logo xinkehui
  • Laman Utama
  • Syarikat
    • Mengenai Xinkehui
    • Muat turun
  • Produk
    • Substrat
      • Safir
      • SiC
      • Silikon
      • LiTaO3_LiNbO3
      • AlN
      • DalamP
      • GaAs
      • Kaca Lain
      • InSb
    • Produk Optik
      • Kuarza, BF33 dan K9
      • Kristal nilam
      • Tiub dan rod nilam
      • Tingkap nilam
    • Lapisan Epitaksial
    • Produk seramik
    • Pembawa Wafer
    • Peralatan semikonduktor
    • Batu permata nilam sintetik
    • Bahan kristal tunggal logam
  • Berita
  • Hubungi
English
  • Laman Utama
  • Produk
  • Peralatan semikonduktor

Kategori

  • Substrat
    • Safir
    • SiC
    • Silikon
    • LiTaO3_LiNbO3
    • AlN
    • GaAs
    • DalamP
    • InSb
    • Kaca Lain
  • Produk Optik
    • Kuarza, BF33 dan K9
    • Kristal nilam
    • Tiub dan rod nilam
    • Tingkap nilam
  • Lapisan Epitaksial
  • Produk seramik
  • Pembawa Wafer
  • Batu permata nilam sintetik
  • Peralatan semikonduktor
  • Bahan kristal tunggal logam

Produk pilihan

  • Gred penyelidikan dummy konduktif Wafer SiC 4H-N 200mm 8 inci
    Konduktor Wafer SiC 4H-N 200mm 8 inci...
  • Pembawa Substrat Wafer Nilam 150mm 6 inci 0.7mm 0.5mm C-Plane SSP/DSP
    150mm 6 inci 0.7mm 0.5mm Safir...
  • Wafer Safir 4 inci C-Plane SSP/DSP 0.43mm 0.65mm
    Wafer C-Plane Safir 4 inci SS...
  • Tingkap nilam Kanta kaca nilam Bahan Al2O3 kristal tunggal
    Tingkap nilam Kaca nilam l...
  • Wafer Nilam Dia50.8mm Tingkap Nilam Pemancar Optik Tinggi DSP/SSP
    Wafer Nilam Diameter 50.8mm Nilam...
  • Templat AlN 50.8mm/100mm pada templat AlN NPSS/FSS pada nilam
    Templat AlN 50.8mm/100mm pada NPS...

Peralatan semikonduktor

  • Mesin penggerudian laser berketepatan tinggi untuk penggerudian muncung galas permata bahan seramik nilam

    Mesin penggerudian laser berketepatan tinggi untuk penggerudian muncung galas permata bahan seramik nilam

  • Relau pertumbuhan Al2O3 kristal tunggal nilam kaedah KY pengeluaran Kyropoulos kristal nilam berkualiti tinggi

    Relau pertumbuhan Al2O3 kristal tunggal nilam kaedah KY pengeluaran Kyropoulos kristal nilam berkualiti tinggi

  • Relau pertumbuhan silikon monokristalin peralatan sistem pertumbuhan jongkong silikon monokristalin suhu sehingga 2100℃

    Relau pertumbuhan silikon monokristalin peralatan sistem pertumbuhan jongkong silikon monokristalin suhu sehingga 2100℃

  • Relau pertumbuhan kristal nilam Czochralski kaedah CZ relau kristal tunggal untuk menumbuhkan wafer nilam berkualiti tinggi

    Relau pertumbuhan kristal nilam Czochralski kaedah CZ relau kristal tunggal untuk menumbuhkan wafer nilam berkualiti tinggi

<< < Sebelumnya1234

BERITA

  • Apakah yang Menjadikan Substrat Safir Berkualiti Tinggi untuk Aplikasi Semikonduktor?
    29/12/2025

    Apakah yang Menjadikan Substrat Safir Berkualiti Tinggi untuk Aplikasi Semikonduktor?

