Rumah
Syarikat
Mengenai Xinkehui
Produk
Substrat
nilam
SiC
silikon
LiTaO3_LiNbO3
AlN
GaAs
InP
InSb
Kaca lain
Produk Optik
Kuarza, BF33 dan K9
Kristal nilam
Tiub dan batang nilam
Tingkap nilam
Lapisan epi
wafer GaN Epitaxy
Produk seramik
Kristal permata sintetik
Pembawa Wafer
Peralatan semikonduktor
Bahan kristal tunggal logam
Berita
Kenalan
English
Rumah
Produk
Substrat
GaAs
GaAs
Substrat wafer epitaxial berkuasa tinggi GaAs gallium arsenide kuasa wafer laser panjang gelombang 905nm untuk rawatan perubatan laser
Wafer epitaxial laser GaAs 4 inci 6 inci VCSEL rongga menegak pancaran permukaan laser panjang gelombang 940nm persimpangan tunggal
Tekan enter untuk mencari atau ESC untuk menutup
English
French
German
Portuguese
Spanish
Russian
Japanese
Korean
Arabic
Irish
Greek
Turkish
Italian
Danish
Romanian
Indonesian
Czech
Afrikaans
Swedish
Polish
Basque
Catalan
Esperanto
Hindi
Lao
Albanian
Amharic
Armenian
Azerbaijani
Belarusian
Bengali
Bosnian
Bulgarian
Cebuano
Chichewa
Corsican
Croatian
Dutch
Estonian
Filipino
Finnish
Frisian
Galician
Georgian
Gujarati
Haitian
Hausa
Hawaiian
Hebrew
Hmong
Hungarian
Icelandic
Igbo
Javanese
Kannada
Kazakh
Khmer
Kurdish
Kyrgyz
Latin
Latvian
Lithuanian
Luxembou..
Macedonian
Malagasy
Malay
Malayalam
Maltese
Maori
Marathi
Mongolian
Burmese
Nepali
Norwegian
Pashto
Persian
Punjabi
Serbian
Sesotho
Sinhala
Slovak
Slovenian
Somali
Samoan
Scots Gaelic
Shona
Sindhi
Sundanese
Swahili
Tajik
Tamil
Telugu
Thai
Ukrainian
Urdu
Uzbek
Vietnamese
Welsh
Xhosa
Yiddish
Yoruba
Zulu
Kinyarwanda
Tatar
Oriya
Turkmen
Uyghur
