SiC Ingot jenis 4H Dia 4 inci 6 inci Ketebalan 5-10mm Penyelidikan / Gred Dummy

SiC Ingot 4H jenis Dia 4 inci 6 inci Tebal 5-10mm Penyelidikan / Imej Pilihan Gred Dummy

Penerangan ringkas:

Silicon Carbide (SiC) telah muncul sebagai bahan utama dalam aplikasi elektronik dan optoelektronik termaju kerana sifat elektrik, haba dan mekanikalnya yang unggul. Jongkong 4H-SiC, tersedia dalam diameter 4 inci dan 6 inci dengan ketebalan 5-10 mm, ialah produk asas untuk tujuan penyelidikan dan pembangunan atau sebagai bahan gred tiruan. Jongkong ini direka bentuk untuk menyediakan penyelidik dan pengilang substrat SiC berkualiti tinggi yang sesuai untuk fabrikasi peranti prototaip, kajian eksperimen, atau prosedur penentukuran dan ujian. Dengan struktur kristal heksagon yang unik, jongkong 4H-SiC menawarkan kebolehgunaan luas dalam elektronik kuasa, peranti frekuensi tinggi dan sistem kalis sinaran.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Hartanah

1. Struktur dan Orientasi Kristal
Politaip: 4H (struktur heksagon)
Pemalar Kekisi:
a = 3.073 Å
c = 10.053 Å
Orientasi: Biasanya [0001] (satah C), tetapi orientasi lain seperti [11\overline{2}0] (satah A) juga tersedia atas permintaan.

2. Dimensi Fizikal
Diameter:
Pilihan standard: 4 inci (100 mm) dan 6 inci (150 mm)
Ketebalan:
Tersedia dalam julat 5-10 mm, boleh disesuaikan bergantung pada keperluan aplikasi.

3. Sifat Elektrik
Jenis Doping: Tersedia dalam intrinsik (separa penebat), jenis n (didop dengan nitrogen), atau jenis p (didop dengan aluminium atau boron).

4. Sifat Terma dan Mekanikal
Kekonduksian Terma: 3.5-4.9 W/cm·K pada suhu bilik, membolehkan pelesapan haba yang sangat baik.
Kekerasan: Mohs skala 9, menjadikan SiC kedua selepas berlian dalam kekerasan.

Parameter	Butiran	Unit
Kaedah Pertumbuhan	PVT (Pengangkutan Wap Fizikal)
Diameter	50.8 ± 0.5 / 76.2 ± 0.5 / 100.0 ± 0.5 / 150 ± 0.5	mm
Politaip	4H / 6H (50.8 mm), 4H (76.2 mm, 100.0 mm, 150 mm)
Orientasi Permukaan	0.0˚ / 4.0˚ / 8.0˚ ± 0.5˚ (50.8 mm), 4.0˚ ± 0.5˚ (lain-lain)	ijazah
taip	N-jenis
Ketebalan	5-10 / 10-15 / >15	mm
Orientasi Rata Utama	(10-10) ± 5.0˚	ijazah
Panjang Rata Utama	15.9 ± 2.0 (50.8 mm), 22.0 ± 3.5 (76.2 mm), 32.5 ± 2.0 (100.0 mm), 47.5 ± 2.5 (150 mm)	mm
Orientasi Rata Menengah	90˚ CCW dari orientasi ± 5.0˚	ijazah
Panjang Rata Sekunder	8.0 ± 2.0 (50.8 mm), 11.2 ± 2.0 (76.2 mm), 18.0 ± 2.0 (100.0 mm), Tiada (150 mm)	mm
Gred	Penyelidikan / Dummy

Aplikasi

1. Penyelidikan dan Pembangunan

Jongkong 4H-SiC gred penyelidikan adalah sesuai untuk makmal akademik dan industri yang memfokuskan pada pembangunan peranti berasaskan SiC. Kualiti kristalnya yang unggul membolehkan eksperimen yang tepat pada sifat SiC, seperti:
Kajian mobiliti pembawa.
Teknik pencirian dan pengecilan kecacatan.
Pengoptimuman proses pertumbuhan epitaxial.

2. Substrat Dummy
Jongkong gred dummy digunakan secara meluas dalam aplikasi ujian, penentukuran dan prototaip. Ia adalah alternatif kos efektif untuk:
Penentukuran parameter proses dalam Pemendapan Wap Kimia (CVD) atau Pemendapan Wap Fizikal (PVD).
Menilai proses etsa dan menggilap dalam persekitaran pembuatan.

3. Elektronik Kuasa
Oleh kerana jurang jalurnya yang lebar dan kekonduksian terma yang tinggi, 4H-SiC ialah asas untuk elektronik kuasa, seperti:
MOSFET voltan tinggi.
Diod Penghalang Schottky (SBD).
Transistor Kesan Medan Persimpangan (JFET).
Aplikasi termasuk penyongsang kenderaan elektrik, penyongsang suria dan grid pintar.

4. Peranti Frekuensi Tinggi
Mobiliti elektron yang tinggi dan kehilangan kapasiti yang rendah menjadikannya sesuai untuk:
Transistor Frekuensi Radio (RF).
Sistem komunikasi tanpa wayar, termasuk infrastruktur 5G.
Aplikasi aeroangkasa dan pertahanan yang memerlukan sistem radar.

5. Sistem Tahan Sinaran
Rintangan yang wujud 4H-SiC terhadap kerosakan sinaran menjadikannya amat diperlukan dalam persekitaran yang keras seperti:
Perkakasan penerokaan angkasa lepas.
Peralatan pemantauan loji tenaga nuklear.
Elektronik gred tentera.

6. Teknologi Baru Muncul
Dengan kemajuan teknologi SiC, aplikasinya terus berkembang menjadi bidang seperti:
Fotonik dan penyelidikan pengkomputeran kuantum.
Pembangunan LED berkuasa tinggi dan penderia UV.
Penyepaduan ke dalam heterostruktur semikonduktor jurang jalur lebar.
Kelebihan Jongkong 4H-SiC
Ketulenan Tinggi: Dihasilkan dalam keadaan ketat untuk meminimumkan kekotoran dan ketumpatan kecacatan.
Kebolehskalaan: Tersedia dalam kedua-dua diameter 4 inci dan 6 inci untuk menyokong keperluan standard industri dan skala penyelidikan.
Serbaguna: Boleh disesuaikan dengan pelbagai jenis dan orientasi doping untuk memenuhi keperluan aplikasi tertentu.
Prestasi Teguh: Kestabilan terma dan mekanikal yang unggul di bawah keadaan operasi yang melampau.

Kesimpulan

Jongkong 4H-SiC, dengan ciri-ciri luar biasa dan aplikasi yang luas, berdiri di barisan hadapan dalam inovasi bahan untuk elektronik dan optoelektronik generasi akan datang. Sama ada digunakan untuk penyelidikan akademik, prototaip industri atau pembuatan peranti lanjutan, jongkong ini menyediakan platform yang boleh dipercayai untuk menolak sempadan teknologi. Dengan dimensi, doping dan orientasi yang boleh disesuaikan, jongkong 4H-SiC disesuaikan untuk memenuhi permintaan industri semikonduktor yang berkembang.
Jika anda berminat untuk mengetahui lebih lanjut atau membuat pesanan, sila hubungi untuk mendapatkan spesifikasi terperinci dan perundingan teknikal.