Wafer Silikon Karbida Substrat Sic Jenis 4H-N Kekerasan Tinggi Rintangan Kakisan Gred Utama Penggilapan

Wafer Silikon Karbida Substrat Sic Jenis 4H-N Kekerasan Tinggi Rintangan Kakisan Penggilapan Gred Utama Imej Pilihan

Penerangan Ringkas:

Wafer silikon karbida ialah bahan berprestasi tinggi yang digunakan dalam pengeluaran peranti elektronik. Ia diperbuat daripada lapisan silikon karbida dalam kubah kristal silikon dan terdapat dalam pelbagai gred, jenis dan kemasan permukaan. Wafer mempunyai kerataan Lambda/10, yang memastikan kualiti dan prestasi tertinggi untuk peranti elektronik yang diperbuat daripada wafer. Wafer silikon karbida sesuai untuk digunakan dalam elektronik kuasa, teknologi LED dan sensor canggih. Kami membekalkan wafer silikon karbida (sic) berkualiti tinggi untuk industri elektronik dan fotonik.

Hantar emel kepada kami

Ciri-ciri

Berikut adalah ciri-ciri wafer silikon karbida

1. Kekonduksian terma yang lebih tinggi: Kekonduksian terma wafer SIC jauh lebih tinggi daripada silikon, yang bermaksud wafer SIC dapat menghilangkan haba dengan berkesan dan sesuai untuk operasi dalam persekitaran suhu tinggi.
2. Mobiliti elektron yang lebih tinggi: Wafer SIC mempunyai mobiliti elektron yang lebih tinggi daripada silikon, membolehkan peranti SIC beroperasi pada kelajuan yang lebih tinggi.
3. Voltan kerosakan yang lebih tinggi: Bahan wafer SIC mempunyai voltan kerosakan yang lebih tinggi, menjadikannya sesuai untuk pembuatan peranti semikonduktor voltan tinggi.
4. Kestabilan kimia yang lebih tinggi: Wafer SIC mempunyai rintangan kakisan kimia yang lebih kuat, yang membantu meningkatkan kebolehpercayaan dan ketahanan peranti.
5. Jurang jalur yang lebih luas: Wafer SIC mempunyai jurang jalur yang lebih luas daripada silikon, menjadikan peranti SIC lebih baik dan lebih stabil pada suhu tinggi.

Wafer silikon karbida mempunyai beberapa aplikasi

1. Medan mekanikal: alat pemotong dan bahan pengisaran; Bahagian dan sesendal tahan haus; Injap dan pengedap industri; Galas dan bola
2. Medan kuasa elektronik: peranti semikonduktor kuasa; Elemen gelombang mikro frekuensi tinggi; Elektronik kuasa voltan tinggi dan suhu tinggi; Bahan pengurusan terma
3. Industri kimia: reaktor dan peralatan kimia; Paip dan tangki simpanan tahan kakisan; Sokongan pemangkin kimia
4. Sektor tenaga: komponen turbin gas dan pengecas turbo; Komponen teras dan struktur kuasa nuklear, komponen sel bahan api suhu tinggi
5. Aeroangkasa: sistem perlindungan haba untuk peluru berpandu dan kenderaan angkasa; Bilah turbin enjin jet; Komposit lanjutan
6. Kawasan lain: Sensor suhu tinggi dan termopil; Acuan dan alat untuk proses pensinteran; Medan pengisaran dan penggilapan dan pemotongan
ZMKJ boleh menyediakan wafer SiC kristal tunggal (Silikon Karbida) berkualiti tinggi untuk industri elektronik dan optoelektronik. Wafer SiC ialah bahan semikonduktor generasi akan datang, dengan sifat elektrik yang unik dan sifat terma yang sangat baik, berbanding wafer silikon dan wafer GaAs, wafer SiC lebih sesuai untuk aplikasi peranti suhu tinggi dan kuasa tinggi. Wafer SiC boleh dibekalkan dalam diameter 2-6 inci, kedua-dua jenis SiC 4H dan 6H, jenis-N, didop Nitrogen dan separa penebat tersedia. Sila hubungi kami untuk maklumat lanjut tentang produk.
Kilang kami mempunyai peralatan pengeluaran canggih dan pasukan teknikal, yang boleh menyesuaikan pelbagai spesifikasi, ketebalan dan bentuk wafer SiC mengikut keperluan khusus pelanggan.