GaN pada Kaca 4-Inci: Pilihan Kaca Boleh Disesuaikan Termasuk JGS1, JGS2, BF33 dan Kuarza Biasa
Ciri-ciri
●Jurang Jalur Lebar:GaN mempunyai jurang jalur 3.4 eV, yang membolehkan kecekapan yang lebih tinggi dan ketahanan yang lebih baik di bawah keadaan voltan tinggi dan suhu tinggi berbanding bahan semikonduktor tradisional seperti silikon.
●Substrat Kaca Boleh Disesuaikan:Tersedia dengan pilihan kaca JGS1, JGS2, BF33 dan Kuarza Biasa untuk memenuhi keperluan prestasi terma, mekanikal dan optik yang berbeza.
●Kekonduksian Terma Tinggi:Kekonduksian terma GaN yang tinggi memastikan pelesapan haba yang berkesan, menjadikan wafer ini sesuai untuk aplikasi kuasa dan peranti yang menghasilkan haba yang tinggi.
●Voltan Kerosakan Tinggi:Keupayaan GaN untuk mengekalkan voltan tinggi menjadikan wafer ini sesuai untuk transistor kuasa dan aplikasi frekuensi tinggi.
●Kekuatan Mekanikal yang Cemerlang:Substrat kaca, digabungkan dengan sifat GaN, memberikan kekuatan mekanikal yang teguh, meningkatkan ketahanan wafer dalam persekitaran yang mencabar.
●Kos Pembuatan yang Dikurangkan:Berbanding dengan wafer GaN-on-Silikon atau GaN-on-Sapphire tradisional, GaN-on-glass ialah penyelesaian yang lebih kos efektif untuk pengeluaran peranti berprestasi tinggi berskala besar.
●Sifat Optik Tersuai:Pelbagai pilihan kaca membolehkan penyesuaian ciri optik wafer, menjadikannya sesuai untuk aplikasi dalam optoelektronik dan fotonik.
Spesifikasi Teknikal
| Parameter | Nilai |
| Saiz Wafer | 4 inci |
| Pilihan Substrat Kaca | JGS1, JGS2, BF33, Kuarza Biasa |
| Ketebalan Lapisan GaN | 100 nm – 5000 nm (boleh disesuaikan) |
| Jurang Jalur GaN | 3.4 eV (jurang jalur lebar) |
| Voltan Kerosakan | Sehingga 1200V |
| Kekonduksian Terma | 1.3 – 2.1 W/cm·K |
| Mobiliti Elektron | 2000 cm²/V·s |
| Kekasaran Permukaan Wafer | RMS ~0.25 nm (AFM) |
| Rintangan Lembaran GaN | 437.9 Ω·cm² |
| Kerintangan | Separa penebat, jenis-N, jenis-P (boleh disesuaikan) |
| Penghantaran Optik | >80% untuk panjang gelombang yang boleh dilihat dan UV |
| Warp Wafer | < 25 µm (maksimum) |
| Kemasan Permukaan | SSP (digilap satu sisi) |
Aplikasi
Optoelektronik:
Wafer GaN-on-glass digunakan secara meluas dalamLEDdandiod laserdisebabkan oleh kecekapan dan prestasi optik GaN yang tinggi. Keupayaan untuk memilih substrat kaca sepertiJGS1danJGS2membolehkan penyesuaian dalam ketelusan optik, menjadikannya sesuai untuk kuasa tinggi, kecerahan tinggiLED biru/hijaudanLaser UV.
Fotonik:
Wafer GaN-atas-kaca sesuai untukpengesan foto, Litar bersepadu fotonik (PIC), dansensor optikCiri-ciri penghantaran cahaya yang sangat baik dan kestabilan yang tinggi dalam aplikasi frekuensi tinggi menjadikannya sesuai untukkomunikasidanteknologi sensor.
Elektronik Kuasa:
Disebabkan oleh jurang jalur yang luas dan voltan kerosakan yang tinggi, wafer GaN-atas-kaca digunakan dalamtransistor berkuasa tinggidanpenukaran kuasa frekuensi tinggiKeupayaan GaN untuk mengendalikan voltan tinggi dan pelesapan haba menjadikannya sesuai untukpenguat kuasa, Transistor kuasa RF, danelektronik kuasadalam aplikasi perindustrian dan pengguna.
Aplikasi Frekuensi Tinggi:
Wafer GaN-on-glass mempamerkan prestasi cemerlangmobiliti elektrondan boleh beroperasi pada kelajuan pensuisan yang tinggi, menjadikannya sesuai untukperanti kuasa frekuensi tinggi, peranti gelombang mikro, danPenguat RFIni adalah komponen penting dalamSistem komunikasi 5G, sistem radar, dankomunikasi satelit.
Aplikasi Automotif:
Wafer GaN-on-glass juga digunakan dalam sistem kuasa automotif, terutamanya dalampengecas atas kapal (OBC)danPenukar DC-DCuntuk kenderaan elektrik (EV). Keupayaan wafer untuk mengendalikan suhu dan voltan tinggi membolehkannya digunakan dalam elektronik kuasa untuk EV, menawarkan kecekapan dan kebolehpercayaan yang lebih tinggi.
