Peralatan Lift-Off Laser Semikonduktor Merevolusikan Penipisan Jongkong

Peralatan Lift-Off Laser Semikonduktor Merevolusikan Imej Pilihan Penipisan Jongkong

Penerangan ringkas:

Peralatan Lift-Off Laser Semikonduktor ialah penyelesaian perindustrian yang sangat khusus yang direka bentuk untuk penipisan jongkong semikonduktor yang tepat dan tidak bersentuhan melalui teknik pengangkatan akibat laser. Sistem canggih ini memainkan peranan penting dalam proses wafer semikonduktor moden, terutamanya dalam fabrikasi wafer ultra nipis untuk elektronik kuasa berprestasi tinggi, LED dan peranti RF. Dengan membolehkan pengasingan lapisan nipis daripada jongkong pukal atau substrat penderma, Peralatan Lift-Off Laser Semikonduktor merevolusikan penipisan jongkong dengan menghapuskan langkah menggergaji mekanikal, pengisaran dan goresan kimia.

Hantar e-mel kepada kami

Ciri-ciri

Gambarajah Terperinci

Pengenalan Produk Peralatan Lift-Off Laser Semikonduktor

Penipisan tradisional jongkong semikonduktor, seperti galium nitrida (GaN), silikon karbida (SiC), dan nilam, selalunya memerlukan tenaga kerja, membazir, dan terdedah kepada retakan mikro atau kerosakan permukaan. Sebaliknya, Peralatan Lift-Off Laser Semikonduktor menawarkan alternatif yang tidak merosakkan dan tepat yang meminimumkan kehilangan bahan dan tekanan permukaan sambil meningkatkan produktiviti. Ia menyokong pelbagai jenis bahan kristal dan kompaun dan boleh disepadukan dengan lancar ke dalam barisan pengeluaran semikonduktor bahagian hadapan atau pertengahan.

Dengan panjang gelombang laser boleh dikonfigurasikan, sistem fokus adaptif dan chuck wafer serasi vakum, peralatan ini amat sesuai untuk penghirisan jongkong, penciptaan lamela dan detasmen filem ultra-nipis untuk struktur peranti menegak atau pemindahan lapisan heteroepitaxial.

Parameter Peralatan Lift-Off Laser Semikonduktor

Panjang gelombang	IR/SHG/THG/FHG
Lebar Nadi	Nanosaat, Picosaat, Femtosaat
Sistem Optik	Sistem optik tetap atau sistem Galvano-optik
Peringkat XY	500 mm × 500 mm
Julat Pemprosesan	160 mm
Kelajuan Pergerakan	Maks 1,000 mm/saat
Kebolehulangan	±1 μm atau kurang
Ketepatan Kedudukan Mutlak:	±5 μm atau kurang
Saiz Wafer	2–6 inci atau disesuaikan
Kawalan	Windows 10,11 dan PLC
Voltan Bekalan Kuasa	AC 200 V ±20 V, Fasa tunggal, 50/60 kHz
Dimensi Luaran	2400 mm (W) × 1700 mm (D) × 2000 mm (H)
Berat badan	1,000 kg

Prinsip Kerja Peralatan Lift-Off Laser Semikonduktor

Mekanisme teras Peralatan Lift-Off Laser Semikonduktor bergantung pada penguraian fototerma terpilih atau ablasi pada antara muka antara jongkong penderma dan lapisan epitaxial atau sasaran. Laser UV bertenaga tinggi (biasanya KrF pada 248 nm atau laser keadaan pepejal UV sekitar 355 nm) difokuskan melalui bahan penderma telus atau separa lutsinar, di mana tenaga diserap secara terpilih pada kedalaman yang telah ditetapkan.

Penyerapan tenaga setempat ini menghasilkan fasa gas bertekanan tinggi atau lapisan pengembangan terma pada antara muka, yang memulakan penembusan bersih wafer atas atau lapisan peranti daripada pangkalan jongkong. Proses ini ditala dengan halus dengan melaraskan parameter seperti lebar nadi, kelancaran laser, kelajuan imbasan dan kedalaman fokus paksi-z. Hasilnya ialah kepingan ultra-nipis—selalunya dalam julat 10 hingga 50 µm—diasingkan dengan bersih daripada jongkong induk tanpa lelasan mekanikal.

Kaedah pengangkatan laser untuk penipisan jongkong ini mengelakkan kehilangan kerf dan kerosakan permukaan yang berkaitan dengan menggergaji dawai berlian atau menjilat mekanikal. Ia juga mengekalkan integriti kristal dan mengurangkan keperluan penggilap hiliran, menjadikan Peralatan Semikonduktor Laser Lift-Off sebagai alat mengubah permainan untuk pengeluaran wafer generasi akan datang.

