Wafer epitaxial laser GaAs 4 inci 6 inci VCSEL rongga menegak pancaran permukaan laser panjang gelombang 940nm persimpangan tunggal

Penerangan ringkas:

Reka bentuk yang ditentukan pelanggan Tatasusunan laser Gigabit Ethernet untuk keseragaman tinggi wafer 6-inci 850/940nm pusat panjang gelombang optik oksida terhad atau komunikasi pautan data digital VCSEL yang ditanam proton, ciri elektrik dan optik tetikus laser sensitiviti rendah kepada suhu. Persimpangan Tunggal VCSEL-940 ialah laser pemancar permukaan rongga menegak (VCSEL) dengan panjang gelombang pancaran biasanya sekitar 940 nanometer. Laser sedemikian biasanya terdiri daripada telaga kuantum tunggal dan mampu memberikan pelepasan cahaya yang cekap. Panjang gelombang 940 nanometer menjadikannya dalam spektrum inframerah, sesuai untuk pelbagai aplikasi. Berbanding dengan jenis laser lain, VCsels mempunyai kecekapan penukaran elektro-optik yang lebih tinggi. Pakej VCSEL agak kecil dan mudah untuk disepadukan. Aplikasi luas VCSEL-940 telah menjadikannya memainkan peranan penting dalam teknologi moden.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Ciri-ciri utama lembaran epitaxial laser GaAs termasuk

1. Struktur persimpangan tunggal: Laser ini biasanya terdiri daripada telaga kuantum tunggal, yang boleh memberikan pelepasan cahaya yang cekap.
2. Panjang gelombang: Panjang gelombang 940 nm menjadikannya dalam julat spektrum inframerah, sesuai untuk pelbagai aplikasi.
3. Kecekapan tinggi: Berbanding dengan jenis laser lain, VCSEL mempunyai kecekapan penukaran elektro-optik yang tinggi.
4. Kekompakan: Pakej VCSEL agak kecil dan mudah untuk disepadukan.

5. Arus ambang rendah dan kecekapan tinggi: Laser heterostruktur yang tertimbus mempamerkan ketumpatan arus ambang pengikat yang sangat rendah (cth 4mA/cm²) dan kecekapan kuantum pembezaan luaran yang tinggi (cth 36%), dengan kuasa keluaran linear melebihi 15mW.
6. Kestabilan mod pandu gelombang: Laser heterostruktur terkubur mempunyai kelebihan kestabilan mod pandu gelombang kerana mekanisme pandu gelombang berpandukan indeks biasan dan lebar jalur aktif yang sempit (kira-kira 2μm).
7. Kecekapan penukaran fotoelektrik yang sangat baik: Dengan mengoptimumkan proses pertumbuhan epitaxial, kecekapan kuantum dalaman yang tinggi dan kecekapan penukaran fotoelektrik boleh diperolehi untuk mengurangkan kehilangan dalaman.
8. Kebolehpercayaan dan hayat yang tinggi: teknologi pertumbuhan epitaxial berkualiti tinggi boleh menyediakan kepingan epitaxial dengan penampilan permukaan yang baik dan ketumpatan kecacatan yang rendah, meningkatkan kebolehpercayaan dan hayat produk.
9. Sesuai untuk pelbagai aplikasi: Lembaran epitaxial diod laser berasaskan GAAS digunakan secara meluas dalam komunikasi gentian optik, aplikasi industri, inframerah dan pengesan foto dan bidang lain.

Cara aplikasi utama lembaran epitaxial laser GaAs termasuk

1. Komunikasi optik dan komunikasi data: Wafer epitaxial GaAs digunakan secara meluas dalam bidang komunikasi optik, terutamanya dalam sistem komunikasi optik berkelajuan tinggi, untuk pembuatan peranti optoelektronik seperti laser dan pengesan.

2. Aplikasi industri: Lembaran epitaxial laser GaAs juga mempunyai kegunaan penting dalam aplikasi industri, seperti pemprosesan laser, pengukuran dan penderiaan.

3. Elektronik pengguna: Dalam elektronik pengguna, wafer epitaxial GaAs digunakan untuk mengeluarkan VCsels (laser pemancar permukaan rongga menegak), yang digunakan secara meluas dalam telefon pintar dan elektronik pengguna lain.

4. Aplikasi Rf: Bahan GaAs mempunyai kelebihan yang ketara dalam bidang RF dan digunakan untuk mengeluarkan peranti RF berprestasi tinggi.

5. Laser kuantum dot: Laser kuantum dot berasaskan GAAS digunakan secara meluas dalam bidang komunikasi, perubatan dan ketenteraan, terutamanya dalam jalur komunikasi optik 1.31µm.

6. Suis Q pasif: Penyerap GaAs digunakan untuk laser keadaan pepejal yang dipam diod dengan suis Q pasif, yang sesuai untuk pemesinan mikro, julat dan pembedahan mikro.

Aplikasi ini menunjukkan potensi wafer epitaxial laser GaAs dalam pelbagai aplikasi berteknologi tinggi.

XKH menawarkan wafer epitaxial GaAs dengan struktur dan ketebalan berbeza yang disesuaikan dengan keperluan pelanggan, meliputi pelbagai aplikasi seperti stesen pangkalan VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G, dll. Produk XKH dihasilkan menggunakan peralatan MOCVD termaju untuk memastikan prestasi tinggi dan kebolehpercayaan. Dari segi logistik, kami mempunyai pelbagai saluran sumber antarabangsa, boleh mengendalikan bilangan pesanan secara fleksibel, dan menyediakan perkhidmatan nilai tambah seperti penipisan, segmentasi, dll. Proses penghantaran yang cekap memastikan penghantaran tepat pada masa dan memenuhi keperluan pelanggan untuk kualiti dan masa penghantaran. Selepas ketibaan, pelanggan boleh mendapatkan sokongan teknikal yang komprehensif dan perkhidmatan selepas jualan untuk memastikan produk digunakan dengan lancar.