Wafer epitaksi laser GaAs 4 inci 6 inci VCSEL panjang gelombang laser pancaran permukaan rongga menegak simpang tunggal 940nm

Wafer epitaksi laser GaAs 4 inci 6 inci VCSEL panjang gelombang laser pancaran permukaan rongga menegak 940nm simpang tunggal Imej Pilihan

Penerangan Ringkas:

Reka bentuk yang ditentukan pelanggan Tatasusunan laser Gigabit Ethernet untuk keseragaman tinggi wafer 6 inci 850/940nm panjang gelombang optik pusat oksida terhad atau proton yang ditanamkan komunikasi pautan data digital VCSEL, tetikus laser ciri elektrik dan optik sensitiviti rendah terhadap suhu. VCSEL-940 Single Junction ialah laser pemancar permukaan rongga menegak (VCSEL) dengan panjang gelombang pancaran biasanya sekitar 940 nanometer. Laser sedemikian biasanya terdiri daripada satu telaga kuantum dan mampu memberikan pancaran cahaya yang cekap. Panjang gelombang 940 nanometer menjadikannya dalam spektrum inframerah, sesuai untuk pelbagai aplikasi. Berbanding dengan jenis laser lain, VCsel mempunyai kecekapan penukaran elektro-optik yang lebih tinggi. Pakej VCSEL agak kecil dan mudah diintegrasikan. Aplikasi VCSEL-940 yang meluas telah menjadikannya memainkan peranan penting dalam teknologi moden.

Hantar emel kepada kami

Ciri-ciri

Ciri-ciri utama lembaran epitaksi laser GaAs termasuk

1. Struktur simpang tunggal: Laser ini biasanya terdiri daripada satu telaga kuantum, yang boleh memberikan pancaran cahaya yang cekap.
2. Panjang gelombang: Panjang gelombang 940 nm menjadikannya dalam julat spektrum inframerah, sesuai untuk pelbagai aplikasi.
3. Kecekapan tinggi: Berbanding dengan jenis laser lain, VCSEL mempunyai kecekapan penukaran elektro-optik yang tinggi.
4. Kekompakan: Pakej VCSEL agak kecil dan mudah diintegrasikan.

5. Arus ambang rendah dan kecekapan tinggi: Laser heterostruktur yang tertanam mempamerkan ketumpatan arus ambang pengelas yang sangat rendah (cth. 4mA/cm²) dan kecekapan kuantum pembezaan luaran yang tinggi (cth. 36%), dengan kuasa output linear melebihi 15mW.
6. Kestabilan mod pandu gelombang: Laser heterostruktur yang tertimbus mempunyai kelebihan kestabilan mod pandu gelombang disebabkan oleh mekanisme pandu gelombang berpandu indeks biasan dan lebar jalur aktif yang sempit (kira-kira 2μm).
7. Kecekapan penukaran fotoelektrik yang sangat baik: Dengan mengoptimumkan proses pertumbuhan epitaksi, kecekapan kuantum dalaman yang tinggi dan kecekapan penukaran fotoelektrik boleh diperolehi untuk mengurangkan kehilangan dalaman.
8. Kebolehpercayaan dan jangka hayat yang tinggi: teknologi pertumbuhan epitaksi berkualiti tinggi boleh menyediakan kepingan epitaksi dengan penampilan permukaan yang baik dan ketumpatan kecacatan yang rendah, meningkatkan kebolehpercayaan dan jangka hayat produk.
9. Sesuai untuk pelbagai aplikasi: Lembaran epitaksi diod laser berasaskan GAAS digunakan secara meluas dalam komunikasi gentian optik, aplikasi perindustrian, inframerah dan pengesan foto dan bidang lain.

Cara aplikasi utama lembaran epitaksi laser GaAs termasuk

1. Komunikasi optik dan komunikasi data: Wafer epitaksi GaAs digunakan secara meluas dalam bidang komunikasi optik, terutamanya dalam sistem komunikasi optik berkelajuan tinggi, untuk pembuatan peranti optoelektronik seperti laser dan pengesan.

2. Aplikasi perindustrian: Lembaran epitaksi laser GaAs juga mempunyai kegunaan penting dalam aplikasi perindustrian, seperti pemprosesan, pengukuran dan pengesanan laser.

3. Elektronik pengguna: Dalam elektronik pengguna, wafer epitaksi GaAs digunakan untuk mengeluarkan VCsel (laser pemancar permukaan rongga menegak), yang digunakan secara meluas dalam telefon pintar dan elektronik pengguna lain.

4. Aplikasi Rf: Bahan GaAs mempunyai kelebihan yang ketara dalam bidang RF dan digunakan untuk mengeluarkan peranti RF berprestasi tinggi.

5. Laser titik kuantum: Laser titik kuantum berasaskan GAAS digunakan secara meluas dalam bidang komunikasi, perubatan dan ketenteraan, terutamanya dalam jalur komunikasi optik 1.31µm.

6. Suis Q pasif: Penyerap GaAs digunakan untuk laser keadaan pepejal yang dipam diod dengan suis Q pasif, yang sesuai untuk pemesinan mikro, penjejakan dan pembedahan mikro.

Aplikasi ini menunjukkan potensi wafer epitaksi laser GaAs dalam pelbagai aplikasi berteknologi tinggi.

XKH menawarkan wafer epitaksi GaAs dengan struktur dan ketebalan berbeza yang disesuaikan dengan keperluan pelanggan, meliputi pelbagai aplikasi seperti VCSEL/HCSEL, WLAN, stesen pangkalan 4G/5G, dan sebagainya. Produk XKH dihasilkan menggunakan peralatan MOCVD canggih untuk memastikan prestasi dan kebolehpercayaan yang tinggi. Dari segi logistik, kami mempunyai pelbagai saluran sumber antarabangsa, boleh mengendalikan bilangan pesanan secara fleksibel, dan menyediakan perkhidmatan nilai tambah seperti penipisan, segmentasi, dan sebagainya. Proses penghantaran yang cekap memastikan penghantaran tepat pada masanya dan memenuhi keperluan pelanggan untuk kualiti dan masa penghantaran. Selepas ketibaan, pelanggan boleh mendapatkan sokongan teknikal yang komprehensif dan perkhidmatan selepas jualan untuk memastikan produk digunakan dengan lancar.