Substrat SiC jenis-P wafer SiC produk baharu Dia2 inci

Substrat silikon karbida jenis-P biasanya digunakan untuk membuat peranti kuasa, seperti transistor Bipolar Insulate-Gate (IGBT).

IGBT= MOSFET+BJT, iaitu suis hidup-mati. MOSFET=IGFET (tiub kesan medan semikonduktor oksida logam, atau transistor kesan medan jenis get bertebat). BJT (Transistor Persimpangan Bipolar, juga dikenali sebagai transistor), bipolar bermaksud terdapat dua jenis pembawa elektron dan lubang yang terlibat dalam proses pengaliran yang berfungsi, secara amnya terdapat simpang PN yang terlibat dalam pengaliran.

Wafer silikon karbida (SiC) jenis-p 2 inci berada dalam politaip 4H atau 6H. Ia mempunyai sifat yang serupa dengan wafer silikon karbida (SiC) jenis-n, seperti rintangan suhu tinggi, kekonduksian terma yang tinggi dan kekonduksian elektrik yang tinggi. Substrat SiC jenis-p biasanya digunakan dalam fabrikasi peranti kuasa, terutamanya untuk fabrikasi transistor dwikutub pintu bertebat (IGBT). Reka bentuk IGBT biasanya melibatkan simpang PN, di mana SiC jenis-p adalah berfaedah untuk mengawal kelakuan peranti.