Silicon-On-Insulator Substrat SOI wafer tiga lapisan untuk Mikroelektronik dan Frekuensi Radio

Silicon-On-Insulator Substrat SOI wafer tiga lapisan untuk Mikroelektronik dan Imej Pilihan Frekuensi Radio

Penerangan ringkas:

SOI nama penuh Silicon On Insulator, adalah maksud struktur transistor silikon di atas penebat, prinsipnya adalah antara transistor silikon, tambah bahan penebat, boleh membuat kemuatan parasit antara dua daripada asal kurang daripada dua kali ganda.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Pengenalan kotak wafer

Memperkenalkan wafer Silicon-On-Insulator (SOI) termaju kami, direka bentuk dengan teliti dengan tiga lapisan berbeza, merevolusikan aplikasi mikroelektronik dan frekuensi radio (RF). Substrat inovatif ini menggabungkan lapisan silikon atas, lapisan oksida penebat dan substrat silikon bawah untuk memberikan prestasi dan serba boleh yang tiada tandingan.

Direka bentuk untuk permintaan mikroelektronik moden, wafer SOI kami menyediakan asas yang kukuh untuk fabrikasi litar bersepadu (IC) yang rumit dengan kelajuan yang unggul, kecekapan kuasa dan kebolehpercayaan. Lapisan silikon atas membolehkan penyepaduan lancar bagi komponen elektronik yang kompleks, manakala lapisan oksida penebat meminimumkan kapasiti parasit, meningkatkan prestasi peranti keseluruhan.

Dalam bidang aplikasi RF, wafer SOI kami cemerlang dengan kemuatan parasit yang rendah, voltan pecahan tinggi dan sifat pengasingan yang sangat baik. Sesuai untuk suis RF, penguat, penapis dan komponen RF lain, substrat ini memastikan prestasi optimum dalam sistem komunikasi tanpa wayar, sistem radar dan banyak lagi.

Selain itu, toleransi sinaran semula jadi wafer SOI kami menjadikannya sesuai untuk aplikasi aeroangkasa dan pertahanan, di mana kebolehpercayaan dalam persekitaran yang keras adalah kritikal. Pembinaan yang teguh dan ciri prestasi yang luar biasa menjamin operasi yang konsisten walaupun dalam keadaan yang melampau.

Ciri-ciri Utama:

Seni Bina Tiga Lapisan: Lapisan silikon atas, lapisan oksida penebat, dan substrat silikon bawah.

Prestasi Mikroelektronik Unggul: Membolehkan pembuatan IC termaju dengan kelajuan dan kecekapan kuasa yang dipertingkatkan.

Prestasi RF Cemerlang: Kapasiti parasit yang rendah, voltan kerosakan tinggi dan sifat pengasingan yang unggul untuk peranti RF.

Kebolehpercayaan Gred Aeroangkasa: Toleransi sinaran yang wujud memastikan kebolehpercayaan dalam persekitaran yang keras.

Aplikasi Serbaguna: Sesuai untuk pelbagai industri, termasuk telekomunikasi, aeroangkasa, pertahanan dan banyak lagi.

Alami generasi mikroelektronik dan teknologi RF yang akan datang dengan wafer Silicon-On-Insulator (SOI) kami yang canggih. Buka kunci kemungkinan baharu untuk inovasi dan pacu kemajuan dalam aplikasi anda dengan penyelesaian substrat termaju kami.