Wafer InSb 2 inci 3 inci tidak didopkan orientasi jenis Ntype P 111 100 untuk Pengesan Inframerah

Penerangan ringkas:

Wafer Indium Antimonide (InSb) ialah bahan utama yang digunakan dalam teknologi pengesanan inframerah kerana jurang jalurnya yang sempit dan mobiliti elektron yang tinggi. Tersedia dalam diameter 2 inci dan 3 inci, wafer ini ditawarkan dalam variasi tidak didop, jenis N dan jenis P. Wafer dibuat dengan orientasi 100 dan 111, memberikan fleksibiliti untuk pelbagai aplikasi pengesanan inframerah dan semikonduktor. Kepekaan tinggi dan hingar rendah wafer InSb menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam pengesan inframerah panjang gelombang pertengahan (MWIR), sistem pengimejan inframerah dan aplikasi optoelektronik lain yang memerlukan ketepatan dan keupayaan berprestasi tinggi.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Ciri-ciri

Pilihan Doping:
1. Tidak didodok:Wafer ini bebas daripada sebarang agen doping dan digunakan terutamanya untuk aplikasi khusus seperti pertumbuhan epitaxial, di mana wafer bertindak sebagai substrat tulen.
2.N-Type (Te Doped):Doping Tellurium (Te) digunakan untuk mencipta wafer jenis N, menawarkan mobiliti elektron yang tinggi dan menjadikannya sesuai untuk pengesan inframerah, elektronik berkelajuan tinggi dan aplikasi lain yang memerlukan aliran elektron yang cekap.
3.P-Type (Ge Doped):Doping Germanium (Ge) digunakan untuk mencipta wafer jenis P, menyediakan mobiliti lubang tinggi dan menawarkan prestasi cemerlang untuk penderia inframerah dan pengesan foto.

Pilihan Saiz:
1. Wafer boleh didapati dalam diameter 2 inci dan 3 inci. Ini memastikan keserasian dengan pelbagai proses dan peranti fabrikasi semikonduktor.
2. Wafer 2 inci mempunyai diameter 50.8±0.3mm, manakala wafer 3 inci mempunyai diameter 76.2±0.3mm.

Orientasi:
1. Wafer tersedia dengan orientasi 100 dan 111. Orientasi 100 sesuai untuk pengesan elektronik dan inframerah berkelajuan tinggi, manakala orientasi 111 kerap digunakan untuk peranti yang memerlukan sifat elektrik atau optik tertentu.

Kualiti Permukaan:
1. Wafer ini didatangkan dengan permukaan yang digilap/terukir untuk kualiti yang sangat baik, membolehkan prestasi optimum dalam aplikasi yang memerlukan ciri optik atau elektrik yang tepat.
2. Penyediaan permukaan memastikan ketumpatan kecacatan yang rendah, menjadikan wafer ini sesuai untuk aplikasi pengesanan inframerah di mana konsistensi prestasi adalah kritikal.

Epi-Sedia:
1. Wafer ini sedia epi, menjadikannya sesuai untuk aplikasi yang melibatkan pertumbuhan epitaxial di mana lapisan bahan tambahan akan didepositkan pada wafer untuk fabrikasi peranti semikonduktor atau optoelektronik termaju.

Aplikasi

1. Pengesan Inframerah:Wafer InSb digunakan secara meluas dalam fabrikasi pengesan inframerah, terutamanya dalam julat inframerah panjang gelombang pertengahan (MWIR). Mereka adalah penting untuk sistem penglihatan malam, pengimejan terma, dan aplikasi ketenteraan.
2. Sistem Pengimejan Inframerah:Kepekaan tinggi wafer InSb membolehkan pengimejan inframerah yang tepat dalam pelbagai sektor, termasuk keselamatan, pengawasan dan penyelidikan saintifik.
3. Elektronik Berkelajuan Tinggi:Oleh kerana mobiliti elektronnya yang tinggi, wafer ini digunakan dalam peranti elektronik canggih seperti transistor berkelajuan tinggi dan peranti optoelektronik.
4. Peranti Telaga Kuantum:Wafer InSb sesuai untuk aplikasi telaga kuantum dalam laser, pengesan dan sistem optoelektronik lain.

