Wafer GaN-on-Diamond 4 inci 6 inci Jumlah ketebalan epi (mikron) 0.6 ~ 2.5 atau disesuaikan untuk Aplikasi Frekuensi Tinggi
Hartanah
Saiz Wafer:
Tersedia dalam diameter 4 inci dan 6 inci untuk penyepaduan serba boleh ke dalam pelbagai proses pembuatan semikonduktor.
Pilihan penyesuaian tersedia untuk saiz wafer, bergantung pada keperluan pelanggan.
Ketebalan Lapisan Epitaxial:
Julat: 0.6 µm hingga 2.5 µm, dengan pilihan untuk ketebalan tersuai berdasarkan keperluan aplikasi tertentu.
Lapisan epitaxial direka untuk memastikan pertumbuhan kristal GaN berkualiti tinggi, dengan ketebalan yang dioptimumkan untuk mengimbangi kuasa, tindak balas frekuensi dan pengurusan terma.
Kekonduksian Terma:
Lapisan berlian memberikan kekonduksian terma yang sangat tinggi kira-kira 2000-2200 W/m·K, memastikan pelesapan haba yang cekap daripada peranti berkuasa tinggi.
Sifat Bahan GaN:
Celah Jalur Lebar: Lapisan GaN mendapat manfaat daripada celah jalur lebar (~3.4 eV), yang membolehkan operasi dalam persekitaran yang keras, voltan tinggi dan keadaan suhu tinggi.
Mobiliti Elektron: Mobiliti elektron yang tinggi (lebih kurang 2000 cm²/V·s), membawa kepada pensuisan yang lebih pantas dan frekuensi operasi yang lebih tinggi.
Voltan Pecahan Tinggi: Voltan kerosakan GaN jauh lebih tinggi daripada bahan semikonduktor konvensional, menjadikannya sesuai untuk aplikasi intensif kuasa.
Prestasi Elektrik:
Ketumpatan Kuasa Tinggi: Wafer GaN-on-Diamond membolehkan output kuasa tinggi sambil mengekalkan faktor bentuk yang kecil, sesuai untuk penguat kuasa dan sistem RF.
Kerugian Rendah: Gabungan kecekapan GaN dan pelesapan haba berlian membawa kepada kehilangan kuasa yang lebih rendah semasa operasi.
Kualiti Permukaan:
Pertumbuhan Epitaxial Berkualiti Tinggi: Lapisan GaN ditanam secara epitaksi pada substrat berlian, memastikan ketumpatan terkehel minimum, kualiti kristal yang tinggi dan prestasi peranti yang optimum.
Keseragaman:
Keseragaman Ketebalan dan Komposisi: Kedua-dua lapisan GaN dan substrat berlian mengekalkan keseragaman yang sangat baik, penting untuk prestasi peranti yang konsisten dan kebolehpercayaan.
Kestabilan kimia:
Kedua-dua GaN dan berlian menawarkan kestabilan kimia yang luar biasa, membolehkan wafer ini berfungsi dengan baik dalam persekitaran kimia yang keras.
Aplikasi
Penguat Kuasa RF:
Wafer GaN-on-Diamond sesuai untuk penguat kuasa RF dalam telekomunikasi, sistem radar dan komunikasi satelit, menawarkan kedua-dua kecekapan tinggi dan kebolehpercayaan pada frekuensi tinggi (cth, 2 GHz hingga 20 GHz dan seterusnya).
Komunikasi Gelombang Mikro:
Wafer ini cemerlang dalam sistem komunikasi gelombang mikro, di mana output kuasa tinggi dan degradasi isyarat minimum adalah kritikal.
Teknologi Radar dan Penderiaan:
Wafer GaN-on-Diamond digunakan secara meluas dalam sistem radar, memberikan prestasi yang mantap dalam aplikasi frekuensi tinggi dan berkuasa tinggi, terutamanya dalam sektor ketenteraan, automotif dan aeroangkasa.
Sistem Satelit:
Dalam sistem komunikasi satelit, wafer ini memastikan ketahanan dan prestasi tinggi penguat kuasa, mampu beroperasi dalam keadaan persekitaran yang melampau.
Elektronik Berkuasa Tinggi:
Keupayaan pengurusan haba GaN-on-Diamond menjadikannya sesuai untuk elektronik berkuasa tinggi, seperti penukar kuasa, penyongsang dan geganti keadaan pepejal.
