Wafer Epitaxial GaN-on-SiC Tersuai (100mm, 150mm) – Pelbagai Pilihan Substrat SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Penerangan ringkas:

Wafer Epitaxial GaN-on-SiC Tersuai kami menawarkan prestasi unggul untuk aplikasi berkuasa tinggi, frekuensi tinggi dengan menggabungkan sifat luar biasa Gallium Nitride (GaN) dengan kekonduksian terma yang teguh dan kekuatan mekanikalSilikon Karbida (SiC). Tersedia dalam saiz wafer 100mm dan 150mm, wafer ini dibina pada pelbagai pilihan substrat SiC, termasuk jenis 4H-N, HPSI dan 4H/6H-P, disesuaikan untuk memenuhi keperluan khusus untuk elektronik kuasa, penguat RF dan peranti semikonduktor lanjutan yang lain. Dengan lapisan epitaxial yang boleh disesuaikan dan substrat SiC yang unik, wafer kami direka untuk memastikan kecekapan tinggi, pengurusan haba dan kebolehpercayaan untuk aplikasi industri yang menuntut.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Ciri-ciri

●Ketebalan Lapisan Epitaxial: Boleh disesuaikan daripada1.0 µmkepada3.5 µm, dioptimumkan untuk prestasi kuasa dan frekuensi tinggi.

●Pilihan Substrat SiC: Tersedia dengan pelbagai substrat SiC, termasuk:

4H-N: 4H-SiC berdop Nitrogen berkualiti tinggi untuk aplikasi berkuasa tinggi frekuensi tinggi.
HPSI: SiC Separa Penebat Ketulenan Tinggi untuk aplikasi yang memerlukan pengasingan elektrik.
4H/6H-P: Campuran 4H dan 6H-SiC untuk keseimbangan kecekapan dan kebolehpercayaan yang tinggi.

●Saiz Wafer: Tersedia dalam100mmdan150mmdiameter untuk serba boleh dalam penskalaan dan penyepaduan peranti.

●Voltan Pecahan Tinggi: Teknologi GaN pada SiC menyediakan voltan pecahan tinggi, membolehkan prestasi mantap dalam aplikasi berkuasa tinggi.

●Konduktiviti Terma Tinggi: Kekonduksian terma yang wujud SiC (kira-kira 490 W/m·K) memastikan pelesapan haba yang sangat baik untuk aplikasi intensif kuasa.

Spesifikasi Teknikal

Parameter	Nilai
Diameter Wafer	100mm, 150mm
Ketebalan Lapisan Epitaxial	1.0 µm – 3.5 µm (boleh disesuaikan)
Jenis Substrat SiC	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
Kekonduksian Terma SiC	490 W/m·K
Kerintangan SiC	4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: Separa Penebat,4H/6H-P: Campuran 4H/6H
Ketebalan Lapisan GaN	1.0 µm – 2.0 µm
Kepekatan Pembawa GaN	10^18 cm^-3 hingga 10^19 cm^-3 (boleh disesuaikan)
Kualiti Permukaan Wafer	Kekasaran RMS: < 1 nm
Ketumpatan Dislokasi	< 1 x 10^6 cm^-2
Wafer Bow	< 50 µm
Kerataan Wafer	< 5 µm
Suhu Operasi Maksimum	400°C (biasa untuk peranti GaN-on-SiC)

Aplikasi

●Kuasa Elektronik:Wafer GaN-on-SiC memberikan kecekapan tinggi dan pelesapan haba, menjadikannya ideal untuk penguat kuasa, peranti penukaran kuasa dan litar penyongsang kuasa yang digunakan dalam kenderaan elektrik, sistem tenaga boleh diperbaharui dan jentera perindustrian.
●Penguat Kuasa RF:Gabungan GaN dan SiC sangat sesuai untuk aplikasi RF frekuensi tinggi dan berkuasa tinggi seperti telekomunikasi, komunikasi satelit dan sistem radar.
●Aeroangkasa dan Pertahanan:Wafer ini sesuai untuk teknologi aeroangkasa dan pertahanan yang memerlukan elektronik kuasa berprestasi tinggi dan sistem komunikasi yang boleh beroperasi dalam keadaan yang teruk.
●Aplikasi Automotif:Sesuai untuk sistem kuasa berprestasi tinggi dalam kenderaan elektrik (EV), kenderaan hibrid (HEV), dan stesen pengecasan, membolehkan penukaran dan kawalan kuasa yang cekap.
●Sistem Tentera dan Radar:Wafer GaN-on-SiC digunakan dalam sistem radar untuk kecekapan tinggi, keupayaan pengendalian kuasa dan prestasi terma dalam persekitaran yang mencabar.
●Aplikasi Gelombang Mikro dan Milimeter-Gelombang:Untuk sistem komunikasi generasi akan datang, termasuk 5G, GaN-on-SiC menyediakan prestasi optimum dalam julat gelombang mikro berkuasa tinggi dan gelombang milimeter.

