Wafer HPSI SiC ≥90% Gred Optik Transmitansi untuk Cermin Mata AI/AR

Penerangan Ringkas:

Parameter	Gred	Substrat 4-Inci	Substrat 6-Inci
Diameter	Gred Z / Gred D	99.5 mm – 100.0 mm	149.5 mm – 150.0 mm
Jenis poli	Gred Z / Gred D	4H	4H
Ketebalan	Gred Z	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
Ketebalan	Gred D	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Orientasi Wafer	Gred Z / Gred D	Pada paksi: ± 0.5°	Pada paksi: ± 0.5°
Ketumpatan Mikropaip	Gred Z	≤ 1 cm²	≤ 1 cm²
Ketumpatan Mikropaip	Gred D	≤ 15 cm²	≤ 15 cm²
Kerintangan	Gred Z	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
Kerintangan	Gred D	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm

Hantar emel kepada kami

Ciri-ciri

Pengenalan Teras: Peranan Wafer HPSI SiC dalam Cermin Mata AI/AR

Wafer Silikon Karbida HPSI (Separa Penebat Ketulenan Tinggi) ialah wafer khusus yang dicirikan oleh kerintangan tinggi (>10⁹ Ω·cm) dan ketumpatan kecacatan yang sangat rendah. Dalam cermin mata AI/AR, ia berfungsi terutamanya sebagai bahan substrat teras untuk kanta pandu gelombang optik difraktif, menangani kesesakan yang berkaitan dengan bahan optik tradisional dari segi faktor bentuk nipis dan ringan, pelesapan haba dan prestasi optik. Contohnya, cermin mata AR yang menggunakan kanta pandu gelombang SiC boleh mencapai medan pandangan ultra lebar (FOV) 70°–80°, sambil mengurangkan ketebalan lapisan kanta tunggal kepada hanya 0.55mm dan berat kepada hanya 2.7g, sekali gus meningkatkan keselesaan pemakaian dan rendaman visual dengan ketara.

b0968b8d-1b0f-4dfe-8fce-865d38404ba5_副本_副本

Ciri-ciri Utama: Bagaimana Bahan SiC Memperkasa Reka Bentuk Cermin Mata AI/AR

Indeks Biasan Tinggi dan Pengoptimuman Prestasi Optik

Indeks biasan SiC (2.6–2.7) hampir 50% lebih tinggi daripada kaca tradisional (1.8–2.0). Ini membolehkan struktur pandu gelombang yang lebih nipis dan lebih cekap, sekali gus mengembangkan FOV dengan ketara. Indeks biasan yang tinggi juga membantu menyekat "kesan pelangi" yang biasa terdapat dalam pandu gelombang difraktif, sekali gus meningkatkan ketulenan imej.

Keupayaan Pengurusan Terma yang Luar Biasa

Dengan kekonduksian terma setinggi 490 W/m·K (hampir sama dengan kuprum), SiC boleh menghilangkan haba yang dihasilkan oleh modul paparan Mikro-LED dengan cepat. Ini menghalang kemerosotan prestasi atau penuaan peranti akibat suhu tinggi, sekali gus memastikan hayat bateri yang panjang dan kestabilan yang tinggi.

Kekuatan dan Ketahanan Mekanikal

SiC mempunyai kekerasan Mohs sebanyak 9.5 (kedua selepas berlian), menawarkan rintangan calar yang luar biasa, menjadikannya sesuai untuk cermin mata pengguna yang kerap digunakan. Kekasaran permukaannya boleh dikawal kepada Ra < 0.5 nm, memastikan kehilangan cahaya yang rendah dan penghantaran cahaya yang sangat seragam dalam pandu gelombang.

Keserasian Harta Elektrik

Kerintangan HPSI SiC (>10⁹ Ω·cm) membantu mencegah gangguan isyarat. Ia juga boleh berfungsi sebagai bahan peranti kuasa yang cekap, mengoptimumkan modul pengurusan kuasa dalam cermin mata AR.

Arahan Permohonan Utama

Komponen Optik Teras untuk Kaca AI/ARs

Kanta Pandu Gelombang Difraktif: Substrat SiC digunakan untuk mencipta pandu gelombang optik ultra nipis yang menyokong FOV yang besar dan penghapusan kesan pelangi.
Plat dan Prisma Tingkap: Melalui pemotongan dan penggilapan tersuai, SiC boleh diproses menjadi tingkap pelindung atau prisma optik untuk cermin mata AR, meningkatkan transmisi cahaya dan rintangan haus.

Aplikasi Lanjutan dalam Bidang Lain

Elektronik Kuasa: Digunakan dalam senario frekuensi tinggi dan berkuasa tinggi seperti penyongsang kenderaan tenaga baharu dan kawalan motor perindustrian.
Optik Kuantum: Bertindak sebagai perumah untuk pusat warna, digunakan dalam substrat untuk komunikasi kuantum dan peranti penderiaan.

