Produk
-
Wafer substrat SiC HPSI 6 inci Silicon Carbide Wafer SiC separuh menghina
-
Wafer SiC separa menghina 4 inci Substrat SiC HPSI gred Pengeluaran Perdana
-
3 inci 76.2mm 4H-Semi SiC wafer substrat Silicon Carbide Wafer SiC separa menghina
-
Substrat SiC Dia76.2mm 3 inci HPSI Prime Research dan gred Dummy
-
4H-separuh HPSI 2 inci SiC wafer Pengeluaran Dummy gred Penyelidikan
-
Wafer SiC 2 inci 6H atau 4H Substrat SiC Separa Penebat Dia50.8mm
-
8 inci 200mm Substrat nilam wafer nipis ketebalan 1SP 2SP 0.5mm 0.75mm
-
Kristal tunggal Al2O3 99.999% Wafer nilam Dia200mm ketebalan 1.0mm 0.75mm
-
Substrat Nilam Elektrod dan Substrat LED Wafer C-plane
-
Wafer Nilam 156mm 159mm 6 inci untuk pembawa C-Plane DSP TTV
-
Dia101.6mm 4 inci M-plane Sapphire Substrat Wafer LED Substrat Tebal 500um
-
C/A/M paksi 4 inci wafer nilam kristal tunggal Al2O3,SSP DSP substrat nilam kekerasan tinggi