Wafer Indium Antimonide (InSb) jenis N jenis P Epi sedia dinyahdop Te doped atau Ge doped 2inci 3inci 4inci ketebalan wafer Indium Antimonide (InSb)

Penerangan ringkas:

Wafer Indium Antimonide (InSb) ialah komponen utama dalam aplikasi elektronik dan optoelektronik berprestasi tinggi. Wafer ini tersedia dalam pelbagai jenis, termasuk jenis-N, jenis-P, dan tidak didop, dan boleh didop dengan unsur seperti Tellurium (Te) atau Germanium (Ge). Wafer InSb digunakan secara meluas dalam pengesanan inframerah, transistor berkelajuan tinggi, peranti telaga kuantum dan aplikasi khusus lain kerana mobiliti elektronnya yang sangat baik dan jurang jalur yang sempit. Wafer boleh didapati dalam diameter berbeza seperti 2 inci, 3 inci dan 4 inci, dengan kawalan ketebalan yang tepat dan permukaan yang digilap/terukir berkualiti tinggi.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Ciri-ciri

Pilihan Doping:
1. Tidak didodok:Wafer ini bebas daripada sebarang agen doping, menjadikannya sesuai untuk aplikasi khusus seperti pertumbuhan epitaxial.
2.Te Doped (Jenis-N):Doping Tellurium (Te) biasanya digunakan untuk mencipta wafer jenis N, yang sesuai untuk aplikasi seperti pengesan inframerah dan elektronik berkelajuan tinggi.
3.Ge Doped (Jenis-P):Doping Germanium (Ge) digunakan untuk mencipta wafer jenis P, menawarkan mobiliti lubang tinggi untuk aplikasi semikonduktor lanjutan.

Pilihan Saiz:
1.Tersedia dalam diameter 2 inci, 3 inci dan 4 inci. Wafer ini memenuhi keperluan teknologi yang berbeza, daripada penyelidikan dan pembangunan kepada pembuatan berskala besar.
2. Toleransi diameter yang tepat memastikan konsistensi merentas kelompok, dengan diameter 50.8±0.3mm (untuk wafer 2 inci) dan 76.2±0.3mm (untuk wafer 3 inci).

Kawalan Ketebalan:
1. Wafer boleh didapati dengan ketebalan 500±5μm untuk prestasi optimum dalam pelbagai aplikasi.
2. Ukuran tambahan seperti TTV (Total Thickness Variation), BOW, dan Warp dikawal dengan teliti untuk memastikan keseragaman dan kualiti yang tinggi.

Kualiti Permukaan:
1. Wafer datang dengan permukaan yang digilap/terukir untuk prestasi optik dan elektrik yang lebih baik.
2. Permukaan ini sesuai untuk pertumbuhan epitaxial, menawarkan asas yang licin untuk pemprosesan selanjutnya dalam peranti berprestasi tinggi.

Epi-Sedia:
1. Wafer InSb sedia epi, bermakna ia telah dirawat terlebih dahulu untuk proses pemendapan epitaxial. Ini menjadikannya sesuai untuk aplikasi dalam pembuatan semikonduktor di mana lapisan epitaxial perlu ditanam di atas wafer.

Aplikasi

1. Pengesan Inframerah:Wafer InSb biasanya digunakan dalam pengesanan inframerah (IR), terutamanya dalam julat inframerah panjang gelombang pertengahan (MWIR). Wafer ini penting untuk penglihatan malam, pengimejan terma, dan aplikasi spektroskopi inframerah.

2. Elektronik Berkelajuan Tinggi:Disebabkan mobiliti elektronnya yang tinggi, wafer InSb digunakan dalam peranti elektronik berkelajuan tinggi seperti transistor frekuensi tinggi, peranti perigi kuantum dan transistor mobiliti elektron tinggi (HEMT).

3. Peranti Telaga Kuantum:Jurang jalur yang sempit dan mobiliti elektron yang sangat baik menjadikan wafer InSb sesuai untuk digunakan dalam peranti telaga kuantum. Peranti ini adalah komponen utama dalam laser, pengesan dan sistem optoelektronik lain.

4. Peranti Spintronik:InSb juga sedang diterokai dalam aplikasi spintronik, di mana putaran elektron digunakan untuk pemprosesan maklumat. Gandingan orbit putaran rendah bahan menjadikannya sesuai untuk peranti berprestasi tinggi ini.

5. Aplikasi Sinaran Terahertz (THz):Peranti berasaskan InSb digunakan dalam aplikasi sinaran THz, termasuk penyelidikan saintifik, pengimejan dan pencirian bahan. Ia membolehkan teknologi canggih seperti spektroskopi THz dan sistem pengimejan THz.

6. Peranti Termoelektrik:Sifat unik InSb menjadikannya bahan yang menarik untuk aplikasi termoelektrik, di mana ia boleh digunakan untuk menukar haba kepada elektrik dengan cekap, terutamanya dalam aplikasi khusus seperti teknologi angkasa lepas atau penjanaan kuasa dalam persekitaran yang melampau.

Parameter Produk

Parameter	2 inci	3 inci	4 inci
Diameter	50.8±0.3mm	76.2±0.3mm	-
Ketebalan	500±5μm	650±5μm	-
Permukaan	Digilap/Terukir	Digilap/Terukir	Digilap/Terukir
Jenis Doping	Tidak didop, Te-doped (N), Ge-doped (P)	Tidak didop, Te-doped (N), Ge-doped (P)	Tidak didop, Te-doped (N), Ge-doped (P)
Orientasi	(100)	(100)	(100)
Pakej	Bujang	Bujang	Bujang
Epi-Sedia	ya	ya	ya

Parameter Elektrik untuk Te Doped (Jenis-N):

mobiliti: 2000-5000 cm²/V·s
Kerintangan: (1-1000) Ω·cm
EPD (Ketumpatan Kecacatan): ≤2000 kecacatan/cm²

Parameter Elektrik untuk Ge Doped (P-Type):

mobiliti: 4000-8000 cm²/V·s
Kerintangan: (0.5-5) Ω·cm
EPD (Ketumpatan Kecacatan): ≤2000 kecacatan/cm²

Kesimpulan

Wafer Indium Antimonide (InSb) ialah bahan penting untuk pelbagai aplikasi berprestasi tinggi dalam bidang elektronik, optoelektronik dan teknologi inframerah. Dengan mobiliti elektron yang sangat baik, gandingan orbit putaran rendah dan pelbagai pilihan doping (Te untuk jenis N, Ge untuk jenis P), wafer InSb sesuai untuk digunakan dalam peranti seperti pengesan inframerah, transistor berkelajuan tinggi, peranti perigi kuantum dan peranti spintronik.

Wafer boleh didapati dalam pelbagai saiz (2 inci, 3 inci dan 4 inci), dengan kawalan ketebalan yang tepat dan permukaan sedia epi, memastikan ia memenuhi permintaan ketat fabrikasi semikonduktor moden. Wafer ini sesuai untuk aplikasi dalam bidang seperti pengesanan IR, elektronik berkelajuan tinggi dan sinaran THz, yang membolehkan teknologi canggih dalam penyelidikan, industri dan pertahanan.