GaN pada Kaca 4-Inci: Pilihan Kaca Boleh Disesuaikan Termasuk JGS1, JGS2, BF33 dan Kuarza Biasa
Ciri-ciri
●Wide Bandgap:GaN mempunyai celah jalur 3.4 eV, yang membolehkan kecekapan yang lebih tinggi dan ketahanan yang lebih tinggi di bawah keadaan voltan tinggi dan suhu tinggi berbanding bahan semikonduktor tradisional seperti silikon.
● Substrat Kaca Boleh Disesuaikan:Tersedia dengan pilihan kaca JGS1, JGS2, BF33 dan Kuarza Biasa untuk memenuhi keperluan prestasi terma, mekanikal dan optik yang berbeza.
●Konduktiviti Terma Tinggi:Kekonduksian haba GaN yang tinggi memastikan pelesapan haba yang berkesan, menjadikan wafer ini sesuai untuk aplikasi kuasa dan peranti yang menjana haba yang tinggi.
●Voltan Pecahan Tinggi:Keupayaan GaN untuk mengekalkan voltan tinggi menjadikan wafer ini sesuai untuk transistor kuasa dan aplikasi frekuensi tinggi.
●Kekuatan Mekanikal Cemerlang:Substrat kaca, digabungkan dengan sifat GaN, memberikan kekuatan mekanikal yang teguh, meningkatkan ketahanan wafer dalam persekitaran yang mencabar.
●Mengurangkan Kos Pengilangan:Berbanding dengan wafer GaN-on-Silicon atau GaN-on-Sapphire tradisional, GaN-on-glass ialah penyelesaian yang lebih kos efektif untuk pengeluaran peranti berprestasi tinggi berskala besar.
●Sifat Optik Tersuai:Pelbagai pilihan kaca membenarkan penyesuaian ciri optik wafer, menjadikannya sesuai untuk aplikasi dalam optoelektronik dan fotonik.
Spesifikasi Teknikal
| Parameter | Nilai |
| Saiz Wafer | 4 inci |
| Pilihan Substrat Kaca | JGS1, JGS2, BF33, Kuarza Biasa |
| Ketebalan Lapisan GaN | 100 nm – 5000 nm (boleh disesuaikan) |
| GaN Bandgap | 3.4 eV (jurang jalur lebar) |
| Voltan Pecahan | Sehingga 1200V |
| Kekonduksian Terma | 1.3 – 2.1 W/cm·K |
| Mobiliti Elektron | 2000 cm²/V·s |
| Kekasaran Permukaan Wafer | RMS ~0.25 nm (AFM) |
| Rintangan Lembaran GaN | 437.9 Ω·cm² |
| Kerintangan | Separa penebat, jenis N, jenis P (boleh disesuaikan) |
| Transmisi Optik | >80% untuk panjang gelombang yang boleh dilihat dan UV |
| Wafer Warp | < 25 µm (maksimum) |
| Kemasan Permukaan | SSP (sebelah digilap) |
Aplikasi
Optoelektronik:
Wafer GaN-on-glass digunakan secara meluas dalamLEDdandiod laserdisebabkan oleh kecekapan tinggi dan prestasi optik GaN. Keupayaan untuk memilih substrat kaca sepertiJGS1danJGS2membolehkan penyesuaian dalam ketelusan optik, menjadikannya ideal untuk kuasa tinggi, kecerahan tinggiLED biru/hijaudanlaser UV.
Fotonik:
Wafer GaN-on-glass sesuai untukpengesan foto, litar bersepadu fotonik (PIC), danpenderia optik. Sifat penghantaran cahaya yang sangat baik dan kestabilan tinggi dalam aplikasi frekuensi tinggi menjadikannya sesuai untuknyakomunikasidanteknologi sensor.
Elektronik Kuasa:
Oleh kerana jurang jalur lebarnya dan voltan pecahan tinggi, wafer GaN-on-glass digunakan dalamtransistor berkuasa tinggidanpenukaran kuasa frekuensi tinggi. Keupayaan GaN untuk mengendalikan voltan tinggi dan pelesapan haba menjadikannya sesuai untuknyapenguat kuasa, Transistor kuasa RF, danelektronik kuasadalam aplikasi perindustrian dan pengguna.
Aplikasi Frekuensi Tinggi:
Wafer GaN-on-glass mempamerkan cemerlangmobiliti elektrondan boleh beroperasi pada kelajuan pensuisan yang tinggi, menjadikannya sesuai untukperanti kuasa frekuensi tinggi, peranti gelombang mikro, danPenguat RF. Ini adalah komponen penting dalamSistem komunikasi 5G, sistem radar, dankomunikasi satelit.
Aplikasi Automotif:
Wafer GaN-on-glass juga digunakan dalam sistem kuasa automotif, terutamanya dalampengecas on-board (OBC)danPenukar DC-DCuntuk kenderaan elektrik (EV). Keupayaan wafer untuk mengendalikan suhu dan voltan tinggi membolehkannya digunakan dalam elektronik kuasa untuk EV, menawarkan kecekapan dan kebolehpercayaan yang lebih tinggi.
