Penebat wafer SOI pada wafer SOI (Silicon-On-Insulator) silikon 8 inci dan 6 inci

Penerangan ringkas:

Wafer Silicon-On-Insulator (SOI), yang terdiri daripada tiga lapisan berbeza, muncul sebagai asas dalam bidang aplikasi mikroelektronik dan frekuensi radio (RF). Abstrak ini menjelaskan ciri-ciri penting dan pelbagai aplikasi substrat inovatif ini.

Hantar e-mel kepada kami

Butiran Produk

Tag Produk

Pengenalan kotak wafer

Terdiri daripada lapisan silikon atas, lapisan oksida penebat dan substrat silikon bawah, wafer SOI tiga lapisan menawarkan kelebihan yang tiada tandingan dalam mikroelektronik dan domain RF. Lapisan silikon teratas, menampilkan silikon kristal berkualiti tinggi, memudahkan penyepaduan komponen elektronik yang rumit dengan ketepatan dan kecekapan. Lapisan oksida penebat, direka bentuk dengan teliti untuk meminimumkan kapasiti parasit, meningkatkan prestasi peranti dengan mengurangkan gangguan elektrik yang tidak diingini. Substrat silikon bawah menyediakan sokongan mekanikal dan memastikan keserasian dengan teknologi pemprosesan silikon sedia ada.

Dalam mikroelektronik, wafer SOI berfungsi sebagai asas untuk fabrikasi litar bersepadu (IC) lanjutan dengan kelajuan yang unggul, kecekapan kuasa dan kebolehpercayaan. Seni bina tiga lapisannya membolehkan pembangunan peranti semikonduktor kompleks seperti IC CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) dan peranti kuasa.

Dalam domain RF, wafer SOI menunjukkan prestasi yang luar biasa dalam reka bentuk dan pelaksanaan peranti dan sistem RF. Kapasiti parasitnya yang rendah, voltan pecahan tinggi dan sifat pengasingan yang sangat baik menjadikannya substrat yang ideal untuk suis RF, penguat, penapis dan komponen RF lain. Selain itu, toleransi sinaran semula jadi wafer SOI menjadikannya sesuai untuk aplikasi aeroangkasa dan pertahanan di mana kebolehpercayaan dalam persekitaran yang keras adalah yang terpenting.

Tambahan pula, kepelbagaian wafer SOI meluas kepada teknologi baru muncul seperti litar bersepadu fotonik (PIC), di mana penyepaduan komponen optik dan elektronik pada substrat tunggal memegang janji untuk sistem telekomunikasi dan komunikasi data generasi akan datang.

Ringkasnya, wafer Silicon-On-Insulator (SOI) tiga lapisan berdiri di barisan hadapan inovasi dalam aplikasi mikroelektronik dan RF. Seni binanya yang unik dan ciri prestasi yang luar biasa membuka jalan kepada kemajuan dalam pelbagai industri, memacu kemajuan dan membentuk masa depan teknologi.