Jongkong SiC jenis 4H Diameter 4 inci 6 inci Ketebalan 5-10mm Gred Penyelidikan / Dummy

Penerangan Ringkas:

Silikon Karbida (SiC) telah muncul sebagai bahan utama dalam aplikasi elektronik dan optoelektronik termaju kerana sifat elektrik, terma dan mekanikalnya yang unggul. Jongkong 4H-SiC, yang terdapat dalam diameter 4 inci dan 6 inci dengan ketebalan 5-10 mm, merupakan produk asas untuk tujuan penyelidikan dan pembangunan atau sebagai bahan gred dummy. Jongkong ini direka bentuk untuk menyediakan substrat SiC berkualiti tinggi kepada penyelidik dan pengeluar yang sesuai untuk fabrikasi peranti prototaip, kajian eksperimen atau prosedur penentukuran dan pengujian. Dengan struktur kristal heksagonnya yang unik, jongkong 4H-SiC menawarkan kebolehgunaan yang luas dalam elektronik kuasa, peranti frekuensi tinggi dan sistem tahan sinaran.

Hantar emel kepada kami

Ciri-ciri

Hartanah

1. Struktur dan Orientasi Kristal
Politaip: 4H (struktur heksagon)
Pemalar Kekisi:
a = 3.073 Å
c = 10.053 Å
Orientasi: Biasanya [0001] (satah-C), tetapi orientasi lain seperti [11\overline{2}0] (satah-A) juga tersedia atas permintaan.

2. Dimensi Fizikal
Diameter:
Pilihan standard: 4 inci (100 mm) dan 6 inci (150 mm)
Ketebalan:
Terdapat dalam julat 5-10 mm, boleh disesuaikan bergantung pada keperluan aplikasi.

3. Sifat Elektrik
Jenis Doping: Terdapat dalam intrinsik (separa penebat), jenis-n (didop dengan nitrogen), atau jenis-p (didop dengan aluminium atau boron).

4. Sifat Terma dan Mekanikal
Kekonduksian Terma: 3.5-4.9 W/cm·K pada suhu bilik, membolehkan pelesapan haba yang sangat baik.
Kekerasan: Skala Mohs 9, menjadikan SiC kedua selepas berlian dari segi kekerasan.

Parameter	Butiran	Unit
Kaedah Pertumbuhan	PVT (Pengangkutan Wap Fizikal)
Diameter	50.8 ± 0.5 / 76.2 ± 0.5 / 100.0 ± 0.5 / 150 ± 0.5	mm
Politaip	4H / 6H (50.8 mm), 4H (76.2 mm, 100.0 mm, 150 mm)
Orientasi Permukaan	0.0˚ / 4.0˚ / 8.0˚ ± 0.5˚ (50.8 mm), 4.0˚ ± 0.5˚ (lain-lain)	ijazah
Jenis	Jenis-N
Ketebalan	5-10 / 10-15 / >15	mm
Orientasi Rata Utama	(10-10) ± 5.0˚	ijazah
Panjang Rata Utama	15.9 ± 2.0 (50.8 mm), 22.0 ± 3.5 (76.2 mm), 32.5 ± 2.0 (100.0 mm), 47.5 ± 2.5 (150 mm)	mm
Orientasi Rata Sekunder	90˚ CCW dari orientasi ± 5.0˚	ijazah
Panjang Rata Sekunder	8.0 ± 2.0 (50.8 mm), 11.2 ± 2.0 (76.2 mm), 18.0 ± 2.0 (100.0 mm), Tiada (150 mm)	mm
Gred	Penyelidikan / Dummy

Aplikasi

1. Penyelidikan dan Pembangunan

Jongkong 4H-SiC gred penyelidikan ini sesuai untuk makmal akademik dan perindustrian yang tertumpu pada pembangunan peranti berasaskan SiC. Kualiti kristalnya yang unggul membolehkan eksperimen yang tepat pada sifat SiC, seperti:
Kajian mobiliti pembawa.
Teknik pencirian dan pengurangan kecacatan.
Pengoptimuman proses pertumbuhan epitaksial.

2. Substrat Dummy
Jongkong gred dummy digunakan secara meluas dalam aplikasi pengujian, penentukuran dan pembuatan prototaip. Ia merupakan alternatif yang kos efektif untuk:
Penentukuran parameter proses dalam Pemendapan Wap Kimia (CVD) atau Pemendapan Wap Fizikal (PVD).
Menilai proses pengukiran dan penggilapan dalam persekitaran pembuatan.

3. Elektronik Kuasa
Disebabkan oleh jurang jalurnya yang luas dan kekonduksian terma yang tinggi, 4H-SiC merupakan asas bagi elektronika kuasa, seperti:
MOSFET voltan tinggi.
Diod Penghalang Schottky (SBD).
Transistor Kesan Medan Persimpangan (JFET).
Aplikasi termasuk penyongsang kenderaan elektrik, penyongsang solar dan grid pintar.

4. Peranti Frekuensi Tinggi
Mobiliti elektron yang tinggi dan kehilangan kapasitans bahan yang rendah menjadikannya sesuai untuk:
Transistor Frekuensi Radio (RF).
Sistem komunikasi tanpa wayar, termasuk infrastruktur 5G.
Aplikasi aeroangkasa dan pertahanan yang memerlukan sistem radar.

5. Sistem Tahan Sinaran
Rintangan semula jadi 4H-SiC terhadap kerosakan radiasi menjadikannya sangat diperlukan dalam persekitaran yang keras seperti:
Perkakasan penerokaan angkasa lepas.
Peralatan pemantauan loji kuasa nuklear.
Elektronik gred tentera.

6. Teknologi Baru Muncul
Seiring kemajuan teknologi SiC, aplikasinya terus berkembang ke dalam bidang seperti:
Penyelidikan fotonik dan pengkomputeran kuantum.
Pembangunan LED berkuasa tinggi dan sensor UV.
Integrasi ke dalam heterostruktur semikonduktor jurang jalur lebar.
Kelebihan Jongkong 4H-SiC
Ketulenan Tinggi: Dikilangkan di bawah keadaan yang ketat untuk meminimumkan kekotoran dan ketumpatan kecacatan.
Kebolehskalaan: Tersedia dalam diameter 4 inci dan 6 inci untuk menyokong keperluan standard industri dan skala penyelidikan.
Kefleksibelan: Boleh disesuaikan dengan pelbagai jenis dan orientasi doping untuk memenuhi keperluan aplikasi tertentu.
Prestasi Kukuh: Kestabilan terma dan mekanikal yang unggul di bawah keadaan operasi yang ekstrem.

Kesimpulan

Jongkong 4H-SiC, dengan sifatnya yang luar biasa dan aplikasi yang luas, berdiri di barisan hadapan inovasi bahan untuk elektronik dan optoelektronik generasi akan datang. Sama ada digunakan untuk penyelidikan akademik, prototaip perindustrian atau pembuatan peranti canggih, jongkong ini menyediakan platform yang andal untuk menembusi sempadan teknologi. Dengan dimensi, doping dan orientasi yang boleh disesuaikan, jongkong 4H-SiC disesuaikan untuk memenuhi permintaan industri semikonduktor yang sentiasa berubah.
Jika anda berminat untuk mengetahui lebih lanjut atau membuat pesanan, sila hubungi kami untuk spesifikasi terperinci dan rundingan teknikal.