Substrat wafer epitaxial berkuasa tinggi GaAs gallium arsenide kuasa wafer laser panjang gelombang 905nm untuk rawatan perubatan laser
Ciri-ciri utama lembaran epitaxial laser GaAs termasuk:
1. Mobiliti elektron tinggi: Gallium arsenide mempunyai mobiliti elektron yang tinggi, yang menjadikan wafer epitaxial laser GaAs mempunyai aplikasi yang baik dalam peranti frekuensi tinggi dan peranti elektronik berkelajuan tinggi.
2. Luminescence peralihan celah jalur langsung: Sebagai bahan celah jalur langsung, galium arsenide boleh menukar tenaga elektrik kepada tenaga cahaya dengan cekap dalam peranti optoelektronik, menjadikannya sesuai untuk pembuatan laser.
3. Panjang gelombang: Laser GaAs 905 biasanya beroperasi pada 905 nm, menjadikannya sesuai untuk banyak aplikasi, termasuk bioperubatan.
4. Kecekapan tinggi: dengan kecekapan penukaran fotoelektrik yang tinggi, ia boleh menukar tenaga elektrik dengan berkesan kepada output laser.
5. Output kuasa tinggi: Ia boleh mencapai output kuasa tinggi dan sesuai untuk senario aplikasi yang memerlukan sumber cahaya yang kuat.
6. Prestasi terma yang baik: Bahan GaAs mempunyai kekonduksian terma yang baik, membantu mengurangkan suhu operasi laser dan meningkatkan kestabilan.
7.Wide tunability: Kuasa output boleh dilaraskan dengan menukar arus pemacu untuk menyesuaikan diri dengan keperluan aplikasi yang berbeza.
Aplikasi utama tablet epitaxial laser GaAs termasuk:
1. Komunikasi gentian optik: Lembaran epitaxial laser GaAs boleh digunakan untuk mengeluarkan laser dalam komunikasi gentian optik untuk mencapai penghantaran isyarat optik berkelajuan tinggi dan jarak jauh.
2. Aplikasi industri: Dalam bidang perindustrian, kepingan epitaxial laser GaAs boleh digunakan untuk julat laser, penandaan laser dan aplikasi lain.
3. VCSEL: Laser pemancar permukaan rongga menegak (VCSEL) ialah medan aplikasi penting lembaran epitaxial laser GaAs, yang digunakan secara meluas dalam komunikasi optik, penyimpanan optik dan penderiaan optik.
4. Medan inframerah dan titik: Lembaran epitaxial laser GaAs juga boleh digunakan untuk mengeluarkan laser inframerah, penjana titik dan peranti lain, memainkan peranan penting dalam pengesanan inframerah, paparan cahaya dan medan lain.
Penyediaan lembaran epitaxial laser GaAs bergantung terutamanya pada teknologi pertumbuhan epitaxial, termasuk pemendapan wap kimia logam-organik (MOCVD), epitaxial rasuk molekul (MBE) dan kaedah lain. Teknik ini boleh mengawal ketebalan, komposisi dan struktur kristal lapisan epitaxial dengan tepat untuk mendapatkan kepingan epitaxial laser GaAs berkualiti tinggi.
XKH menawarkan penyesuaian helaian epitaxial GaAs dalam struktur dan ketebalan yang berbeza, meliputi pelbagai aplikasi dalam komunikasi optik, VCSEL, inframerah dan medan titik cahaya. Produk XKH dihasilkan dengan peralatan MOCVD termaju untuk memastikan prestasi tinggi dan kebolehpercayaan. Dari segi logistik, XKH mempunyai pelbagai saluran sumber antarabangsa, yang boleh mengendalikan bilangan pesanan secara fleksibel, dan menyediakan perkhidmatan nilai tambah seperti penghalusan dan pembahagian. Proses penghantaran yang cekap memastikan penghantaran tepat pada masa dan memenuhi keperluan pelanggan untuk kualiti dan masa penghantaran. Pelanggan boleh mendapatkan sokongan teknikal yang komprehensif dan perkhidmatan selepas jualan selepas ketibaan untuk memastikan produk digunakan dengan lancar.