Peralatan Lift-Off Laser Semikonduktor Merevolusikan Penipisan Jongkong 2

Aplikasi Peralatan Lift-Off Laser Semikonduktor

Peralatan Lift-Off Laser Semikonduktor menemui kebolehgunaan luas dalam penipisan jongkong merentas pelbagai bahan dan jenis peranti termaju, termasuk:

Penipisan Jongkong GaN dan GaAs untuk Peranti Kuasa
Mendayakan penciptaan wafer nipis untuk kecekapan tinggi, transistor kuasa rintangan rendah dan diod.

Penambakan Substrat SiC dan Pemisahan Lamella
Membenarkan pengangkatan skala wafer daripada substrat SiC pukal untuk struktur peranti menegak dan penggunaan semula wafer.

Penghirisan Wafer LED
Memudahkan pengangkatan lapisan GaN daripada jongkong nilam tebal untuk menghasilkan substrat LED ultra nipis.

Fabrikasi Peranti RF dan Microwave
Menyokong struktur transistor mobiliti elektron tinggi ultra nipis (HEMT) yang diperlukan dalam sistem 5G dan radar.

Pemindahan Lapisan Epitaxial
Tepat menanggalkan lapisan epitaxial daripada jongkong kristal untuk digunakan semula atau penyepaduan ke dalam heterostruktur.

Sel Suria Filem Nipis dan Fotovoltaik
Digunakan untuk memisahkan lapisan penyerap nipis untuk sel solar yang fleksibel atau berkecekapan tinggi.

Dalam setiap domain ini, Peralatan Lift-Off Laser Semikonduktor menyediakan kawalan yang tiada tandingan ke atas keseragaman ketebalan, kualiti permukaan dan integriti lapisan.

Kelebihan Penipisan Jongkong Berasaskan Laser

Kehilangan Bahan Zero-Kerf
Berbanding kaedah penghirisan wafer tradisional, proses laser menghasilkan hampir 100% penggunaan bahan.

Tekanan Minimum dan Meleding
Pengangkatan tanpa sentuhan menghilangkan getaran mekanikal, mengurangkan haluan wafer dan pembentukan mikrocrack.

Pemeliharaan Kualiti Permukaan
Tiada lapping atau penggilap selepas penipisan diperlukan dalam banyak kes, kerana laser lift-off mengekalkan integriti permukaan atas.

Kapasiti Tinggi dan Sedia Automasi
Mampu memproses ratusan substrat setiap syif dengan pemuatan/pemunggahan automatik.

Boleh disesuaikan dengan Pelbagai Bahan
Serasi dengan bahan GaN, SiC, nilam, GaAs dan III-V yang baru muncul.

Lebih Selamat Alam Sekitar
Mengurangkan penggunaan bahan pelelas dan bahan kimia keras yang biasa dalam proses penipisan berasaskan buburan.

Penggunaan Semula Substrat
Jongkong penderma boleh dikitar semula untuk berbilang kitaran angkat, dengan banyak mengurangkan kos bahan.

Soalan Lazim (Soalan Lazim) Peralatan Semikonduktor Laser Lift-Off

S1: Apakah julat ketebalan yang boleh dicapai oleh Peralatan Semikonduktor Laser Lift-Off untuk kepingan wafer?
A1:Ketebalan kepingan biasa berjulat dari 10 µm hingga 100 µm bergantung pada bahan dan konfigurasi.

S2: Bolehkah peralatan ini digunakan untuk menipis jongkong yang diperbuat daripada bahan legap seperti SiC?
A2:ya. Dengan menala panjang gelombang laser dan mengoptimumkan kejuruteraan antara muka (cth, interlayer korban), malah bahan yang separa legap boleh diproses.

S3: Bagaimanakah substrat penderma diselaraskan sebelum pengangkatan laser?
A3:Sistem ini menggunakan modul penjajaran berasaskan penglihatan sub-mikron dengan maklum balas daripada tanda fidusial dan imbasan pemantulan permukaan.

S4: Apakah jangkaan masa kitaran untuk satu operasi angkat laser?
A4:Bergantung pada saiz dan ketebalan wafer, kitaran biasa berlangsung dari 2 hingga 10 minit.

S5: Adakah proses tersebut memerlukan persekitaran bilik bersih?
A5:Walaupun tidak wajib, penyepaduan bilik bersih disyorkan untuk mengekalkan kebersihan substrat dan hasil peranti semasa operasi berketepatan tinggi.

Tentang Kami

XKH pakar dalam pembangunan berteknologi tinggi, pengeluaran dan penjualan kaca optik khas dan bahan kristal baharu. Produk kami menyediakan perkhidmatan elektronik optik, elektronik pengguna dan ketenteraan. Kami menawarkan komponen optik Sapphire, penutup kanta telefon mudah alih, Seramik, LT, Silicon Carbide SIC, Kuarza dan wafer kristal semikonduktor. Dengan kepakaran mahir dan peralatan canggih, kami cemerlang dalam pemprosesan produk bukan standard, menyasarkan untuk menjadi perusahaan teknologi tinggi bahan optoelektronik terkemuka.