Wafer Indium Antimonida (InSb) jenis N jenis P sedia Epi tanpa doping Wafer Indium Antimonida (InSb) ketebalan 2 inci 3 inci 4 inci

Penerangan Ringkas:

Wafer Indium Antimonida (InSb) merupakan komponen utama dalam aplikasi elektronik dan optoelektronik berprestasi tinggi. Wafer ini terdapat dalam pelbagai jenis, termasuk jenis-N, jenis-P dan tanpa doping, dan boleh didoping dengan unsur seperti Telurium (Te) atau Germanium (Ge). Wafer InSb digunakan secara meluas dalam pengesanan inframerah, transistor berkelajuan tinggi, peranti telaga kuantum dan aplikasi khusus lain kerana mobiliti elektronnya yang sangat baik dan jurang jalur yang sempit. Wafer ini terdapat dalam diameter yang berbeza seperti 2 inci, 3 inci dan 4 inci, dengan kawalan ketebalan yang tepat dan permukaan yang digilap/terukir berkualiti tinggi.

Hantar emel kepada kami

Ciri-ciri

Pilihan Doping:
1. Tidak didop:Wafer ini bebas daripada sebarang agen pendopan, menjadikannya sesuai untuk aplikasi khusus seperti pertumbuhan epitaksi.
2. Didop Te (Jenis-N):Doping Telurium (Te) biasanya digunakan untuk menghasilkan wafer jenis-N, yang sesuai untuk aplikasi seperti pengesan inframerah dan elektronik berkelajuan tinggi.
3. Didop Ge (Jenis-P):Doping Germanium (Ge) digunakan untuk menghasilkan wafer jenis-P, yang menawarkan mobiliti lubang yang tinggi untuk aplikasi semikonduktor termaju.

Pilihan Saiz:
1. Terdapat dalam diameter 2 inci, 3 inci dan 4 inci. Wafer ini memenuhi keperluan teknologi yang berbeza, daripada penyelidikan dan pembangunan hingga pembuatan berskala besar.
2. Toleransi diameter yang tepat memastikan konsistensi merentasi kelompok, dengan diameter 50.8±0.3mm (untuk wafer 2 inci) dan 76.2±0.3mm (untuk wafer 3 inci).

Kawalan Ketebalan:
1. Wafer tersedia dengan ketebalan 500±5μm untuk prestasi optimum dalam pelbagai aplikasi.
2. Ukuran tambahan seperti TTV (Variasi Ketebalan Keseluruhan), BOW dan Warp dikawal dengan teliti untuk memastikan keseragaman dan kualiti yang tinggi.

Kualiti Permukaan:
1. Wafer didatangkan dengan permukaan yang digilap/terukir untuk prestasi optik dan elektrik yang lebih baik.
2. Permukaan ini sesuai untuk pertumbuhan epitaksi, menawarkan tapak yang licin untuk pemprosesan selanjutnya dalam peranti berprestasi tinggi.

Epi-Sedia:
1. Wafer InSb sedia untuk epi, bermakna ia telah dirawat terlebih dahulu untuk proses pemendapan epitaksi. Ini menjadikannya sesuai untuk aplikasi dalam pembuatan semikonduktor di mana lapisan epitaksi perlu ditumbuhkan di atas wafer.

Aplikasi

1. Pengesan Inframerah:Wafer InSb biasanya digunakan dalam pengesanan inframerah (IR), terutamanya dalam julat inframerah pertengahan panjang gelombang (MWIR). Wafer ini penting untuk penglihatan malam, pengimejan terma dan aplikasi spektroskopi inframerah.

2. Elektronik Berkelajuan Tinggi:Disebabkan oleh mobiliti elektronnya yang tinggi, wafer InSb digunakan dalam peranti elektronik berkelajuan tinggi seperti transistor frekuensi tinggi, peranti telaga kuantum dan transistor mobiliti elektron tinggi (HEMT).

3. Peranti Telaga Kuantum:Jurang jalur yang sempit dan mobiliti elektron yang sangat baik menjadikan wafer InSb sesuai untuk digunakan dalam peranti telaga kuantum. Peranti ini merupakan komponen utama dalam laser, pengesan dan sistem optoelektronik yang lain.

4. Peranti Spintronik:InSb juga sedang diterokai dalam aplikasi spintronik, di mana spin elektron digunakan untuk pemprosesan maklumat. Gandingan spin-orbit rendah bahan ini menjadikannya sesuai untuk peranti berprestasi tinggi ini.

5. Aplikasi Sinaran Terahertz (THz):Peranti berasaskan InSb digunakan dalam aplikasi sinaran THz, termasuk penyelidikan saintifik, pengimejan dan pencirian bahan. Ia membolehkan teknologi canggih seperti spektroskopi THz dan sistem pengimejan THz.

6. Peranti Termoelektrik:Ciri-ciri unik InSb menjadikannya bahan yang menarik untuk aplikasi termoelektrik, di mana ia boleh digunakan untuk menukar haba menjadi elektrik dengan cekap, terutamanya dalam aplikasi khusus seperti teknologi angkasa lepas atau penjanaan kuasa dalam persekitaran yang ekstrem.

Parameter Produk

Parameter	2 inci	3 inci	4 inci
Diameter	50.8±0.3mm	76.2±0.3mm	-
Ketebalan	500±5μm	650±5μm	-
Permukaan	Digilap/Diukir	Digilap/Diukir	Digilap/Diukir
Jenis Doping	Tidak didop, Didop Te (N), Didop Ge (P)	Tidak didop, Didop Te (N), Didop Ge (P)	Tidak didop, Didop Te (N), Didop Ge (P)
Orientasi	(100)	(100)	(100)
Pakej	Bujang	Bujang	Bujang
Epi-Sedia	Ya	Ya	Ya

Parameter Elektrik untuk Te Doped (Jenis-N):

Mobiliti: 2000-5000 cm²/V·s
Kerintangan: (1-1000) Ω·cm
EPD (Ketumpatan Kecacatan): ≤2000 kecacatan/cm²

Parameter Elektrik untuk Ge Doped (Jenis-P):

Mobiliti: 4000-8000 cm²/V·s
Kerintangan: (0.5-5) Ω·cm
EPD (Ketumpatan Kecacatan): ≤2000 kecacatan/cm²

Kesimpulan

Wafer Indium Antimonida (InSb) merupakan bahan penting untuk pelbagai aplikasi berprestasi tinggi dalam bidang elektronik, optoelektronik dan teknologi inframerah. Dengan mobiliti elektron yang sangat baik, gandingan spin-orbit rendah dan pelbagai pilihan pendopan (Te untuk jenis-N, Ge untuk jenis-P), wafer InSb sesuai untuk digunakan dalam peranti seperti pengesan inframerah, transistor berkelajuan tinggi, peranti telaga kuantum dan peranti spintronik.

Wafer ini terdapat dalam pelbagai saiz (2 inci, 3 inci dan 4 inci), dengan kawalan ketebalan yang tepat dan permukaan epi-sedia, memastikan ia memenuhi permintaan ketat fabrikasi semikonduktor moden. Wafer ini sesuai untuk aplikasi dalam bidang seperti pengesanan IR, elektronik berkelajuan tinggi dan sinaran THz, membolehkan teknologi canggih dalam penyelidikan, industri dan pertahanan.