Gallium Nitride pada wafer Silikon 4 inci 6 inci Pilihan Orientasi Substrat Si Tersesuai, Kerintangan dan N-jenis/jenis-P
Ciri-ciri
●Wide Bandgap:GaN (3.4 eV) memberikan peningkatan ketara dalam prestasi frekuensi tinggi, kuasa tinggi dan suhu tinggi berbanding silikon tradisional, menjadikannya sesuai untuk peranti kuasa dan penguat RF.
●Orientasi Substrat Si Boleh Disesuaikan:Pilih daripada orientasi substrat Si yang berbeza seperti <111>, <100> dan lain-lain untuk memadankan keperluan peranti tertentu.
●Kerintangan Tersuai:Pilih antara pilihan kerintangan yang berbeza untuk Si, daripada separa penebat kepada rintangan tinggi dan rintangan rendah untuk mengoptimumkan prestasi peranti.
●Jenis Doping:Tersedia dalam doping jenis N atau jenis P untuk memadankan keperluan peranti kuasa, transistor RF atau LED.
●Voltan Pecahan Tinggi:Wafer GaN-on-Si mempunyai voltan pecahan tinggi (sehingga 1200V), membolehkan mereka mengendalikan aplikasi voltan tinggi.
●Kelajuan Penukaran Lebih Cepat:GaN mempunyai mobiliti elektron yang lebih tinggi dan kehilangan pensuisan yang lebih rendah daripada silikon, menjadikan wafer GaN-on-Si sesuai untuk litar berkelajuan tinggi.
● Prestasi Terma Dipertingkat:Walaupun kekonduksian haba silikon yang rendah, GaN-on-Si masih menawarkan kestabilan terma yang unggul, dengan pelesapan haba yang lebih baik daripada peranti silikon tradisional.
Spesifikasi Teknikal
| Parameter | Nilai |
| Saiz Wafer | 4 inci, 6 inci |
| Si Substrat Orientasi | <111>, <100>, tersuai |
| Kerintangan Si | Rintangan tinggi, Separa penebat, Rintangan rendah |
| Jenis Doping | Jenis-N, jenis-P |
| Ketebalan Lapisan GaN | 100 nm – 5000 nm (boleh disesuaikan) |
| Lapisan Penghalang AlGaN | 24% – 28% Al (biasa 10-20 nm) |
| Voltan Pecahan | 600V – 1200V |
| Mobiliti Elektron | 2000 cm²/V·s |
| Kekerapan Penukaran | Sehingga 18 GHz |
| Kekasaran Permukaan Wafer | RMS ~0.25 nm (AFM) |
| Rintangan Lembaran GaN | 437.9 Ω·cm² |
| Jumlah Warp Wafer | < 25 µm (maksimum) |
| Kekonduksian Terma | 1.3 – 2.1 W/cm·K |
Aplikasi
Elektronik Kuasa: GaN-on-Si sesuai untuk elektronik kuasa seperti penguat kuasa, penukar dan penyongsang yang digunakan dalam sistem tenaga boleh diperbaharui, kenderaan elektrik (EV) dan peralatan industri. Voltan pecahan yang tinggi dan rintangan pada yang rendah memastikan penukaran kuasa yang cekap, walaupun dalam aplikasi berkuasa tinggi.
Komunikasi RF dan Gelombang Mikro: Wafer GaN-on-Si menawarkan keupayaan frekuensi tinggi, menjadikannya sempurna untuk penguat kuasa RF, komunikasi satelit, sistem radar dan teknologi 5G. Dengan kelajuan pensuisan yang lebih tinggi dan keupayaan untuk beroperasi pada frekuensi yang lebih tinggi (sehingga18 GHz), peranti GaN menawarkan prestasi unggul dalam aplikasi ini.
Elektronik Automotif: GaN-on-Si digunakan dalam sistem kuasa automotif, termasukpengecas on-board (OBC)danPenukar DC-DC. Keupayaannya untuk beroperasi pada suhu yang lebih tinggi dan menahan paras voltan yang lebih tinggi menjadikannya sesuai untuk aplikasi kenderaan elektrik yang menuntut penukaran kuasa yang mantap.
LED dan Optoelektronik: GaN adalah bahan pilihan untuk LED biru dan putih. Wafer GaN-on-Si digunakan untuk menghasilkan sistem pencahayaan LED berkecekapan tinggi, memberikan prestasi cemerlang dalam pencahayaan, teknologi paparan dan komunikasi optik.
Soal Jawab
S1: Apakah kelebihan GaN berbanding silikon dalam peranti elektronik?
A1:GaN mempunyai ajurang jalur yang lebih luas (3.4 eV)daripada silikon (1.1 eV), yang membolehkannya menahan voltan dan suhu yang lebih tinggi. Sifat ini membolehkan GaN mengendalikan aplikasi berkuasa tinggi dengan lebih cekap, mengurangkan kehilangan kuasa dan meningkatkan prestasi sistem. GaN juga menawarkan kelajuan pensuisan yang lebih pantas, yang penting untuk peranti frekuensi tinggi seperti penguat RF dan penukar kuasa.
S2: Bolehkah saya menyesuaikan orientasi substrat Si untuk aplikasi saya?
A2:Ya, kami tawarkanorientasi substrat Si boleh disesuaikanseperti<111>, <100>, dan orientasi lain bergantung pada keperluan peranti anda. Orientasi substrat Si memainkan peranan penting dalam prestasi peranti, termasuk ciri elektrik, tingkah laku terma dan kestabilan mekanikal.
S3: Apakah faedah menggunakan wafer GaN-on-Si untuk aplikasi frekuensi tinggi?
A3:Wafer GaN-on-Si menawarkan yang lebih baikkelajuan menukar, membolehkan operasi yang lebih pantas pada frekuensi yang lebih tinggi berbanding silikon. Ini menjadikan mereka sesuai untukRFdangelombang mikroaplikasi, serta frekuensi tinggiperanti kuasasepertiHEMT(Transistor Mobiliti Elektron Tinggi) danPenguat RF. Mobiliti elektron GaN yang lebih tinggi juga mengakibatkan kehilangan pensuisan yang lebih rendah dan kecekapan yang lebih baik.
S4: Apakah pilihan doping yang tersedia untuk wafer GaN-on-Si?
A4:Kami menawarkan kedua-duanyaN-jenisdanJenis-Ppilihan doping, yang biasanya digunakan untuk pelbagai jenis peranti semikonduktor.Doping jenis Nadalah sesuai untuktransistor kuasadanPenguat RF, manakalaDoping jenis Psering digunakan untuk peranti optoelektronik seperti LED.
Kesimpulan
Wafer Gallium Nitride pada Silikon (GaN-on-Si) Tersuai kami menyediakan penyelesaian ideal untuk aplikasi frekuensi tinggi, berkuasa tinggi dan suhu tinggi. Dengan orientasi substrat Si yang boleh disesuaikan, kerintangan dan doping jenis N/jenis P, wafer ini disesuaikan untuk memenuhi keperluan khusus industri daripada elektronik kuasa dan sistem automotif kepada komunikasi RF dan teknologi LED. Dengan memanfaatkan sifat unggul GaN dan kebolehskalaan silikon, wafer ini menawarkan prestasi, kecekapan dan kalis masa hadapan yang dipertingkatkan untuk peranti generasi akan datang.
Gambarajah Terperinci
