SiC Separa Penebat pada Substrat Komposit Si
| Barangan | Spesifikasi | Barangan | Spesifikasi |
| Diameter | 150±0.2mm | Orientasi | <111>/<100>/<110> dan seterusnya |
| Politaip | 4H | Jenis | P/N |
| Kerintangan | ≥1E8ohm·cm | Kerataan | Rata/Takuk |
| Ketebalan lapisan pemindahan | ≥0.1μm | Cip Tepi, Calar, Retak (pemeriksaan visual) | Tiada |
| Kosong | ≤5 setiap satu/wafer (2mm>D>0.5mm) | TTV | ≤5μm |
| Kekasaran hadapan | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | Ketebalan | 500/625/675±25μm |
Gabungan ini menawarkan beberapa kelebihan dalam pembuatan elektronik:
Keserasian: Penggunaan substrat silikon menjadikannya serasi dengan teknik pemprosesan berasaskan silikon standard dan membolehkan penyepaduan dengan proses pembuatan semikonduktor sedia ada.
Prestasi suhu tinggi: SiC mempunyai kekonduksian terma yang sangat baik dan boleh beroperasi pada suhu tinggi, menjadikannya sesuai untuk aplikasi elektronik berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi.
Voltan Kerosakan Tinggi: Bahan SiC mempunyai voltan kerosakan yang tinggi dan boleh menahan medan elektrik yang tinggi tanpa kerosakan elektrik.
Kehilangan Kuasa Berkurangan: Substrat SiC membolehkan penukaran kuasa yang lebih cekap dan kehilangan kuasa yang lebih rendah dalam peranti elektronik berbanding bahan berasaskan silikon tradisional.
Lebar jalur: SiC mempunyai lebar jalur yang luas, membolehkan pembangunan peranti elektronik yang boleh beroperasi pada suhu yang lebih tinggi dan ketumpatan kuasa yang lebih tinggi.
Jadi, SiC separa penebat pada substrat komposit Si menggabungkan keserasian silikon dengan sifat elektrik dan terma SiC yang unggul, menjadikannya sesuai untuk aplikasi elektronik berprestasi tinggi.
Pembungkusan dan Penghantaran
1. Kami akan menggunakan plastik pelindung dan kotak tersuai untuk pembungkusan. (Bahan mesra alam)
2. Kita boleh melakukan pembungkusan tersuai mengikut kuantiti.
3. DHL/Fedex/UPS Express biasanya mengambil masa kira-kira 3-7 hari bekerja ke destinasi.
Gambarajah Terperinci