Soal Jawab

S1: Apakah faedah menggunakan SiC sebagai substrat untuk GaN?

A1:Silicon Carbide (SiC) menawarkan kekonduksian terma yang unggul, voltan pecahan tinggi dan kekuatan mekanikal berbanding substrat tradisional seperti silikon. Ini menjadikan wafer GaN-on-SiC sesuai untuk aplikasi berkuasa tinggi, frekuensi tinggi dan suhu tinggi. Substrat SiC membantu menghilangkan haba yang dihasilkan oleh peranti GaN, meningkatkan kebolehpercayaan dan prestasi.

S2: Bolehkah ketebalan lapisan epitaxial disesuaikan untuk aplikasi tertentu?

A2:Ya, ketebalan lapisan epitaxial boleh disesuaikan dalam julat1.0 µm hingga 3.5 µm, bergantung pada keperluan kuasa dan kekerapan aplikasi anda. Kami boleh menyesuaikan ketebalan lapisan GaN untuk mengoptimumkan prestasi untuk peranti tertentu seperti penguat kuasa, sistem RF atau litar frekuensi tinggi.

S3: Apakah perbezaan antara substrat SiC 4H-N, HPSI dan 4H/6H-P?

A3:

4H-N: 4H-SiC berdop nitrogen biasanya digunakan untuk aplikasi frekuensi tinggi yang memerlukan prestasi elektronik yang tinggi.
HPSI: SiC Separa Penebat Ketulenan Tinggi menyediakan pengasingan elektrik, sesuai untuk aplikasi yang memerlukan kekonduksian elektrik yang minimum.
4H/6H-P: Campuran 4H dan 6H-SiC yang mengimbangi prestasi, menawarkan gabungan kecekapan tinggi dan keteguhan, sesuai untuk pelbagai aplikasi elektronik kuasa.

S4: Adakah wafer GaN-on-SiC ini sesuai untuk aplikasi berkuasa tinggi seperti kenderaan elektrik dan tenaga boleh diperbaharui?

A4:Ya, wafer GaN-on-SiC sangat sesuai untuk aplikasi berkuasa tinggi seperti kenderaan elektrik, tenaga boleh diperbaharui dan sistem perindustrian. Voltan kerosakan yang tinggi, kekonduksian terma yang tinggi dan keupayaan pengendalian kuasa peranti GaN-on-SiC membolehkan peranti tersebut berfungsi dengan berkesan dalam menuntut penukaran kuasa dan litar kawalan.

S5: Apakah ketumpatan kehelan biasa untuk wafer ini?

A5:Ketumpatan kehelan wafer GaN-on-SiC ini biasanya< 1 x 10^6 cm^-2, yang memastikan pertumbuhan epitaxial berkualiti tinggi, meminimumkan kecacatan dan meningkatkan prestasi dan kebolehpercayaan peranti.

S6: Bolehkah saya meminta saiz wafer atau jenis substrat SiC tertentu?

A6:Ya, kami menawarkan saiz wafer tersuai (100mm dan 150mm) dan jenis substrat SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) untuk memenuhi keperluan khusus aplikasi anda. Sila hubungi kami untuk pilihan penyesuaian lanjut dan untuk membincangkan keperluan anda.

S7: Bagaimanakah prestasi wafer GaN-on-SiC dalam persekitaran yang melampau?

A7:Wafer GaN-on-SiC sesuai untuk persekitaran yang melampau kerana kestabilan haba yang tinggi, pengendalian kuasa tinggi dan keupayaan pelesapan haba yang sangat baik. Wafer ini berfungsi dengan baik dalam keadaan suhu tinggi, kuasa tinggi dan frekuensi tinggi yang biasa ditemui dalam aplikasi aeroangkasa, pertahanan dan perindustrian.

Kesimpulan

Wafer Epitaxial GaN-on-SiC Tersuai kami menggabungkan sifat termaju GaN dan SiC untuk memberikan prestasi unggul dalam aplikasi berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi. Dengan pelbagai pilihan substrat SiC dan lapisan epitaxial yang boleh disesuaikan, wafer ini sesuai untuk industri yang memerlukan kecekapan tinggi, pengurusan haba dan kebolehpercayaan. Sama ada untuk elektronik kuasa, sistem RF atau aplikasi pertahanan, wafer GaN-on-SiC kami menawarkan prestasi dan fleksibiliti yang anda perlukan.