Substrat SiC jenis-P SiC wafer Dia2inch produk baharu

Penerangan ringkas:

Wafer Silikon Karbida (SiC) Jenis P 2 inci sama ada dalam politaip 4H atau 6H. Ia mempunyai sifat yang sama seperti wafer Silikon Karbida (SiC) jenis N, seperti rintangan suhu tinggi, kekonduksian terma yang tinggi, kekonduksian elektrik yang tinggi, dan lain-lain. Substrat SiC jenis P biasanya digunakan untuk peranti kuasa pembuatan, terutamanya pembuatan Bertebat. Transistor Bipolar Gerbang (IGBT). Reka bentuk IGBT selalunya melibatkan persimpangan PN, di mana SiC jenis P boleh berfaedah untuk mengawal tingkah laku peranti.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Substrat silikon karbida jenis-P biasanya digunakan untuk membuat peranti kuasa, seperti transistor Bipolar Insulate-Gate (IGBT).

IGBT= MOSFET+BJT, iaitu suis hidup-mati. MOSFET=IGFET(tiub kesan medan semikonduktor oksida logam, atau transistor kesan medan jenis get terlindung). BJT(Transistor Persimpangan Bipolar, juga dikenali sebagai transistor), bipolar bermaksud terdapat dua jenis pembawa elektron dan lubang yang terlibat dalam proses pengaliran di tempat kerja, secara amnya terdapat persimpangan PN yang terlibat dalam pengaliran.

Wafer silikon karbida (SiC) jenis p 2 inci adalah dalam politaip 4H atau 6H. Ia mempunyai sifat yang serupa dengan wafer silikon karbida (SiC) jenis-n, seperti rintangan suhu tinggi, kekonduksian haba yang tinggi dan kekonduksian elektrik yang tinggi. Substrat SiC jenis-p biasanya digunakan dalam fabrikasi peranti kuasa, terutamanya untuk fabrikasi transistor bipolar pintu terlindung (IGBT). reka bentuk IGBT biasanya melibatkan persimpangan PN, di mana SiC jenis p berfaedah untuk mengawal tingkah laku peranti.