  • Epitaksi Silikon Karbida: Prinsip Proses, Kawalan Ketebalan dan Cabaran Kecacatan
    23/12/2025

    Epitaksi Silikon Karbida: Prinsip Proses, Kawalan Ketebalan dan Cabaran Kecacatan

  • Dari Substrat kepada Penukar Kuasa: Peranan Penting Silikon Karbida dalam Sistem Kuasa Termaju
    18/12/2025

    Dari Substrat kepada Penukar Kuasa: Peranan Penting Silikon Karbida dalam Sistem Kuasa Termaju

  • Potensi Pertumbuhan Silikon Karbida dalam Teknologi Baru Muncul
    16/12/2025

    Potensi Pertumbuhan Silikon Karbida dalam Teknologi Baru Muncul

  • Halangan Teknikal dan Kejayaan dalam Industri Silikon Karbida (SiC)
    10/12/2025

    Halangan Teknikal dan Kejayaan dalam Industri Silikon Karbida (SiC)

HUBUNGI

  • Rm1-1805, No.851, Jalan Dianshanhu; Kawasan Qingpu; Bandar Shanghai, China//201799
  • +86 158 0194 2596
  • +86 187 0175 6522
  • eric@xkh-semitech.com
  • doris@xkh-semitech.com

PERTANYAAN

Untuk pertanyaan tentang produk atau senarai harga kami, sila tinggalkan emel anda kepada kami dan kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam.

  • Facebook
  • twitter
  • linkedin
  • youtube
Hantar
© Hak Cipta - 2010-2025: Semua Hak Cipta Terpelihara. Peta Laman - AMP Mudah Alih
Wafer Silikon Karbida, Substrat Sic, 6 inci, Disesuaikan, Tiub Nilam, Wafer Sic,
Inuiry Dalam Talian
  • Hantar E-mel
  • x
    • WhatsApp

      +86 15801942596 +86 18701756522

    • qq

      eric@xkh-semitech.com doris@xkh-semitech.com

    • WhatsApp

      +86 15801942596 +86 18701756522

    Tekan enter untuk mencari atau ESC untuk menutup
    • English
    • French
    • German
    • Portuguese
    • Spanish
    • Russian
    • Japanese
    • Korean
    • Arabic
    • Irish
    • Greek
    • Turkish
    • Italian
    • Danish
    • Romanian
    • Indonesian
    • Czech
    • Afrikaans
    • Swedish
    • Polish
    • Basque
    • Catalan
    • Esperanto
    • Hindi
    • Lao
    • Albanian
    • Amharic
    • Armenian
    • Azerbaijani
    • Belarusian
    • Bengali
    • Bosnian
    • Bulgarian
    • Cebuano
    • Chichewa
    • Corsican
    • Croatian
    • Dutch
    • Estonian
    • Filipino
    • Finnish
    • Frisian
    • Galician
    • Georgian
    • Gujarati
    • Haitian
    • Hausa
    • Hawaiian
    • Hebrew
    • Hmong
    • Hungarian
    • Icelandic
    • Igbo
    • Javanese
    • Kannada
    • Kazakh
    • Khmer
    • Kurdish
    • Kyrgyz
    • Latin
    • Latvian
    • Lithuanian
    • Luxembou..
    • Macedonian
    • Malagasy
    • Malay
    • Malayalam
    • Maltese
    • Maori
    • Marathi
    • Mongolian
    • Burmese
    • Nepali
    • Norwegian
    • Pashto
    • Persian
    • Punjabi
    • Serbian
    • Sesotho
    • Sinhala
    • Slovak
    • Slovenian
    • Somali
    • Samoan
    • Scots Gaelic
    • Shona
    • Sindhi
    • Sundanese
    • Swahili
    • Tajik
    • Tamil
    • Telugu
    • Thai
    • Ukrainian
    • Urdu
    • Uzbek
    • Vietnamese
    • Welsh
    • Xhosa
    • Yiddish
    • Yoruba
    • Zulu
    • Kinyarwanda
    • Tatar
    • Oriya
    • Turkmen
    • Uyghur