Parameter Produk

Parameter	2 inci	3 inci
Diameter	50.8±0.3mm	76.2±0.3mm
Ketebalan	500±5μm	650±5μm
Permukaan	Digilap/Terukir	Digilap/Terukir
Jenis Doping	Tidak didop, Te-doped (N), Ge-doped (P)	Tidak didop, Te-doped (N), Ge-doped (P)
Orientasi	100, 111	100, 111
Pakej	Bujang	Bujang
Epi-Sedia	ya	ya

Parameter Elektrik untuk Te Doped (N-Type):

mobiliti: 2000-5000 cm²/V·s
Kerintangan: (1-1000) Ω·cm
EPD (Ketumpatan Kecacatan): ≤2000 kecacatan/cm²

Parameter Elektrik untuk Ge Doped (P-Type):

mobiliti: 4000-8000 cm²/V·s
Kerintangan: (0.5-5) Ω·cm

EPD (Ketumpatan Kecacatan): ≤2000 kecacatan/cm²

Soal Jawab (Soalan Lazim)

S1: Apakah jenis doping yang sesuai untuk aplikasi pengesanan inframerah?

A1:Te-doped (jenis-N)wafer biasanya merupakan pilihan ideal untuk aplikasi pengesanan inframerah, kerana ia menawarkan mobiliti elektron yang tinggi dan prestasi cemerlang dalam pengesan inframerah (MWIR) pertengahan gelombang dan sistem pengimejan.

S2: Bolehkah saya menggunakan wafer ini untuk aplikasi elektronik berkelajuan tinggi?

J2: Ya, wafer InSb, terutamanya yang mempunyaiDoping jenis Ndan100 orientasi, sangat sesuai untuk elektronik berkelajuan tinggi seperti transistor, peranti telaga kuantum dan komponen optoelektronik kerana mobiliti elektronnya yang tinggi.

S3: Apakah perbezaan antara orientasi 100 dan 111 untuk wafer InSb?

A3: Yang100orientasi biasanya digunakan untuk peranti yang memerlukan prestasi elektronik berkelajuan tinggi, manakala111orientasi sering digunakan untuk aplikasi khusus yang memerlukan ciri elektrik atau optik yang berbeza, termasuk peranti dan penderia optoelektronik tertentu.

S4: Apakah kepentingan ciri Epi-Ready untuk wafer InSb?

A4: YangEpi-Sediaciri bermakna bahawa wafer telah dirawat terlebih dahulu untuk proses pemendapan epitaxial. Ini penting untuk aplikasi yang memerlukan pertumbuhan lapisan tambahan bahan di atas wafer, seperti dalam pengeluaran peranti semikonduktor atau optoelektronik termaju.

S5: Apakah aplikasi biasa wafer InSb dalam bidang teknologi inframerah?

A5: Wafer InSb digunakan terutamanya dalam pengesanan inframerah, pengimejan terma, sistem penglihatan malam dan teknologi penderiaan inframerah lain. Kepekaan tinggi dan hingar yang rendah menjadikannya sesuai untuknyainframerah panjang gelombang pertengahan (MWIR)pengesan.

S6: Bagaimanakah ketebalan wafer mempengaruhi prestasinya?

A6: Ketebalan wafer memainkan peranan penting dalam kestabilan mekanikal dan ciri elektriknya. Wafer yang lebih nipis sering digunakan dalam aplikasi yang lebih sensitif di mana kawalan yang tepat ke atas sifat bahan diperlukan, manakala wafer yang lebih tebal memberikan ketahanan yang dipertingkatkan untuk aplikasi industri tertentu.

S7: Bagaimanakah cara saya memilih saiz wafer yang sesuai untuk permohonan saya?

J7: Saiz wafer yang sesuai bergantung pada peranti atau sistem tertentu yang direka bentuk. Wafer yang lebih kecil (2 inci) selalunya digunakan untuk penyelidikan dan aplikasi berskala lebih kecil, manakala wafer yang lebih besar (3 inci) biasanya digunakan untuk pengeluaran besar-besaran dan peranti yang lebih besar yang memerlukan lebih banyak bahan.

Kesimpulan

InSb wafer masuk2 incidan3 incisaiz, dengandibatalkan, N-jenis, danJenis-Pvariasi, sangat berharga dalam aplikasi semikonduktor dan optoelektronik, terutamanya dalam sistem pengesanan inframerah. The100dan111orientasi memberikan fleksibiliti untuk pelbagai keperluan teknologi, daripada elektronik berkelajuan tinggi kepada sistem pengimejan inframerah. Dengan mobiliti elektron yang luar biasa, bunyi yang rendah dan kualiti permukaan yang tepat, wafer ini sesuai untuknyapengesan inframerah pertengahan gelombangdan aplikasi berprestasi tinggi yang lain.