Wafer Silikon Karbida 2 inci 6H atau 4H Substrat SiC jenis N atau Separa Penebat
Produk yang Disyorkan
4H SiC wafer N-jenis
Diameter: 2 inci 50.8mm | 4 inci 100mm | 6 inci 150mm
Orientasi: paksi luar 4.0˚ ke arah <1120> ± 0.5˚
Kerintangan: < 0.1 ohm.cm
Kekasaran: Si-muka CMP Ra <0.5nm, C-muka pengilat optik Ra <1 nm
4H SiC wafer Separa penebat
Diameter: 2 inci 50.8mm | 4 inci 100mm | 6 inci 150mm
Orientasi: pada paksi {0001} ± 0.25˚
Kerintangan: >1E5 ohm.cm
Kekasaran: Si-muka CMP Ra <0.5nm, C-muka pengilat optik Ra <1 nm
1. Infrastruktur 5G -- bekalan kuasa komunikasi
Bekalan kuasa komunikasi ialah pangkalan tenaga untuk komunikasi pelayan dan stesen pangkalan. Ia menyediakan tenaga elektrik untuk pelbagai peralatan penghantaran untuk memastikan operasi normal sistem komunikasi.
2. Longgokan mengecas kenderaan tenaga baharu -- modul kuasa longgokan pengecasan
Kecekapan tinggi dan kuasa tinggi modul kuasa cerucuk pengecasan boleh direalisasikan dengan menggunakan silikon karbida dalam modul kuasa cerucuk pengecasan, untuk meningkatkan kelajuan pengecasan dan mengurangkan kos pengecasan.
3. Pusat data besar, Internet Industri -- bekalan kuasa pelayan
Bekalan kuasa pelayan ialah pustaka tenaga pelayan. Pelayan menyediakan kuasa untuk memastikan operasi normal sistem pelayan. Penggunaan komponen kuasa silikon karbida dalam bekalan kuasa pelayan boleh meningkatkan ketumpatan kuasa dan kecekapan bekalan kuasa pelayan, mengurangkan volum pusat data secara keseluruhan, mengurangkan kos pembinaan keseluruhan pusat data, dan mencapai persekitaran yang lebih tinggi. kecekapan.
4. Uhv - Penggunaan pemutus litar DC penghantaran fleksibel
5. Rel berkelajuan tinggi antara bandar dan transit rel antara bandar -- penukar daya tarikan, pengubah elektronik kuasa, penukar tambahan, bekalan kuasa tambahan