Perbandingan Spesifikasi Substrat SiC HPSI 4 Inci & 6 Inci

Parameter	Gred	Substrat 4-Inci	Substrat 6-Inci
Diameter	Gred Z / Gred D	99.5 mm - 100.0 mm	149.5 mm - 150.0 mm
Jenis poli	Gred Z / Gred D	4H	4H
Ketebalan	Gred Z	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
Ketebalan	Gred D	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Orientasi Wafer	Gred Z / Gred D	Pada paksi: ± 0.5°	Pada paksi: ± 0.5°
Ketumpatan Mikropaip	Gred Z	≤ 1 cm²	≤ 1 cm²
Ketumpatan Mikropaip	Gred D	≤ 15 cm²	≤ 15 cm²
Kerintangan	Gred Z	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
Kerintangan	Gred D	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
Orientasi Rata Utama	Gred Z / Gred D	(10-10) ± 5.0°	(10-10) ± 5.0°
Panjang Rata Utama	Gred Z / Gred D	32.5 mm ± 2.0 mm	Takuk
Panjang Rata Sekunder	Gred Z / Gred D	18.0 mm ± 2.0 mm	-
Pengecualian Tepi	Gred Z / Gred D	3 mm	3 mm
LTV / TTV / Busur / Lengkungan	Gred Z	≤ 2.5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm	≤ 2.5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm
LTV / TTV / Busur / Lengkungan	Gred D	≤ 10 μm / ≤ 15 μm / ≤ 25 μm / ≤ 40 μm	≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm
Kekasaran	Gred Z	Poland Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.2 nm	Poland Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.2 nm
Kekasaran	Gred D	Poland Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.2 nm	Poland Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.5 nm
Retakan Tepi	Gred D	Kawasan kumulatif ≤ 0.1%	Panjang kumulatif ≤ 20 mm, tunggal ≤ 2 mm
Kawasan Politaip	Gred D	Kawasan kumulatif ≤ 0.3%	Kawasan kumulatif ≤ 3%
Rangkuman Karbon Visual	Gred Z	Kawasan kumulatif ≤ 0.05%	Kawasan kumulatif ≤ 0.05%
Rangkuman Karbon Visual	Gred D	Kawasan kumulatif ≤ 0.3%	Kawasan kumulatif ≤ 3%
Calar Permukaan Silikon	Gred D	5 dibenarkan, setiap satu ≤1mm	Panjang kumulatif ≤ 1 x diameter
Cip Tepi	Gred Z	Tiada dibenarkan (lebar dan kedalaman ≥0.2mm)	Tiada dibenarkan (lebar dan kedalaman ≥0.2mm)
Cip Tepi	Gred D	7 dibenarkan, setiap satu ≤1mm	7 dibenarkan, setiap satu ≤1mm
Kehelan Skru Pengulir	Gred Z	-	≤ 500 cm²
Pembungkusan	Gred Z / Gred D	Kaset berbilang wafer atau bekas wafer tunggal	Kaset berbilang wafer atau bekas wafer tunggal

Perkhidmatan XKH: Keupayaan Pembuatan dan Penyesuaian Bersepadu

Syarikat XKH memiliki keupayaan integrasi menegak daripada bahan mentah hingga wafer siap, meliputi keseluruhan rantaian pertumbuhan substrat SiC, penghirisan, penggilapan dan pemprosesan tersuai. Kelebihan perkhidmatan utama termasuk:

Kepelbagaian Bahan:Kami boleh menyediakan pelbagai jenis wafer seperti jenis 4H-N, jenis 4H-HPSI, jenis 4H/6H-P dan jenis 3C-N. Kerintangan, ketebalan dan orientasi boleh dilaraskan mengikut keperluan.
'Penyesuaian Saiz Fleksibel:Kami menyokong pemprosesan wafer dari diameter 2 inci hingga 12 inci, dan juga boleh memproses struktur khas seperti kepingan segi empat sama (cth., 5x5mm, 10x10mm) dan prisma tidak sekata.
Kawalan Ketepatan Gred Optik:Variasi Ketebalan Jumlah Wafer (TTV) boleh dikekalkan pada <1μm, dan kekasaran permukaan pada Ra < 0.3 nm, memenuhi keperluan kerataan tahap nano untuk peranti pandu gelombang.
Tindak Balas Pasaran yang Pantas:Model perniagaan bersepadu memastikan peralihan yang cekap daripada R&D kepada pengeluaran besar-besaran, menyokong segala-galanya daripada pengesahan kelompok kecil kepada penghantaran dalam jumlah besar (masa utama biasanya 15-40 hari).

Soalan Lazim tentang Wafer SiC HPSI

S1: Mengapakah HPSI SiC dianggap sebagai bahan yang ideal untuk kanta pandu gelombang AR?
A1: Indeks biasannya yang tinggi (2.6–2.7) membolehkan struktur pandu gelombang yang lebih nipis dan lebih cekap yang menyokong medan pandangan yang lebih besar (contohnya, 70°–80°) sambil menghapuskan "kesan pelangi".
S2: Bagaimanakah HPSI SiC meningkatkan pengurusan haba dalam cermin mata AI/AR?
A2: Dengan kekonduksian terma sehingga 490 W/m·K (hampir sama dengan kuprum), ia menghilangkan haba daripada komponen seperti Mikro-LED dengan cekap, memastikan prestasi yang stabil dan jangka hayat peranti yang lebih lama.
S3: Apakah kelebihan ketahanan yang ditawarkan oleh HPSI SiC untuk cermin mata yang boleh dipakai?
A3: Kekerasannya yang luar biasa (Mohs 9.5) memberikan rintangan calar yang unggul, menjadikannya sangat tahan lama untuk kegunaan harian dalam cermin mata AR gred pengguna.