SiC Jenis-N pada Substrat Komposit Si Dia6 inci

Penerangan ringkas:

N-Type SiC pada substrat komposit Si ialah bahan semikonduktor yang terdiri daripada lapisan silikon karbida (SiC) jenis-n yang dimendapkan pada substrat silikon (Si).

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

等级Gred	U 级	P级	D级
	Gred BPD Rendah	Gred Pengeluaran	Gred Dummy
直径Diameter	150.0 mm±0.25mm
厚度Ketebalan	500 μm±25μm
晶片方向Orientasi Wafer	Paksi luar : 4.0°ke arah < 11-20 > ±0.5°untuk 4H-N Pada paksi : <0001>±0.5°untuk 4H-SI
主定位边方向Flat Utama	{10-10}±5.0°
主定位边长度Panjang Rata Utama	47.5 mm±2.5 mm
边缘Pengecualian tepi	3 mm
总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow /Warp	≤15μm /≤40μm /≤60μm
微管密度和基面位错MPD&BPD	MPD≤1 cm-2	MPD≤5 cm-2	MPD≤15 cm-2
	BPD≤1000cm-2
电阻率Kerintangan	≥1E5 Ω·cm
表面粗糙度Kekasaran	Poland Ra≤1 nm
	CMP Ra≤0.5 nm
裂纹(强光灯观测) #	tiada		Panjang kumulatif ≤10mm, panjang tunggal≤2mm
Retak oleh cahaya keamatan tinggi
六方空洞（强光灯观测）*	Luas kumulatif ≤1%		Luas kumulatif ≤5%
Plat Hex oleh cahaya keamatan tinggi
多型(强光灯观测)*	tiada		Luas terkumpul≤5%
Politaip Kawasan dengan cahaya keamatan tinggi
划痕(强光灯观测)*&	3 calar hingga 1×diameter wafer		5 calar hingga 1×diameter wafer
Calar oleh cahaya keamatan tinggi	panjang terkumpul		panjang terkumpul
崩边# Cip tepi	tiada		5 dibenarkan, ≤1 mm setiap satu
表面污染物（强光灯观测）	tiada
Pencemaran oleh cahaya intensiti tinggi