Peranti Perubatan:
Sifat GaN juga menjadikannya bahan yang menarik untuk digunakanpengimejan perubatandanpenderia bioperubatan. Keupayaannya untuk beroperasi pada voltan tinggi dan rintangan kepada sinaran menjadikannya sesuai untuk aplikasi dalamperalatan diagnostikdanlaser perubatan.
Soal Jawab
S1: Mengapakah GaN-on-glass merupakan pilihan yang baik berbanding GaN-on-Silicon atau GaN-on-Sapphire?
A1:GaN-on-glass menawarkan beberapa kelebihan, termasukkeberkesanan kosdanpengurusan haba yang lebih baik. Walaupun GaN-on-Silicon dan GaN-on-Sapphire memberikan prestasi cemerlang, substrat kaca lebih murah, lebih mudah didapati dan boleh disesuaikan dari segi sifat optik dan mekanikal. Selain itu, wafer GaN-on-glass memberikan prestasi cemerlang dalam kedua-duanyaoptikdanaplikasi elektronik berkuasa tinggi.
S2: Apakah perbezaan antara pilihan kaca JGS1, JGS2, BF33 dan Kuarza Biasa?
A2:
- JGS1danJGS2adalah substrat kaca optik berkualiti tinggi yang terkenal dengannyaketelusan optik yang tinggidanpengembangan haba yang rendah, menjadikannya sesuai untuk peranti fotonik dan optoelektronik.
- BF33tawaran kacaindeks biasan yang lebih tinggidan sesuai untuk aplikasi yang memerlukan prestasi optik yang dipertingkatkan, sepertidiod laser.
- Kuarza Biasamenyediakan tinggikestabilan habadanrintangan kepada sinaran, menjadikannya sesuai untuk aplikasi persekitaran suhu tinggi dan keras.
S3: Bolehkah saya menyesuaikan kerintangan dan jenis doping untuk wafer GaN-on-glass?
A3:Ya, kami tawarkankerintangan yang boleh disesuaikandanjenis doping(jenis-N atau jenis-P) untuk wafer GaN-pada-kaca. Fleksibiliti ini membolehkan wafer disesuaikan dengan aplikasi tertentu, termasuk peranti kuasa, LED dan sistem fotonik.
S4: Apakah aplikasi biasa untuk GaN-on-glass dalam optoelektronik?
A4:Dalam optoelektronik, wafer GaN-on-glass biasanya digunakan untukLED biru dan hijau, laser UV, danpengesan foto. Sifat optik kaca yang boleh disesuaikan membenarkan peranti dengan tinggipenghantaran cahaya, menjadikannya sesuai untuk aplikasi dalamteknologi paparan, pencahayaan, dansistem komunikasi optik.
S5: Bagaimanakah prestasi GaN-on-glass dalam aplikasi frekuensi tinggi?
A5:Tawaran wafer GaN-on-glassmobiliti elektron yang sangat baik, membolehkan mereka beraksi dengan baik dalamaplikasi frekuensi tinggisepertiPenguat RF, peranti gelombang mikro, danSistem komunikasi 5G. Voltan kerosakan tinggi dan kehilangan pensuisan yang rendah menjadikannya sesuai untuknyaperanti RF berkuasa tinggi.
S6: Apakah voltan pecahan biasa wafer GaN-on-glass?
A6:Wafer GaN pada kaca biasanya menyokong voltan kerosakan sehingga1200V, menjadikannya sesuai untukberkuasa tinggidanvoltan tinggiaplikasi. Jurang jalur lebar mereka membolehkan mereka mengendalikan voltan yang lebih tinggi daripada bahan semikonduktor konvensional seperti silikon.
S7: Bolehkah wafer GaN-pada-kaca digunakan dalam aplikasi automotif?
A7:Ya, wafer GaN-pada-kaca digunakan dalamelektronik kuasa automotif, termasukPenukar DC-DCdanpengecas on-board(OBC) untuk kenderaan elektrik. Keupayaan mereka untuk beroperasi pada suhu tinggi dan mengendalikan voltan tinggi menjadikannya sesuai untuk aplikasi yang menuntut ini.
Kesimpulan
Wafer GaN pada Kaca 4-Inci kami menawarkan penyelesaian yang unik dan boleh disesuaikan untuk pelbagai aplikasi dalam optoelektronik, elektronik kuasa dan fotonik. Dengan pilihan substrat kaca seperti JGS1, JGS2, BF33 dan Kuarza Biasa, wafer ini memberikan serba boleh dalam kedua-dua sifat mekanikal dan optik, membolehkan penyelesaian yang disesuaikan untuk peranti berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi. Sama ada untuk LED, diod laser atau aplikasi RF, wafer GaN-pada-kaca
Gambarajah Terperinci