Sistem Pengurusan Terma:
Disebabkan oleh kekonduksian terma berlian yang tinggi, wafer ini boleh digunakan dalam aplikasi yang memerlukan pengurusan haba yang teguh, seperti sistem LED dan laser berkuasa tinggi.
Soal Jawab untuk Wafer GaN-on-Diamond
S1: Apakah kelebihan menggunakan wafer GaN-on-Diamond dalam aplikasi frekuensi tinggi?
A1:Wafer GaN-on-Diamond menggabungkan mobiliti elektron yang tinggi dan jurang jalur lebar GaN dengan kekonduksian terma berlian yang luar biasa. Ini membolehkan peranti frekuensi tinggi beroperasi pada tahap kuasa yang lebih tinggi sambil menguruskan haba dengan berkesan, memastikan kecekapan dan kebolehpercayaan yang lebih tinggi berbanding dengan bahan tradisional.
S2: Bolehkah wafer GaN-on-Diamond disesuaikan untuk keperluan kuasa dan frekuensi tertentu?
A2:Ya, wafer GaN-on-Diamond menawarkan pilihan yang boleh disesuaikan, termasuk ketebalan lapisan epitaxial (0.6 µm hingga 2.5 µm), saiz wafer (4-inci, 6-inci) dan parameter lain berdasarkan keperluan aplikasi tertentu, memberikan kefleksibelan untuk aplikasi berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi.
S3: Apakah faedah utama berlian sebagai substrat untuk GaN?
A3:Kekonduksian terma melampau Diamond (sehingga 2200 W/m·K) membantu menghilangkan haba yang dijana oleh peranti GaN berkuasa tinggi dengan cekap. Keupayaan pengurusan terma ini membolehkan peranti GaN-on-Diamond beroperasi pada ketumpatan dan frekuensi kuasa yang lebih tinggi, memastikan prestasi peranti dan jangka hayat yang lebih baik.
S4: Adakah wafer GaN-on-Diamond sesuai untuk aplikasi angkasa lepas atau aeroangkasa?
A4:Ya, wafer GaN-on-Diamond sangat sesuai untuk aplikasi angkasa dan aeroangkasa kerana kebolehpercayaan yang tinggi, keupayaan pengurusan haba dan prestasi dalam keadaan yang melampau, seperti sinaran tinggi, variasi suhu dan operasi frekuensi tinggi.
S5: Apakah jangka hayat peranti yang dijangka dibuat daripada wafer GaN-on-Diamond?
A5:Gabungan ketahanan yang wujud GaN dan sifat pelesapan haba yang luar biasa berlian menghasilkan jangka hayat yang panjang untuk peranti. Peranti GaN-on-Diamond direka untuk beroperasi dalam persekitaran yang keras dan keadaan kuasa tinggi dengan degradasi minimum dari semasa ke semasa.
S6: Bagaimanakah kekonduksian terma berlian mempengaruhi prestasi keseluruhan wafer GaN-on-Diamond?
A6:Kekonduksian terma berlian yang tinggi memainkan peranan penting dalam meningkatkan prestasi wafer GaN-on-Diamond dengan mengalirkan haba yang dijana dalam aplikasi berkuasa tinggi dengan cekap. Ini memastikan peranti GaN mengekalkan prestasi optimum, mengurangkan tekanan haba dan mengelakkan terlalu panas, yang merupakan cabaran biasa dalam peranti semikonduktor konvensional.
S7: Apakah aplikasi biasa di mana wafer GaN-on-Diamond mengatasi bahan semikonduktor lain?
A7:Wafer GaN-on-Diamond mengatasi prestasi bahan lain dalam aplikasi yang memerlukan pengendalian kuasa tinggi, operasi frekuensi tinggi dan pengurusan haba yang cekap. Ini termasuk penguat kuasa RF, sistem radar, komunikasi gelombang mikro, komunikasi satelit dan elektronik berkuasa tinggi yang lain.
Kesimpulan
Wafer GaN-on-Diamond menawarkan penyelesaian unik untuk aplikasi frekuensi tinggi dan berkuasa tinggi, menggabungkan prestasi tinggi GaN dengan sifat terma berlian yang luar biasa. Dengan ciri yang boleh disesuaikan, ia direka untuk memenuhi keperluan industri yang memerlukan penyampaian kuasa yang cekap, pengurusan haba dan operasi frekuensi tinggi, memastikan kebolehpercayaan dan jangka hayat dalam persekitaran yang mencabar.
Gambarajah Terperinci
