Sic Substrat Silicon Carbide Wafer 4H-N Jenis Kekerasan Tinggi Rintangan Kakisan Penggilapan Gred Utama

Sic Substrat Silicon Carbide Wafer 4H-N Jenis Kekerasan Tinggi Rintangan Kakisan Gred Utama Penggilapan Imej Pilihan

Penerangan ringkas:

Wafer silikon karbida adalah bahan berprestasi tinggi yang digunakan dalam pengeluaran peranti elektronik. Ia diperbuat daripada lapisan silikon karbida dalam kubah kristal silikon dan boleh didapati dalam gred, jenis dan kemasan permukaan yang berbeza. Wafer mempunyai kerataan Lambda/10, yang memastikan kualiti dan prestasi tertinggi untuk peranti elektronik yang diperbuat daripada wafer. Wafer silikon karbida sesuai untuk digunakan dalam elektronik kuasa, teknologi LED dan penderia termaju. Kami membekalkan wafer silikon karbida (sic) berkualiti tinggi untuk industri elektronik dan fotonik.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Berikut adalah ciri wafer silikon karbida

1. Kekonduksian terma yang lebih tinggi: Kekonduksian terma wafer SIC adalah jauh lebih tinggi daripada silikon, yang bermaksud bahawa wafer SIC boleh menghilangkan haba dengan berkesan dan sesuai untuk operasi dalam persekitaran suhu tinggi.
2. Mobiliti elektron yang lebih tinggi: Wafer SIC mempunyai mobiliti elektron yang lebih tinggi daripada silikon, membolehkan peranti SIC beroperasi pada kelajuan yang lebih tinggi.
3. Voltan kerosakan yang lebih tinggi: Bahan wafer SIC mempunyai voltan kerosakan yang lebih tinggi, menjadikannya sesuai untuk mengeluarkan peranti semikonduktor voltan tinggi.
4. Kestabilan kimia yang lebih tinggi: Wafer SIC mempunyai rintangan kakisan kimia yang lebih kuat, yang membantu meningkatkan kebolehpercayaan dan ketahanan peranti.
5. Jurang jalur yang lebih luas: Wafer SIC mempunyai jurang jalur yang lebih luas daripada silikon, menjadikan peranti SIC lebih baik dan lebih stabil pada suhu tinggi.

Wafer silikon karbida mempunyai beberapa aplikasi

1. Medan mekanikal: alat pemotong dan bahan pengisar; Bahagian tahan haus dan sesendal; Injap dan pengedap perindustrian; Galas dan bola
2. Medan kuasa elektronik: peranti semikonduktor kuasa; Elemen gelombang mikro frekuensi tinggi; Elektronik kuasa voltan tinggi dan suhu tinggi; Bahan pengurusan haba
3. Industri kimia: reaktor kimia dan peralatan; Paip dan tangki simpanan tahan kakisan; Sokongan pemangkin kimia
4. Sektor tenaga: turbin gas dan komponen pengecas turbo; Teras kuasa nuklear dan komponen struktur komponen sel bahan api suhu tinggi
5.Aeroangkasa: sistem perlindungan haba untuk peluru berpandu dan kenderaan angkasa; Bilah turbin enjin jet; Komposit lanjutan
6. Kawasan lain: Penderia suhu tinggi dan thermopiles; Mati dan alat untuk proses pensinteran; Mengisar dan menggilap dan memotong bidang
ZMKJ boleh menyediakan wafer SiC kristal tunggal (Silikon Karbida) berkualiti tinggi kepada industri elektronik dan optoelektronik. Wafer SiC ialah bahan semikonduktor generasi akan datang, dengan sifat elektrik yang unik dan sifat terma yang sangat baik, berbanding wafer silikon dan wafer GaAs, wafer SiC lebih sesuai untuk aplikasi peranti suhu tinggi dan kuasa tinggi. Wafer SiC boleh dibekalkan dalam diameter 2-6 inci, kedua-dua SiC 4H dan 6H, jenis N, Didop Nitrogen dan jenis separa penebat tersedia. Sila hubungi kami untuk maklumat lanjut produk.
Kilang kami mempunyai peralatan pengeluaran termaju dan pasukan teknikal, yang boleh menyesuaikan pelbagai spesifikasi, ketebalan dan bentuk wafer SiC mengikut keperluan khusus pelanggan.