Gallium Nitride (GaN) Epitaxial Tumbuh pada Wafer Nilam 4 inci 6 inci untuk MEMS

Epitaxial Gallium Nitride (GaN) Ditanam pada Wafer Nilam 4 inci 6 inci untuk Imej Pilihan MEMS

Penerangan ringkas:

Gallium Nitride (GaN) pada wafer Nilam menawarkan prestasi yang tiada tandingan untuk aplikasi frekuensi tinggi dan berkuasa tinggi, menjadikannya bahan ideal untuk modul hujung hadapan RF (Radio Frekuensi) generasi akan datang, lampu LED dan peranti semikonduktor lain.GaNCiri-ciri elektrik yang unggul, termasuk jurang jalur yang tinggi, membolehkannya beroperasi pada voltan dan suhu kerosakan yang lebih tinggi daripada peranti berasaskan silikon tradisional. Memandangkan GaN semakin diterima pakai berbanding silikon, ia memacu kemajuan dalam elektronik yang menuntut bahan yang ringan, berkuasa dan cekap.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Sifat GaN pada Wafer Nilam

●Kecekapan Tinggi:Peranti berasaskan GaN memberikan kuasa lima kali lebih banyak daripada peranti berasaskan silikon, meningkatkan prestasi dalam pelbagai aplikasi elektronik, termasuk penguatan RF dan optoelektronik.
●Wide Bandgap:Jurang jalur lebar GaN membolehkan kecekapan tinggi pada suhu tinggi, menjadikannya sesuai untuk aplikasi berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi.
●Ketahanan:Keupayaan GaN untuk mengendalikan keadaan yang melampau (suhu tinggi dan sinaran) memastikan prestasi yang tahan lama dalam persekitaran yang keras.
●Saiz Kecil:GaN membolehkan pengeluaran peranti yang lebih padat dan ringan berbanding bahan semikonduktor tradisional, memudahkan elektronik yang lebih kecil dan berkuasa.

Abstrak

Gallium Nitride (GaN) muncul sebagai semikonduktor pilihan untuk aplikasi termaju yang memerlukan kuasa dan kecekapan tinggi, seperti modul bahagian hadapan RF, sistem komunikasi berkelajuan tinggi dan pencahayaan LED. Wafer epitaxial GaN, apabila ditanam pada substrat nilam, menawarkan gabungan kekonduksian terma yang tinggi, voltan pecahan tinggi dan tindak balas frekuensi lebar, yang merupakan kunci untuk prestasi optimum dalam peranti komunikasi wayarles, radar dan jammer. Wafer ini tersedia dalam kedua-dua diameter 4 inci dan 6 inci, dengan ketebalan GaN yang berbeza-beza untuk memenuhi keperluan teknikal yang berbeza. Sifat unik GaN menjadikannya calon utama untuk masa depan elektronik kuasa.

Parameter Produk

Ciri Produk	Spesifikasi
Diameter Wafer	50mm, 100mm, 50.8mm
Substrat	nilam
Ketebalan Lapisan GaN	0.5 μm - 10 μm
Jenis GaN/Doping	N-type (P-type tersedia atas permintaan)
Orientasi Kristal GaN	<0001>
Jenis Penggilap	Digilap Sebelah Sebelah (SSP), Digilap Dua Sebelah (DSP)
Ketebalan Al2O3	430 μm - 650 μm
TTV (Jumlah Variasi Ketebalan)	≤ 10 μm
Tunduk	≤ 10 μm
meledingkan	≤ 10 μm
Kawasan Permukaan	Kawasan Permukaan Boleh Digunakan > 90%

Soal Jawab

S1: Apakah kelebihan utama menggunakan GaN berbanding semikonduktor berasaskan silikon tradisional?

A1: GaN menawarkan beberapa kelebihan ketara berbanding silikon, termasuk jurang jalur yang lebih luas, yang membolehkan ia mengendalikan voltan kerosakan yang lebih tinggi dan beroperasi dengan cekap pada suhu yang lebih tinggi. Ini menjadikan GaN sesuai untuk aplikasi berkuasa tinggi, frekuensi tinggi seperti modul RF, penguat kuasa dan LED. Keupayaan GaN untuk mengendalikan ketumpatan kuasa yang lebih tinggi juga membolehkan peranti yang lebih kecil dan lebih cekap berbanding alternatif berasaskan silikon.

S2: Bolehkah wafer GaN pada Sapphire digunakan dalam aplikasi MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems)?

A2: Ya, wafer GaN on Sapphire sesuai untuk aplikasi MEMS, terutamanya di mana kuasa tinggi, kestabilan suhu dan hingar rendah diperlukan. Ketahanan dan kecekapan bahan dalam persekitaran frekuensi tinggi menjadikannya sesuai untuk peranti MEMS yang digunakan dalam komunikasi tanpa wayar, penderiaan dan sistem radar.

S3: Apakah aplikasi berpotensi GaN dalam komunikasi tanpa wayar?

A3: GaN digunakan secara meluas dalam modul bahagian hadapan RF untuk komunikasi tanpa wayar, termasuk infrastruktur 5G, sistem radar dan jammer. Ketumpatan kuasa tinggi dan kekonduksian terma menjadikannya sempurna untuk peranti berkuasa tinggi, frekuensi tinggi, membolehkan prestasi yang lebih baik dan faktor bentuk yang lebih kecil berbanding dengan penyelesaian berasaskan silikon.

S4: Apakah masa utama dan kuantiti pesanan minimum untuk wafer GaN pada Sapphire?

A4: Masa utama dan kuantiti pesanan minimum berbeza-beza bergantung pada saiz wafer, ketebalan GaN dan keperluan pelanggan khusus. Sila hubungi kami terus untuk harga terperinci dan ketersediaan berdasarkan spesifikasi anda.

S5: Bolehkah saya mendapatkan ketebalan lapisan GaN tersuai atau tahap doping?

A5: Ya, kami menawarkan penyesuaian ketebalan GaN dan tahap doping untuk memenuhi keperluan aplikasi tertentu. Sila beritahu kami spesifikasi yang anda inginkan, dan kami akan menyediakan penyelesaian yang disesuaikan.