SiC Jenis-N pada Substrat Komposit Si Dia6 inci
| 等级Gred | U 级 | P级 | D级 |
| Gred BPD Rendah | Gred Pengeluaran | Gred Dummy | |
| 直径Diameter | 150.0 mm±0.25mm | ||
| 厚度Ketebalan | 500 μm±25μm | ||
| 晶片方向Orientasi Wafer | Paksi luar : 4.0°ke arah < 11-20 > ±0.5°untuk 4H-N Pada paksi : <0001>±0.5°untuk 4H-SI | ||
| 主定位边方向Flat Utama | {10-10}±5.0° | ||
| 主定位边长度Panjang Rata Utama | 47.5 mm±2.5 mm | ||
| 边缘Pengecualian tepi | 3 mm | ||
| 总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow /Warp | ≤15μm /≤40μm /≤60μm | ||
| 微管密度和基面位错MPD&BPD | MPD≤1 cm-2 | MPD≤5 cm-2 | MPD≤15 cm-2 |
| BPD≤1000cm-2 | |||
| 电阻率Kerintangan | ≥1E5 Ω·cm | ||
| 表面粗糙度Kekasaran | Poland Ra≤1 nm | ||
| CMP Ra≤0.5 nm | |||
| 裂纹(强光灯观测) # | tiada | Panjang kumulatif ≤10mm, panjang tunggal≤2mm | |
| Retak oleh cahaya keamatan tinggi | |||
| 六方空洞（强光灯观测）* | Luas kumulatif ≤1% | Luas kumulatif ≤5% | |
| Plat Hex oleh cahaya keamatan tinggi | |||
| 多型(强光灯观测)* | tiada | Luas terkumpul≤5% | |
| Politaip Kawasan dengan cahaya keamatan tinggi | |||
| 划痕(强光灯观测)*& | 3 calar hingga 1×diameter wafer | 5 calar hingga 1×diameter wafer | |
| Calar oleh cahaya keamatan tinggi | panjang terkumpul | panjang terkumpul | |
| 崩边# Cip tepi | tiada | 5 dibenarkan, ≤1 mm setiap satu | |
| 表面污染物（强光灯观测） | tiada | ||
| Pencemaran oleh cahaya intensiti tinggi | |||
Gambarajah Terperinci
