, menawarkan gabungan kecekapan tinggi dan kekukuhan, sesuai untuk pelbagai aplikasi elektronik kuasa.

S4: Adakah wafer GaN-on-SiC ini sesuai untuk aplikasi berkuasa tinggi seperti kenderaan elektrik dan tenaga boleh diperbaharui?

A4:Ya, wafer GaN-on-SiC sangat sesuai untuk aplikasi berkuasa tinggi seperti kenderaan elektrik, tenaga boleh diperbaharui dan sistem perindustrian. Voltan kerosakan yang tinggi, kekonduksian terma yang tinggi dan keupayaan pengendalian kuasa peranti GaN-on-SiC membolehkannya berfungsi dengan berkesan dalam litar penukaran dan kawalan kuasa yang mencabar.

S5: Apakah ketumpatan kehelan tipikal untuk wafer ini?

A5:Ketumpatan kehelan wafer GaN-on-SiC ini biasanya< 1 x 10^6 cm^-2, yang memastikan pertumbuhan epitaksi berkualiti tinggi, meminimumkan kecacatan dan meningkatkan prestasi serta kebolehpercayaan peranti.

S6: Bolehkah saya meminta saiz wafer atau jenis substrat SiC tertentu?

A6:Ya, kami menawarkan saiz wafer tersuai (100mm dan 150mm) dan jenis substrat SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) untuk memenuhi keperluan khusus aplikasi anda. Sila hubungi kami untuk pilihan penyesuaian lanjut dan untuk membincangkan keperluan anda.

S7: Bagaimanakah wafer GaN-on-SiC berfungsi dalam persekitaran yang ekstrem?

A7:Wafer GaN-on-SiC sesuai untuk persekitaran ekstrem kerana kestabilan terma yang tinggi, pengendalian kuasa yang tinggi dan keupayaan pelesapan haba yang sangat baik. Wafer ini berfungsi dengan baik dalam keadaan suhu tinggi, kuasa tinggi dan frekuensi tinggi yang biasa ditemui dalam aplikasi aeroangkasa, pertahanan dan perindustrian.

Kesimpulan

Wafer Epitaksi GaN-on-SiC Tersuai kami menggabungkan sifat-sifat canggih GaN dan SiC untuk memberikan prestasi unggul dalam aplikasi berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi. Dengan pelbagai pilihan substrat SiC dan lapisan epitaksi yang boleh disesuaikan, wafer ini sesuai untuk industri yang memerlukan kecekapan tinggi, pengurusan haba dan kebolehpercayaan. Sama ada untuk elektronik kuasa, sistem RF atau aplikasi pertahanan, wafer GaN-on-SiC kami menawarkan prestasi dan fleksibiliti yang anda perlukan.