Peranti Perubatan:
Sifat-sifat GaN juga menjadikannya bahan yang menarik untuk digunakan dalampengimejan perubatandansensor bioperubatanKeupayaannya untuk beroperasi pada voltan tinggi dan rintangannya terhadap sinaran menjadikannya sesuai untuk aplikasi dalamperalatan diagnostikdanlaser perubatan.
Soal Jawab
S1: Mengapakah GaN-on-glass merupakan pilihan yang baik berbanding GaN-on-Silicon atau GaN-on-Sapphire?
A1:GaN-on-glass menawarkan beberapa kelebihan, termasukkeberkesanan kosdanpengurusan haba yang lebih baikWalaupun GaN-on-Silikon dan GaN-on-Sapphire memberikan prestasi yang sangat baik, substrat kaca lebih murah, lebih mudah didapati dan boleh disesuaikan dari segi sifat optik dan mekanikal. Selain itu, wafer GaN-on-kaca memberikan prestasi yang sangat baik dalam kedua-duaoptikdanaplikasi elektronik berkuasa tinggi.
S2: Apakah perbezaan antara pilihan kaca Kuarza JGS1, JGS2, BF33 dan Biasa?
A2:
- JGS1danJGS2adalah substrat kaca optik berkualiti tinggi yang terkenal denganketelusan optik yang tinggidanpengembangan haba yang rendah, menjadikannya sesuai untuk peranti fotonik dan optoelektronik.
- BF33tawaran kacaindeks biasan yang lebih tinggidan sesuai untuk aplikasi yang memerlukan prestasi optik yang dipertingkatkan, sepertidiod laser.
- Kuarza Biasamenyediakan yang tinggikestabilan termadanrintangan terhadap radiasi, menjadikannya sesuai untuk aplikasi suhu tinggi dan persekitaran yang keras.
S3: Bolehkah saya menyesuaikan jenis kerintangan dan pendopan untuk wafer GaN-atas-kaca?
A3:Ya, kami menawarkankerintangan yang boleh disesuaikandanjenis doping(jenis-N atau jenis-P) untuk wafer GaN-atas-kaca. Fleksibiliti ini membolehkan wafer disesuaikan dengan aplikasi tertentu, termasuk peranti kuasa, LED dan sistem fotonik.
S4: Apakah aplikasi tipikal untuk GaN-on-glass dalam optoelektronik?
A4:Dalam optoelektronik, wafer GaN-atas-kaca biasanya digunakan untukLED biru dan hijau, Laser UV, danpengesan fotoSifat optik kaca yang boleh disesuaikan membolehkan peranti dengan tahap kecerahan yang tinggipenghantaran cahaya, menjadikannya sesuai untuk aplikasi dalamteknologi paparan, pencahayaan, dansistem komunikasi optik.
S5: Bagaimanakah GaN-on-glass berfungsi dalam aplikasi frekuensi tinggi?
A5:Tawaran wafer GaN-on-glassmobiliti elektron yang sangat baik, membolehkan mereka menunjukkan prestasi yang baik dalamaplikasi frekuensi tinggisepertiPenguat RF, peranti gelombang mikro, danSistem komunikasi 5GVoltan kerosakan yang tinggi dan kehilangan pensuisan yang rendah menjadikannya sesuai untukperanti RF berkuasa tinggi.
S6: Apakah voltan kerosakan tipikal wafer GaN-atas-kaca?
A6:Wafer GaN-on-glass biasanya menyokong voltan kerosakan sehingga1200V, menjadikannya sesuai untukberkuasa tinggidanvoltan tinggiaplikasi. Jurang jalur yang luas membolehkannya mengendalikan voltan yang lebih tinggi daripada bahan semikonduktor konvensional seperti silikon.
S7: Bolehkah wafer GaN-on-glass digunakan dalam aplikasi automotif?
A7:Ya, wafer GaN-on-glass digunakan dalamelektronik kuasa automotif, termasukPenukar DC-DCdanpengecas atas kapal(OBC) untuk kenderaan elektrik. Keupayaannya untuk beroperasi pada suhu tinggi dan mengendalikan voltan tinggi menjadikannya sesuai untuk aplikasi yang mencabar ini.
Kesimpulan
Wafer GaN pada Kaca 4-Inci kami menawarkan penyelesaian unik dan boleh disesuaikan untuk pelbagai aplikasi dalam optoelektronik, elektronik kuasa dan fotonik. Dengan pilihan substrat kaca seperti JGS1, JGS2, BF33 dan Ordinary Quartz, wafer ini menyediakan fleksibiliti dalam kedua-dua sifat mekanikal dan optik, membolehkan penyelesaian khusus untuk peranti berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi. Sama ada untuk LED, diod laser atau aplikasi RF, wafer GaN-pada-kaca
Gambarajah Terperinci
